Контактное устройство

(51) 5 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ двтсн скочу СвиДктельСтвм с,ион а о ост оничесраспо ементь контак вкового элемента перемещении поплПри наложени руемой микросхе лавковые подвиж нтроли 4, поп нажатии8 на зондь 1 е элементы наци у эле(56) Авторское свидетельство СУ 571938, кл. Н 05 К 1/04, 197Авторское свидетельство СССУ 1184114, кл. Н 05 К 1/11, 19 54) КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО57) Изобретение относится кехнике и может быть исполвэостройствах контроля элементо Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в устройствах контроля элементов радиоаппаратуры, преимущественно микросхемдля определения правильности их изготовления и монтажа.Цель изобретения - повышение плотности расположения контактных элементов и увеличение надежности контактирования.На чертеже изображено контактное устройство для контроля микр схем, общий вид в разрезе.Контактное устройство с оит из изоляционной плиты 1 с к кими отверстиями 2, в которых ложены поплавковые подвижные эл 3 с контактными зондами 4 и тными выводамн 5, Зазоры межр ментами.ЯО 3545337 диоаппаратуры, преимущественно микросхем, Цель изобретения - повьяениеплотности расположения контактныхэлементов и увеличение надежностиконтактирования. Устройство содержитизоляционную кремниевую плиту с отверстиями и расположенными в них подвижными контактами, Вертикальное перемещение контактов обеспечиваетсятем, что они соединены с конуснымипоплавками элементами и установленыв отверстиях с ртутью. Во время контроля микросхема нагружает поплавковые контакты, которые утапливаются ипри контактировании дополнительносмачиваются ртутью, При этом обеспечивается и надежное контактирование.1 з.п. ф-лы, 1 ил. 3 и стенками отверстий 2 заполнены ртутью 6. Сверху на изоляционной плите 1 закреплена полимерная пленка 7. Проверяемая микросхема 8 располагается сверху зондов 4 с нижней стороны обеспечивается пластинами 9.Контроль микросхем осуществляется следующим образом.В исходном положении поплавковые элементы 3 под действием выталкивающей Архимедовой силы находятся на плаву, т,е. в крайнем верхнем положе нии, и прижимаются к полимерной плен ке 7, которая служит в качестве амор тизатора для гашения колебаний при:ют погружаться в капле ртути 6, что обеспечивает создание прижимной силы зондов 4 от выталкивания поплавковых элементов 3.5При снятии прижимного усилия поплавковые элементы 3 возвращаются в исходное положение, т.е. всплывают, а ртуть перемещается в зазоре между элементами 3 и стенками отверстий 2.Кроме того, при контактировании зонда 4 с контролируемой микросхемой 8 зонд 4 постоянно смачивается ртутью, что обеспечивает дополнительную электрическую связь зонда 4 с выводом 5. Наличие этой связи позволяет более просто изготовить пару зонд 4 - поплавковый элемент 3, так как не обязательной становится прямая связь зонда 4 с выводом 5.Так как отверстия, через которые проходят зонды 4 и контактные выводы 5, выполнены с большой точностью и минимальными зазорами, тоиспарения ртути оказываются незначительными и 25 .попадание ее в атмосферу ничтожно.Выполнение отверстий 2 и поплавковых элементов 3 коническими обес" печивает надежность и точность урав" новешивания элеементов .3. По этой причине поплавковые элементы 3 практи 3 О чески не совершают поперечного движения при погружении, что обеспечивает высокочастотный выход зондов 4 и хоошее попадание на микроплощадки проеряемой микросхемы. Кроме того, пру 1 кинящая подвеска зондов 4, которые 1 кестко закреплены в поплавковых элементах 3, является весьма надежной,поэтому возможность их застревания отсутствует.Таким образом, предлагаемое устройство может быть изготовлено исключительно малых размеров, например толщиной плиты 1 порядка нескольких миллиметров, а габариты поплавковых элементов 3 могут быть достигнуты до 0,2 - 0,3 мм по радиусу, что гарантирует высокую плотность размещения зондов 4 и возможность контактного контроля миниатюрных микросхем.Формула изобретения1. Контактное устройство преимущественно для контроля микросхем, содержащее изоляционную плиту с плоскостью контактирования и с отверстиями, заполненными токопроводящей жидкостью, оси которых перпендикулярны плоскости контактирования, в отверстиях размещены подвижные контакты, выполненные по форме отверстий, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения плотности расположения контактных элементов и увеличения надежности контактирования, изоляционная плита выполнена из монокристалла, а отверстия выполнены в форме пирамид, грани которых образованы кристаллографическими плоскостями монокристалла.2. Устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что в качестве монокристалла использован кремнийф а в качестве токопроаодящей жидкости - ртуть..Кабаци Редактор Н.Лазаренко Техред Л,Олийнык Корректо и ГКНТ ССС бре аушск оиэводственно-издательский комбинат Патент , г. Ужгород, ул, агарГага ица 101 ЗвкВНИИП 497 Тираж 691Государственного комитета по113035, Москва, ЖПодписноем и открытиянаб д. 4/5