Способ контроля электрических параметров микросхем

СОЮЗ СОВЕтСНИХсоциАлистичеснихРЕСПУБЛИК 19) 01 5 О 01 В 31/2 151 УДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ зОБРетениям и ОтнРытия ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 24 Бюл. 11 10ов и В,И,Пасечник799 (088,8)е свидетельство СССРН 05 К 13/08, 1977.свидетельство СССРН 05 К 13/08, 1984.(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение каса электрических парамет Цель изобретения - по водительности и досто ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ тся контроля ов микросхем ьппение произ ерности конт Изобретение относитслектронике, в частност кро роизводмикросхем. ль изобрет эводительности и роля электрических схем при заданной щественно при повьш На фиг.1 предст зации предлагаемог фиг.2 - график рас ратур по толщине к На фиг.1 принят начения; корпус 1 ды 2 и 3; кристалл Выдержка при эа ре определяется те ки. Теоретически з ния температуры по 1 микросхемы в рае обоз- вывопусе изменяется п = КХ с углом нак т.е. в зоне расп процесс приближа ационарного режим зако она ф 6ния в ко рямой У Фиг,2), ристалл анной температунологией проверкон распределетолщине корпуса мотренных условиожения ся к уси поэво" виям ст(21) 4199091 (22) 24.02.8 (46) 15,03.8 (72) Л.Н.Пет (53) 621,317 (56) Авторск 11 668112, клАвторское 9 1241540, к я - повышение продостоверности конт параметров микро- температуре,преиму енной.авлена схема реали о способа; . на пределения темпеорпуса.следуюшимикросхемы роля, На одну сторону корпуса испытуемой микросхемы подают тепловой поток от источника с температурой поорядка 150 Г, Контролируют температуру противоположной поверхности корпуса и по достижении ею заданного знаочения, например 95 Г, прекращают подачу теплового потока от источника. После этого подводят тепловой поток к выводам микросхемы и поддерживают их температуру постоянной, например 125 С, в течение времени контроля, В этих условиях измеряют электрические параметры микросхемы и контролируют их величину по сравнению с эталоном.2 ил,ях при нестационарном режиме в общем виде выражается Функцией от безразмерных комплексов чисел Фурье и на графике имеет вид кривой, изображенной на фиг.2, где 1, - температура источника тепла Ц подводимого к плоскости "а" микросхемы; 1 - температура плоскости "а"; 1 - тем" пература кристалла 4 и окружающей его зоны корпуса; 1 д - температура плоскости нбн которую контролируют (фиг.1); С - температура окружающей среды. Температура в зоне расположения кристалла в пределах ф 05 мм от его номинального положеляет прогнозировать аккумулированное в зоне кристалла тепло и температуру, достигаемую окружающими его слоями корпуса. Вмонтировав в зону расположения кристалла микросхемы датчик или использовав для этих целей р-и переход самой микросхемы (в качестве датчика), можно составить таблицу оптимальных температур для разных режимов контроля ИГ при раз личных температурах, С достаточной для практического использования точностью (по результатам статистического анализа микросхем в корпусе ДИП) было установлено, что при темо пературе нагревателя 150 С и задаваео мой температуре кристалла 125 Г темо пература кбнтроля должна быть 95 Г.Нагрев кристалла микросхемы от ее выводов потоком тепла Р, (фиг.1) можно осуществлять любым известным способом; контактным от нагревателя, помещением выводов микросхемы в вы- , сокочастотнае электрическое поле и наведением в них вихревых токов (в этом случае выводы необходимо закоротить). Можно передавать тепло,воздействуя на выводы потоком лучистой энергии, когерентным излучением ла-зера и т,д. Для передачи тепла Р, (фиг.1) корпусу можно использовать указанные способы, а также нагревнаправленным потоком теплоносителя.Способ характеризуется высокой производительностью и достоверностью, так как при подводе тепла к однойстороне корпуса и контроле температуры его противоположной стороны достигается гарантия того, что тепловой поток проходит через всю толщукорпуса и достигает его противополож. ной стороны, аккумулировав в зоне размещения кристалла определенную часть тепловой энергии. Температуру нагрева в зоне кристалла в этом случае можно определить как градиенттемпературы по толщине корпуса. Кроме того, использование предлагаемого способа позволяет после прогрева50 роля. 5 10 15 20 25 ЭО ЗБ 40 45 корпуса ИС довольно быстро нагретькристалл микросхемы до заданной температуры, так как тепло к нему подводят через соединенные с ним металлические выводы микросхемы, являющиеся хорошим проводником. Корпусмикросхемы является хорошим изолятором и предварительно нагревается,поэтому потери тепла от выводов икристалла внутри корпуса незначительны и температура кристалла практически сразу достигает температуры нагревателя. Таким образом, появляетсявозможность контролировать температуру кристалла по температуре выводов микросхемы или нагревателя и принеобходимости выдерживать его приэтой температуре заданное время. Формула изобретения Способ контроля электрических параметров микросхем, заключающийся в том, что испытуемую микросхему подвергают нагреву путем подведения тепла к одной поверхности ее корпуса, выдерживают испытуемую микросхему под нагревом, подают на испытуемую микросхему напряжение литания и входное тестовое воздействие, измеряют электрические параметры микросхемы и контролируют их величину по сравнению с эталоном, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности и достоверности контроля в процессе нагрева, контролируют температуру поверхности корпуса микросхемы, являющейся противоположной по отношению к нагреваемой поверхности, тепловой поток к поверхности корпуса микросхемы подводят до момента достижения контролируемой температурой заданного значения, после чего подводят тепловой поток к выводам микросхемы и поддерживают их температуру постоянной в течение временного интервала конт1465835Составитель В. Степ анкин Редактор С.Лисина Техред Л.Олийнык Корректор М.Шарошиакаэ 942/47 Тиран 711 Подписное НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Уагород, ул. Гагарина,