Магнитно-транзисторный ключ

)4 НОЗ К 7/6 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(53) 621.382(088.8 окая потноовой зью 6 и(56) АвторсВ 336809, клЭлектронке / Под реРадио и св СС 70 свидетельств03 К 17/60,уп омати. рис,7 ая техника Ю.И.Конев зь", 1985,введеав и кон имы ком 1 ис. ьзовавпяющих екГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЭОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретение может быть испзовано в источниках вторичного тропитания, где требуется вы надежность. Цель изобретения вышение КПД и надежности. Ма транзисторный ключ содержит транзистор 1 и трансформатор с положительной обратной свя два управляющих транзистора базами подключенные к шине 1 равляющих сигналов. За счет ния резисторов 8,11, диода 1 денсатора 12 улучшаются реж мутации силового транзистора появляется возможность испол ния более низковольтных упра транзисторов1 ил2и надежности.На чертеже представлена принципиальцая электрическая схема устрой 1 О ства.Устройство содержит силовой транзистор 1, трансформатор 2 тока с первичной обмоткой, включенной в последовательную цепь с нагрузкой 3 и шинами источника питания, развяэывающий конденсатор 4, первый резистор 5 в цепи нагрузки управляющего транзистора 6 обратного типа проводимости относительно другого управляющего транзистора 7, в коллекторцую цепь которого включен дополнительный резистор 8, диоды 9 и 10, дополнительный и прямовключеццьп, дополцительцые резистор 11 и конденсатор 12,1 аэвязывающий конденсатор 4 включен между второй шиной источника питания и шиной дополнительного источника питания. Дополнительный диод 9 обратно включен между шинойдополнительного источника питания и первым выводом вторичной обмотки положительной обратной связи трансформатора тока 2, который через прямовключеццый диод 10 соединен с общим выводом дополнительных резисторов 8 и 11, к диоду 10 подключен дополнительный конденсатор 12, ограничивающий напряжение, Базы управляющих транзисторов 6 и 7 подключены к пп 1 це 13 управляющих сигналов. 15 20 25 30 35 40 При входном сигнале отрицательной полярности ца шине 13 открыт тран.зистор б и к базе силового транзис тора 1 гриложец отрицательный потенциал, равный напряжению дополнительного источника питания. Силовой транзиСтор 1 закрыт, При этом на конденсаторе 12 накоплен некоторый заряд от предыдущего рабочего такта. В момент изменения полярности управляющего импульса транзистор 6 закрывается, а транзистор 7 открывается при этом начинает разряжатьсяШ55 конденсатор 12 через базовую цепь транзистора 1 и создается импульс тока, форсирующий открывание силового ключа, После появления тока в колИзобретение относится к силовым коммутирующим устройствам радиоэлектроццой аппаратуры и может быть использовано в источниках вторично 5 го электропитания.Пель изобретения - повышение КПД лекторе управляющего транзистора 7 начинает поступать ток в базовую цепь силового транзистора 1 из вторичной обмотки трансформатора 2, напряжение конденсатора 12 устанавливается пропорционально току коллектора силового транзистора 1. В момент смены управляющего сигнала происходит закрывание транзистора 7 и открывание транзистора б, Силовой транзистор 1 начинает рассасываться, но его коллекторный ток и, соответственно, ток базы в это время не прекращается и поэтому заряжает конденсатор 12, емкость которого рассчитана так, что его заряда хватает на создание импульса тока в базовой цепи силового транзистора 1 на время появления обратной связи по току. Если ключ находится в нерабочем состоянии, то конденсатор 12 заряжается через резистор 11, ток через который гораздо меньше базового тока силового транзистора 1, Если ключ в работающем состоянии, то конденсатор 12 заряжается после выключения транзистора 7, т,к. ток коллектора силового транзистора 1 не сразу прекращается при изменении тока базы, а так как ток вторичной обмотки трансформатора тока 2 пропорционален току первичной (коллекторной) обмотки,. то он и заряжает конденсатор 12.За счет улучшения режимов коммутации силового транзистора 1 уменьшаются потери, а воэможность испольэования низковольтных управляющих транзисторов повышает надежность устройства.Формула изобретенияМагнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, коллектор которого через последовательно соединенные первичную обмотку трансформатора тока и нагрузку подключен к первой шине источника питания, эмиттер - к второй его шине вторичная обмотка положительной обратной связи трансформатора тока первым выводом соединена с первым выводом прямовыключенного диода, раэвяэывающий конденсатор, включенный между второй шиной источника питания и шиной дополнительного источника питания, два управляющих транзистора разного типа проводимости, базы ко5 1525901 6 торых соединены с шиной управляющих дом прямовключенного диода и через сигналов, эмиттеры - с базой силово- дополнительный конденсатор - с эмитго транзистора, и первый резистор, тером силового транзистора и вторым о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с выводом вторичной обмотки положи- целью повышения КПД и надежности,5тельной обратной связи трансформа- дополнительно введены два резисто- тора тока, дополнительный диод обра, конденсатор и диод, причем до- ратно включен между первым выводом полнительные резисторы включены по- вторичной обмотки положительной обследовательно между коллектором уп ратной связи трансформатора тока и равляющего транзистора одного типа шиной дополнительного источника пипроводимости с силовым транзистором тания, которая через первый резиси объединенными выводами первичной тор соединена с коллектором управ- обмотки трансформатора тока и на- ляющего транзистора другого типа грузки, общий вывод дополнительных 15 проводимости относительного силоворезисторов соединен с вторым выво- го транзистора.Составитель Л.БагянРедактор М.Циткина Техред М,Дидык Корректор М.МаксимишинецЗаказ 7244/55 Тираж 884 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101