Магнитная система
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1524097
Автор: Щеглов
Текст
(56) рова Конструиывающнх при-.связь, 1982,боров с, 1 (54) (57) сится преиму- ВЧ и м,б, исия подмагничи ств оль вано для создан олей в СВЧ-устр пленочных струк тения - повыше и ах на ри овы турахние о изо днородносеньшениии магнитно ля г 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИ 4298028/24-0921,08,8723,11,89, Бюл. У 43Институт радиотехники и электрАН СССРВ, И, 111 егл он621.372(088.8)Вамберский М.В и дрие ферритовых развязСВЧ, - М,: Радио и1, рис, 4-5-б,МЛГИИТНАЯ СИСТЕМАИзобретение отноенно к технике С габаритов, Магнитная система содержит два идентичных постоянных магнита в форме пластин 1, Для достижения цели поверхности каждой пластины ограничены двумя параллельнымипрямыми 2 и двумя идентичными дугами,гуравнение которых имеет вид 2=7. -КУгои 7.=-7.О+КУ, где 2, У - оси симметрии пластины 1, параллельная и перпендикулярная прямым 2 соответственно,7, = (О, 4-0, 5) а - координата с ер единыдуги 3, К=(0,3-0,5), а - расстояниемежду прямыми 2, Длина Ь прямых 2,толщина с пластины 1 и расстояние Ймежду ними выбраны из условий Ь=(0,4-0 6)а, При этом пластины 1 намагничены в направлении, параллельном прямым 2, 2 ил, 1524097Изобретение относится преимущественно к технике СВЧ и может быть использовано для создания подмагничивающих полей в СВЧ-устройствах на ферритовых пленочных структурах, напри 5мер, в аалоговых системах обработкисигналов на поверхностных магнитостатцческих волнах,Цель эобретения - повышение одно Ородцости магнитного поля при уменьшенцц габаритов,На фиг,1 и 2 представлены проекциикоцструкццц магнитной системы,11 агитая система содержит дваидентичных постоянных магнита в форме плдсти 1, поверхности каждой изкоторых ограничены двумя параллельнымц прямыми 2 ц думя идентичными дугами 3, уравнение которых имеет вид2 о К и 2 2 о+ К в2где 2, У - оси симметрии пластины,параллельная и перпендикулярная парал.лельным прямым 2 соответственно 252 =(0,4-0,5)а - координата середины дуги 3, К=(0,3-0,5),а - расстояние между параллельными прямыми 2,а длина Ъ параллельных прямых, толщина с пластин 1 и расстояние с 1 между ними выбраны из условий ЬКа2(7., - в -), С (0,1-0,2)а, 1(0,4-0.6)а. При этом пластины 1аагче в направлении, параллельном параллельным прямым 2,11 агцтцая система работает следующим образом,Пластина 1 создает в плоскости 702 поле, силовые линии которого 40параллельщ оси 2, Зависилость напряжеццости этого поля от координаты2 определяется расстоянием Й, выборкоторого обеспечивает максимальное постоянство 2 - составляющей магнит" ного поля, Выбор толщины с пластинобеспечивает постоянство этой же составляющей магнитного поля. Дуги 3 образуют сегменты, которые формируют область однородного магнитного поля, близкую к квадратной, при этом оптимальная форма профиля дуги 3 обеспечивает постоянство профиля магнитного поля по координате У,формула изобретенияМагнитная система, содержащая два идентичных постоянных магнита в форме пластин, установленных параллельно одна над другой, о т л и ч а ю - щ а я с я тем, что, с целью повышения однородности магнитного поля, при уменьшении габаритов, поверхности пластин ограничены двумя параллельными прямыми и двумя идентичьми дугами, уравнение которых имеет вид27. -КУ и 2-7. +КУ о о в системе координат, начало которой совпадает с центром симметрии пластины, где 7, - ось симметрии пластины, параллельная параллельным прямым, У - ось симметрии пластины, перпендикулярная параллельным прямым, 2 =(0,4-0,5)а - координата середины дуги, К =(0,3-0,5), а " расстояние между параллельными прямыми, при этом длина Ь параллельных прямых, толтолщина с пластины и расстояние дмежду ниии выбраны из условий Ь- 2(2 0 4 ) =(О 1-0 2)а 1=Ка=(0,4-0,6)а а направление цамагнцчи - ванин пластин параллельно параллельным прямым,1524097 Составитель А,Ищенко1 андор Техред А.Кравчук КоРРектоР Т,Пал кт 3 акаэ 7048/52 Тирах 696 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по иэобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Иосква, Ж, Раущская наб., д, 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г. Упгород, ул. Гагарина, 101
СмотретьЗаявка
4298028, 21.08.1987
ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
ЩЕГЛОВ ВЛАДИМИР ИГНАТЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01F 7/02
Метки: магнитная
Опубликовано: 23.11.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1524097-magnitnaya-sistema.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитная система</a>
Устройство распределения тока между двумя полупроводниковыми вентилями, включенными в параллельные цепи
Номер патента: 1092676
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Иванов, Короткин, Уржумсков, Юнусов
МПК: H02M 1/00
Метки: вентилями, включенными, двумя, между, параллельные, полупроводниковыми, распределения, цепи
...тем, что в устройстве распределения тока между двумя полупроводниковыми вентилями, включенными в параллельные цепи, содержащем двухобмоточный магнитосвязанный реактор, каждая из обмоток которого включена последовательно с соответствующим вентилем, и два входных выводы, причем свободные одноименные выводы силовых электродов вентилей объединены, образуя первый входной вывод, реактор снабжен дополнительной обмоткой, в устройство дополнительно введены интегратор, пороговый элемент, блок выдачи сигнала нарушения распределения токов, блок защиты и блок индикации, причем концы дополнительнойобмотки реактора соединены с входоминтегратора, выход которого черезпороговый элемент соединен с одним из входов блока выдачи сигнала нарушения...
