Полосковый выключатель

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 19) П 1)4 Н 01 Н.А радиотехвано для коммутац Целью чение по На чеи сигналов, изобретения явл тся увели рь запирания, еже изображен о выключателя онструк олосков содержитлинии переическуюне которойодник 3, а ковыи выключател 1. микрополосково лючающей диэлек 2, на одной сто ен полосковый пр й стороне - слойкотором выполне линия 5 передачи Полосотрезокдачи, вкподложкурасположна другоции 4, вщелевая еталлиз а- замкнутая которая ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗ РСНОМУ СВИДЕТЕПЬСТ(56) Авторское свидетельство СССРУ 964793, кл. Н 01 Р 1/15, опублик.1982,Авторское свидетельство ГССРР 1185437, кл. Н 01 Р 1/15, опублик,1985.(57) Изобретение относится к радиотехнике, Цель изобретения - увеличение потерь запирания, В полосковомвыключателе при подаче отрицательного управляющего напряжения полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малуюпроводимость и.не шунтируют областисвязи 6 и 7, Это обеспечивает возбуж Изобретение относитсяике и может быть исполь дение щелевых резонаторов, образованных замкнутой щелевой линией 5, атакже конденсаторами 11 и 12,этом полупроводниковый диод 1 Овысокую проводимость и шунтирурезок 1, что повышает потери зния, При подаче положительноголяющего напряжения диоды Я и 9 имеют высокую проводимость и шунтируютлинию 5 в областях связи б и 7, темсамым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов, Диод1 О имеет малую проводимость и практически не шунтирует отрезок 1, по которому электромагнитные колебанияраспространяются с малыми потерями.Выбор расстояния между областями связи 6 и 7 равным Ф /2 (где % - длина волны в отрезке 1 микрополосковойлинии передачи), обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 51 ил,размещена симметрично относительнопродольной оси отрезка 1 и электро- магнитно связана с ним первой и второй .областями связи 6 и 7Первый и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 включены в замкнутую щелевую линию 5 в первой и второй областях связи б и 7 соответственно, Третий полупроводниковый диод 1 О включен между полосковым проводником 3 и слоем металлизации 4 посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами 8 и 9 противоположно им, Длина замкнутой щелевой линии 5 выбрана равной о1 ой щелевой линии 5 на рабочей частоте, а расстояние между первой и второй областями связи 6 и 7 выбрано главным/2, где Ъ - длина волныотрезке 1 на рабочей частоте, Первый конденсатор 11 включен в замкнутую елевую линию 5 на расстоянии фщ/4 Фт первого полупроводникового диода . Второй конденсатор 12 включен в амкнутую щелевую линию 5 на расстояях Ъщ /2 и Ъ, /4 от первого кондентора 11 и от первого полупроводникого диода 8 соответственно,Выбор расстояни Второй областями %/2 обеспечивает замкнутой щелевой между первои и язи 6 и 7 равным нижение излучения инией 5.Полосковый выключатель работает следующим образом,При подаче отрицательного управляюего напряжения первый и второй полуроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую 20 роводимость и не шунтируют первую и торую области связи 6 и 7, что обес-" ечивает возбуждение щелевых резонато ов, образованных замкнутой щелевой инией 5, а также первым и вторым коненсаторами 11 и 12, При этом третий олупроводниковый диод 10 имеет высоую проводимость и шунтирует отрезок что повышает потери запирания, При подаче положительного управ 3 ляющего напряжения первый и второй нолупроводниковые диоды 8 и 9 имеютысокую проводимость и шунтируют . амкнутую щелевую линию 5 в первойвторой областях связи 6 и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов,Треий полупроводниковый диод 10 имеет Малую проводимость и практически не 1 пунтирует отрезок 1, по которому 40 Электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями,Формула и э о б р е т е н и я Полосковый выключатель, содержащий отрезок микрополосковой линии передачи, включающий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен полосковый проводник, а на другой стороне - слой металлизао ции, в котором выполнена замкнутая щелевая линия передачи, которая размещена симметрично относительно продольной оси отрезка микрополосковой линии передачи и электромагнитно связана с нимпервой и второй областями связи, первый полупроводниковый диод включен в замкнутую щелевую линию передачи в первой области связи, а первый конденсатор включен в замкнутую щелевую линию передачи на расстоянии Я /4 от первого полупроводникового диода, где Ъ- длина волны в замкнутой щелевой линии передачи на рабочей частоте, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения потерь эапирания, длина замкнутой щелевой линии передачи выбрана равной 2 , расстояние между первой и второй областями связи выбрано равным Ъ/2, гдедлина волны в отрезке микрополосковой линии передачи на рабочей частоге, введены второй и третий полупроводниковые диоды и второй конденсатор, который включен в замкнутую щелевую линию передачи на расстояниях %щ/4 от первого полупроводникового диода и Ъщ /2 от первого конденсатора, второй полупроводниковый диод включен в замкнутую щелевую линию передачи во второй области связи однополярно первому полупроводниковому диоду, а третийполупроводниковый диод включен между полосковым проводником и слоем металлизации, посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами .противополярно им.