Антисегнетоэлектрический керамический материал

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК В 35/49 51) 4 И КОМИТЕТ И ОТКР 1 ТИЯ ГОСУДАРСТВЕННПО ИЗОБРЕТЕНИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ТЕЛЬСТВ А ВТОРСНОМУ о(57) Иэобретени лам, обладающим янного электричпереходом иэ ан относится к материапод действием посто- ского поля фазовым исегнетоэлектрическом реа Образцы изг и в твердои вливают смеси оксидов в л нии,эготовлени нном соотн материа- )О,.ов ис 1 а Рз0 марки ла Вг 0 41 Т 1 1 Бпцных компоненарки ч.д.а.;марки ч.; Т 1 ч.ния 100 г материаланавески, г: РЬО909; ЕгО 1 Ь,9 Ь 7; Т 1 43.ят при 1000 С с вытеэированный материовой ступке в среде 1(54) АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КРЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Изобретение относится к материаам, обладающим под действием постоянного электрического поля фаэовым переходом из антисегнетоэлектрического состояния (АСЭ) в сегнетоэлектрическое (СЭ), сопровождающимся деформацией материала, и может быть использовано в электронной микромеханике.Цель изобретения - увеличение относительной деформации и снижение напряженности критического электрического поля.Под напряженностью критического электрического поля понимается такая напряженность, при которой образец материала начинает деформироваться. ЯО 1528767 го состояния в сегнетоэлектрическое,сопроВождающимся деформацией материала, и может быть использовано нэлектронной микромеханике. Для увеличения относительной деформации и снижения напряженности критическогоэлектрического поля антисегнетоэлектрический керамический материал содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%: РЬО 61,437-61,486;ХгО 16,778-17,153; БпОт 15,23715,667; ТО 4,210-4,214; 1 а, 0 1,9081,910. Полученный по обычной керамической технологии (температура спекания 1280 С, 2 ч) материал имеет слео,дующие характеристики: максимальнаяоотносительная деформация при 20 С(1,9-2,0) 10 ; напряженность критикческого электрического поля при 20 С,1 ля изготовле берут следующие 61,468; 1 з С1,4,213; ЫпО, 15,4 Синтез провод дгржкой 2 ч. Син рас:прают в агат5287(ч 7 мдция: мс кс о 8 3 мкс Таблица 1 Гостан мас,ХЬа,о, гго,Индекс керамическогоматериала Химическая ормчра к (г о)с,))и Г 1ч рь М М М Проч очии э)7 оного сцтргд и из поролкд прессуют образцы дидмегром 10 мм и толщио ной 1 мм. Образцы спекдют при 1280 С в течение 2 ч. Кдк синтез, так и спекание образцов проводят н герметически здкрьггых г)глях н атмосфере паров оксида свинца, создаваемой брикетами из циркондта свинца, которые помещая)т в тигель нме те с образцами. 10 Потери оксдд снинца в образцах и открытая пористость практически отсутствует.Измерения 8 и Е=-кр выполненызмкна специальной устднонке, собранной 15 иэ выпускаемых промышленностьо и прошедших государственную проверку приборов: источника постоянного напряжения ВС=22, килонольтметра С 196 с погрешностью измерения напряжения 20 +1)0% и стойки с головной измерительной пружиной типа 01 ИГПВ с пределом допускаемой погрешности 0,1 мкм.Измеряют абсолютную деформацию 25 керамического образца диска (Ф 10 мм, толщиной 1 мм), а затем по абсолютной деформации рассчитывают относительную деформацию. Лиск ставят нд плато стойки в металлическую коробку, ко торую заливают жидким диэлектриком - кремнийорганической жидкостью Продукт", или иКалория", чтобы уменьшить нероятность пробоя, На образец сверху с гавят металлический цилиндрик для подведения электрического напряжения, на цилиндрик станят диск из злектроизоляционного матери ала, в который упирается шток измерительной головки. При подаче постаянного ),ектрического поля нд образец он )зкеняет свой размер и измерите ная головка показывает это (цена де.ения 0,1 мкм),Оносительная деформация:1 о83 1 11 дксимдльндя относительная дефоргде 1, - какая-то толцина образцапри подаче на него некоторого электрического поля;1 - максимальная толщинамсксобразца.В табл . 1 приведены составы материалд, в табл. 2 - электрофизические харакгеристики материала. Формула и э о б р е т е н и я Лн гнсегнетозлектрический керамический материал для преобразователей электрического поля в деформацию гключдюцрй РЬ( ЕгОБпО ТОч и 1 д 03,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения относительной деформации и снижения Напряженности критического электрического поля, он содержит укаэанные компоненты при следующем соотношении мас.7;РЬО 6 1)437-6 1)486 (гОч 16,778-17153 ВпО 15237-15667 Т 7.( 4, 210-4, 2141 д, О 5 1 ) 908-1,9101528767 Таблица 2 Материал Свойства МММПрототип Максимальная 1,0 1,9 1,9 2,0 10,0 1,2 1,2 Редактор Н.Киштулинец Заказ 7613/22 Тираж 591 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101,относительная деФормация при 20 С х 10 Критическое электрическое поле при 2 С, кВ/см Составитель Л.КосяченкоТехред Л,Олийнык Корректор В, Кабаций