Формная пластина для изготовления печатной формы прямой плоской печати
Номер патента: 1050905
Опубликовано: 30.10.1983
Авторы: Гаврилюк, Карплюк, Опря
МПК: B41N 1/08
Метки: печати, печатной, пластина, плоской, прямой, формная, формы
...и гидрофильного слоев,г последовательно нанесенных на подложку, в качестве гидрофильного слоя содержит полиуретан, полученный на основе олигооксиэтиленгликоля молекулярной массы 3000-5000, полиизоцианата общей Формулы В(ИСО)п, где п)2, и,органического растворителя, взятых при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Олигооксиэтилен-гликоль мол.массы3000-5000 100Полиизоцианат 15-30 Органическийрастворитель 1000-1200 В качестве подложки используют алюминий зернистый, жесть белую электролитического лужения, жесть черную холоднокатанную или другие марки листовых металлов толщиной до 0,3 мм.В качестве упругоэластичного слоя применяют полиуретановый эластомер, натуральный каучук, полихлоропрен, бутадиен-нитрильный каучук или...
Способ градуировки пьезодатчика силы, содержащего два пьезоэлемента, установленных между двумя силопередающими пластинами
Номер патента: 1103102
Опубликовано: 15.07.1984
МПК: G01L 27/00
Метки: градуировки, два, двумя, между, пластинами, пьезодатчика, пьезоэлемента, силопередающими, силы, содержащего, установленных
...установки, где он постоянно эксплуатируется, и поместить в специальную установку, предназначенную для градуировки.Наиболее близким по техническойсущности и достигаемому эффекту к предлагаемому является способ градуировки датчиков путем электрического возбуждения одного пьезопреобразователя датчика давления и измерения напряжения на выходе второго преобразователя датчика давления 2.Известный способ не дает возможности градуировать датчик непосредственно на объекте.Целью изобретения - обеспечение градуировки пьезодатчика непосредственно на объекте.Поставленная цель достигается тем, что при градуировке пьезодатчика силы, содержащего два пьезоэлемента, установленных между двумя силопередЖщимн пластинами,.путем подачи на него...
Способ электромагнитного моделирования двухмерных физических полей
Номер патента: 195653
Опубликовано: 01.01.1967
Метки: двухмерных, моделирования, полей, физических, электромагнитного
...быть пропорциональны магнитным потокам через соответственные 20 участки поверхности пластин, ограниченнойконтуром. Электродом, отводящим общий ток, служит проводящий слой, покрывающий внешнюо часть пластины.Квазстацио 5 арное электрическое поле в 25 электролите будет служить математической модельо искомого магнитного поля, и электрический потенциал на погруженной в электролит поверхности пластины явится аналогом магнитного потенциала. Измерив его значения ЗО в центрах ячеек сетки, где влиянием дискрет10 Предмет изобретения Составитель Е. В, Тимохина Редактор Л. А. Утехина Техреду Т. П. Курилко Корректорн Г. И. Плешакова и Н. И, БыстроваЗаказ 1678/13 Тираж 535 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...
Объектив с двумя значениями фокусного расстояния
Номер патента: 277306
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Муратов, Слюсарева, Толкачева
МПК: G02B 15/10
Метки: двумя, значениями, объектив, расстояния, фокусного
...компоненты, образующие систему с конечным фокусным расстоянием, выполнены из одиночных положительной и отрицательной и двух отрицательных линз соответственно.На чертеже представлена принципиальная оптическая схема предлагаемого объектива.Объектив состоит из двух неподвижнык внешних 1 и 2, положительного 3 и отрицательного 4 компонентов, включаемых внутрь светосильного объектива, имеющего меньшее фокусное расстояние чем у телеобъектива, который получается после включения дополнительной системы. Оптическая сила положительного компонента 3 дополнительной системы по абсолютной величине меньше оптической силы отрицательного компонента 4. Светильный объектив содержит линзы б - 1.Фокусное расстояние его 300 м.ц, свободное отверстие...
Предыдущий патент: Длинномерное гибкое изделие со средством защиты от механических повреждений
Следующий патент: Способ предварительной электромагнитной обработки крупногабаритной детали перед сваркой и устройство для его осуществления
Случайный патент: Вертикальный кривошипный пресс двойного действия