Флуоресцирующий экран для визуализации электронного зонда

ТСНИ х ОЦИАЛИ СПУБЛ БО,9764 00, В 32 В 5/16 4 ВСЕСОЕСЕ ЙПАТЕНТНЬ; БИБЛГо О ЕНИЯ ЬСТВУ У 8 етодам ный ана о Кодокаей ич А.В.ые свойкрис ев: Ити тн аблю- прилюмимальнаядаетсямесей в1 О ма кн.: полу рн введении концентрации .7 1 э.п. ф зовалентнь5 10 -5" ени о В 198-лы, 2 табл. кроаналиэе.повышение зф ектронно-эондово Цель изобретени тивно свечения.изобретения о стоит в истодолюмино - поверхноснос ьзован а, явл в качестве к егося рабоче кристалла се ой примесью алла, должны абильностьнида цинка елпура или тью экрана, с изовалент ак следствиенфигурации магния. Одним из ости работы бнаружень затора лектрон ОСУДАРСТВЕНКЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР К А ВТОРСКОМУ СВИД(56) Недеогло Д.Д., СимашкеЭлектрические и люминесцентства селенида цинка. - Кишица, 1984, с. 150.Рыжиков В.Д. и др. О принесценции кристаллов А Вн Юфизика и техническое применпроводников А В : Дохл. 5-ги в,юзн. совещания. - Вильнюс,с. 76-78. зо ретение относится к методам локального рентгеноспектрального анализа и может быть использовано в овных условии надемрентгеновского микроанаяется правильная настройого зонда: проверка форго сечения и местоположения зо(54) фЛУОРЕСЦИРУЮщий ЭКРАН Д ЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОННОГО ЗОНДА (57) Изобретение относится к локального рентгеноспйктраль лиза и может быть использова электронно-эондовом микроанал Цель изобретения - повышение тивности свечения. В качеств люминофора, являкцегося рабо верхностью экрана, использую талл селенида цинка с изовал примесью теллура ипи магния. интенсивность свечени да. Для визуализации электронногозонда в рентгеноспектральных исследованиях необходим кристалл, флуоресцентные свойства которого должныобеспечить четкое иэображение электронного зонда с ярко очерченными границами, а электрические свойства(проводимость), от которых зависитчокалиэация электронного пучка на по верхности данного кристгарантировать высокую стока на поверхности и,постоянство яркости и ксветового пятна.Экспериментально был ысокие катодолюминесцентные своиста селенида цинка, активированногоизоналентными примесями теллуром нлимагнием. Исследования были проведенына рентгеновском микроаналнзатореМАРпри ускоряющем напряжении 25 кВ 5и токе 1 О А,-бВ табл. 1 приведены усредненныезначения яркости свечения катодолюминесценции для кристаллов селенидацинка, активированных изовалентными 1 Опримесями (Те, 11 д), кристаллов флюорита с напыленной пленкой, а такжекристаллов 2 пБ(Ац), считающихся в настоящее время одними из лучших катодолюминофоров для флуоресцирующих 15экранов.Из таблицы видно, что катодолюминофоры на основе селенида цинка активированные изовалентными примесями, по своим флюоресцентным свойствам сильно отличаются от традиционных люминофоров типа флюорита, атакже от катодолюминофоров на основесульфида цинка (ЕпЯ(Ад. Яркостисвечения кристаллов псе(Те, 11 ц) нат) 25несколько порядков величины превосходят яркость свечения флюорита и2 пБ(Ая). Эффект значительного повышения эффективности катодолюминесценции в селениде цинка, активированном изовалентными примесями теллураили магния, предположительно можнообъяснить следующим образом. Известно,. что центрами люминесценции в соединениях А В , в основном, являются З 5и чкомплексы с участием точечных дефектов решетки, В зависимости от структуры комплексов они могут быть цент-.рами как излучательной, так и безизлучательной рекомбинации. Отличительной особенностью селенида цинка являяется способность быстрого самозалечивания" дефектов решетки, образующихся под действием бомбардировкибыстрыми электронами. Вследствие этого явления эфФекты, сопутствующие образованию таких дефектов ( в частности, катодолюминесценция) наблюдаются только при низких температурах,выше 150 К они исчезают, В обычньмусловиях (300 К) одновременно происходит процесс генерации и аннигиляции дефектов, причем скорость протекания последнего может составлятьединицы наносекунд.55По-видимому, введение в ЕпБе изовалентного активатора обеспечиваетсоздание стабильных комплексов, являющихся центрами излучения, а влияние центров гашения при этом ничтожно мало вследствие их малого времени жизни в 2 пЯе, легированном изовапентным активатором.Максимальная интенсивность катодолюминесценции наблюдается при концентрации ияовапентной примеси 5 1 О 5 10 мас.Я.Результаты экспериментов приведены в табл, 2.Из табл. 2 следует, что при концентрациях примеси менее 5 -1 О мас,7. н более 5 10 мас.7. интенсивность свечения катодолюминофора становится сравнимой с интенсивностью свечения известных катодолюминофоров (см. табл, 1) .Таким образом, по сравнению с люминофором 7 пБ(Ад) применение селенида цинка, активированного изовалентными примесями (теллуром или магнием) позволяет повысить яркость свечения экрана,а также точность юстировки прибора за счет четкой фиксации пятна и хорошей проводимости. Это обстоятельство является важным в случае работы с мальки токами (при анализе легкоплавких веществ, при изучении химических сдвигов рентгеновских линий), т.е. во всех тех случаях,гд требуется повышенная точность. Кром того, при использовании подобных эь ранов упрощается проведение экспери мента, повышается его экспрессность,Флуоресцнрующий экран универсален, сравнительно прост в изготовлении (в качестве исходного материала могут быть использованы отходы промышленного производства селенида цинка) и может с успехом применяться в рентгеноспектральных исследованиях.Формул а изобретения1. Флуоресцирующий экран для визуализации электронного зонда, состоящий из подложки и рабочего слоя, выполненного из катодолюминофора соединения типа А Вс примесью металла.Ц Мо т л и ч а ю щ и й с я тем, что, целью повышения эффективности свечения, рабочий слой выполнен иэ кристалла селенида цинка с изовалентнойпримесью теллура или магния.2. Экран по п,1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что изовалентная при-г месь введена в количестве 5 О 5 10 мас.Х.497640 Таблица 1 Ток Интенсивность Интенсивность каКонцентрация акОбразцы тодолюминесценции,имп/с тиватора,мас.7 дающих частиц, имп/с Таблица 2 Концентрацияиэовалентнойпримеси, мас.Е 10 5 10 3 1 О 1 О 5 1 О Интенсивность катодолюминесценции, имп/с 10 2 10 2;5 1 О 6 10 5 10 10 Составитель А.Колесников Редактор Т.Лазоренко Техред И,Дидык Корректор М. ВасильеваЗаказ 4448/50 Тираж 370 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 флюорит