155646

Номер патента: 1182370

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Анохин, Белая, Гладкий, Ефремов, Свиридов, Торосян

МПК: G01N 27/22

Метки: веществ, датчик, емкостной, рыхлых, свойств, сыпучих, физико-химических

...отверстня8. Терлетчность цилггндргг:геског камеры с торца, где размещен пощцснь 14, достигается применением3 11823 эластичной газонепроницаемой диэлектрической оболочки 17, изготовленной, например, в виде гофрированного цилиндра с плоскими торцами, выполненными в виде внутреннего и внешнего колец. Внутренняя кольцевая часть одного тор 5 ца имеет малую площадь и служит длягерметичного крепления гофрированного цилиндра 17 к тыльной стороне поршня 14 при помощл фланца 15, а другая торцовая часть цилиндра 17, включающая внешнее кольцо, имеет большую площадь и предназначена как для герглетичного крепления к торцу цилиндрической камеры при помощи фланца 16, так и для выполнения функций мембраны, Такое размещение и герметичное...

Номер патента: 433347

Опубликовано: 25.06.1974

Автор: Институт

МПК: G01G 1/00, G01G 19/04

Метки: веществав, количества, накопителях

...счетчика 6.Выход весоизмерительного устройства 10 подключен ко входу преобразователя аналог-код 11, выход которого подключен ко входу электронного реле времени 12 и к масштабирующему устройству 13. Выход реле времени 12 подключен ко второму входу схемы совпадения 9. Выход масштабирующего устройства 13 подключен ко входу вычитания счетчика 6.Измерение веса вещества в накопителе осуществляется учетом веса вещества, загружаемого и выгружаемого из него.Учет веса загружаемого вещества производится следующим образом, При входе ковша скрепера на участок пути с постоянным коэффициентом трения ковша по грунту программное устройство 3 подклю 35 чает выход датчика 1 на валу барабана лебедки через сглаживающий фильтр 4 ко входу преобразователя 5,...

Номер патента: 1073674

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Бурмистенков, Свиридов, Скрипник

МПК: G01N 27/22

Метки: веществ, датчик, емкостной, рыхлых, свойств, сыпучих, физико-химических

...мере влиять на емкость как измерительного, так и образцового конденсаторов, Так как результат измерения получа". ют из разности сигналов емкостей ) конденсаторов, то неинформативные сигналы, обусловленные изменением диэлектрических свойств основания 1,будут взамно скомпенсированы и дополнительной погрешности не внесут.Аналогичным образом компенсируется погрешность измерения, обусловленная температурным дрейфомгеометрических размеров электродов.Это следует из того, что при дрейфе температуры геометрические размеры электродов измерительного иобразцового конденсаторов будуттакже изменяться одинаковым образом, что вызовет в них равные приращения емкостей,Исключение погрешностей измерения, обусловленных температурнымизменением...

Номер патента: 322612

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лсзоюзная, Смирнов, Шель

МПК: G01L 1/12

Метки: внутри, датчик, механических, напряжений, отверстий, электроиндуктивный

...электроиндуктивный датчикотличается тем, что измерительные обмоткирасположены на сердечнике с двух сторон намагничивающей обмотки так, что оси измерирительцых и намагничивающей обмоток взаимно перпендикулярны и лежат в одной плоскости.Это позволяет п ность измерения.На чертеже представлен описываемый датчик.Датчик 1, помещенный внутри отверстия,содержит сердечник 2, на котором расположенаамагничивающая обмотка 3 и измерительные обмотки 4 и 5, размещенные с двух сторон цамагцичивающец обмотки, В процессе измерения цамагничивающая обмотка подключается к генератору переменного тока, а измерительные обмотки, соединенные после довательно, - к регистрирующему прибору.При проведении измерения датчик вводятвнутрь отверстия на нужную глубину...

Номер патента: 569932

Опубликовано: 25.08.1977

Автор: Порозов

МПК: G01N 27/22

Метки: веществ, датчиков, параметров, переменном, путем, работающих, свойства, токе, электрических

...исспедуемое 1 О вещество н с помощью напряжения компенсации изменяют амплитуду н фазу напряжения разбапанса до равенства величин фаз снМ нала а раэбапанса и измеряют укаэанное значение фазы разность амплитуд напряже ння датчика с веществом и беэ него прн данном значении фазы.На чертеже показана векторная диаграмма, поясняющая сущность предеагаемого способа. Напряжение Мф является векторной 20 суймой 1 напряженна раэбапанса М н напрюкення компенсации Ун дпа пустого датчика. Напряжение Иф представляет собой векторную сумму на"ракенййМ+Ок+Цпосле того, как в датчик.введено исспедув. фмое вещество.Путем многократного введения веществав датчик с помощью компенсационного напряжения Мя достигается совмещение по фазе напряжений Ми О . Фаза...