Аналоговое запоминающее устройство

(51)4 С1 С 27/00 г:.е и ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЪСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Куйбышевский политехнический институт им. В.В, Куйбышева(56) Хоровиц П. и др, Искусство схемотехники, т. 1.М.: Мир, 1983,с.397.Алексеенко А.Г. и др. Применениепрецизионных аналоговых микросхем.М.: Радио и связь, 1985, с. 165,р.5.9 б,(54) АНАПОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕВ УСТРОЙСТВО(57) Изобретение относится к техникеаналоговых запоминающих устройств иможет быть использовано в качествесхемы выборки-хранения в устройствахсбора данных для микропроцессорных ЯО 1451228 А 1 систем. Целью изобретения являетсяповышение точности устройства. Поставленная цель осуществляется путемуменьшения и стабилизации погрешности коммутации, для чего к затворуполевого транзистора 2 подключаетсятоковый инвертор 4, стабипьный токкоторого обеспечивает постоянное падение напряжения на токозадакщемэлементе 8, включенном между затвором и истоком полевого транзистора.Это обеспечивает стабильность и независимость коммутационной ошибкиот величины входного напряжения, Устройство содержит операционный усилитель, первый ключевой элемент 2 наполевом транзисторе с р-и - переходом, элемент 3 памяти на конденсаторе, токовый инвертор 4, второй ключевой элемент 7, токозадакицие элементы 8, 9 на резисторах. 1 ил.Изобретение относится к технике аналоговых запоминающих устройств и может быть использовано в качестве схемы выборки-хранения в устройствах5 сбора данных для микропроцессорных систем,Цель изобретения - повышение точ" ности, устройства.На чертеже представлена принципи О альная схема устройства.Устройство содержит операционный усилитель 1, первый ключевой элемент 2 на транзисторе, выполненном и-канальным с р - п-переходом, элемент 3 15 памяти на конденсаторе, токовый отражатель 4, выполненный на двух биполярных транзисторах 5 и 6, может быть выполнен на транзисторе, второй ключевой элемент 7, первьгй и второй то О козадающие элементы 8 и 9 на резисторах., Отражатель 4 может быть построен на любой элементной базе (полевых транзисторах, специальных усилителях 25 и т.д.). При использовании в качестве элемента 2 р-канального ПТ с р - и-переходом следует в отражателе 4 использовать транзистор р - и - р и изменить полярность шин питания устройства. В качестве элемента 2 можно использовать ПТ с изолированным затвором.Устройство работает следующим об" разом.35В режиме выборки присутствует сигнал Цна истоке транзистора 2. При разомкнутом элементе 7 ток 1через токозадающий элемент 9 отсутствует, соотВетстВенно ток 1 1 на перВом Вы 4 О ходе отражателя 4 равен нулю, Потенциал затвора транзистора 2 равен потенциалу истока, транзистор 2 открыт, обеспечивая заряд элемента 3 до напряжения Б 6 В режиме хранения при 45 замыкании элемента 7 через элемент 8 протекает ток 1. В случае идентичности транзистора 5 и б, которую легко обеспечить при изготовлении схемы токового отражателя 4 по интегральной5 О технологии, ток 1 вызывает в коллек-. торе транзистора 5 ток 1 1 = 1, который не зависит от напряжения входного сигнала Б . Ток 1представляет собой ток, текущий через элемент 8.Величина элемента 8 (К,) выбирается55 таким образом, чтобы 1, К,7 Б , где Ц- напряжение отсечки гранзистора 2. В результате потенциал затвора,транзистора 2 становится меньше потенциала истока на Величину падения напряжения на элементе 8, транзистор 2 закрывается, Величина падения напряжения на элементе 8 является величиной постоянной, поскольку определяется стабильным током 1, =1 .Имеющую место в устройстве стабильную и небольшую по величинекоммутационную ошибку (постоянную аддитивную .систематическую погрешность) легко можно компенсировать соответствующей регулировкой напряжения смещения нуля операционного усилителя 1.Предлагаемое устройство имеет повышенную температурную стабильность цепи управления за счет применения токового отражателя 4, в котором коллектор и база транзистора 6 соединены вместе, так как эмиттерный р - и- переход данного транзистора выполняет роль термостабилизирующего полу. проводникового диода.1Формула изобретения Аналоговое запоминающее устройство, содержащее операционный усилитель, первый и второй ключевые элементы на транзисторах, элемент Памяти на конденсаторе, стабилизирующий эле мент, первый токозадающий элемент на резисторе, первый вывод которого подключен к затвору транзистора первого ключевого элемента, исток которого является информационным входом устройства, а сток подключен к неин" вертирующему входу операционного усилителя и первой обкладке конденсатора элемента памяти,. вторая обкладка которого подключена к шине нулевого потенциала устройства, инвертирующий вход операционного усилителя подключен к его выходу и является информационным выходом устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности,в него введены второй токозадающий элемент, а стабилизирующий элемент выполнен в виде токового отражателя, вход которого подключен к первому выводу резистрра второго токозадающего элемента, второй вывод которого подключен к выходу второго ключевого элемента, вход которого подключен к первой шине питания устройства, первый выход токового отражателя подключен к второй шине питания устройства, а второй выход подключен к первому3 14517784выводу резистора первого токозадаю- подключен к информационному входущего элемента, второй вывод которого устройства. Составитель А. ЕршоваТехред Л.Олийнык Корректор Л. Батай Редактор Е. Копча Производственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Заказ 7086/51 Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб , д. 4/5