Генератор импульсов

, социдлистическихРЕСПУБЛИК 03 К 30 ТЕНИЯ 8)тельство СССР К 3/02, 1983. ЬСО тносится к т быть испо ратора импу отой следов обретения -пуль с н повыост стоты следов ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО изОБРетениям и ОтнРытияРи гннт сссР ОПИСАНИЕ И ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретениеной технике и можно в качестве генсо стабильной часимпульсов. Цель изшение стабильн 80145008 ния импульсов. Генератор представляет собой мостовую схему с времязадаю щими конденсаторами 1, 2 в двух противоположных плечах и с времязадающими резисторами 3, 5 в двух других противоположных плечах. В соответствующие плечи мостовой схемы последовательно с времязадающими резисторами введены транзисторы 4 и 6 противоположных типов проводимости, подключенные коллекторами к времязадающим конденсаторам 1, 2 соответственно и охваченные перекрестными коллекторно-базовыми связями через резисторы 12 и 13 соответственно. 2 ил.Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора импульсовсо стабильной частотой следованияимпульсов.Цель изобретения - повышение стабильности частоты следования импульсов.На фиг, 1 изображена принципиальная электрическая схема генератораимпульсов; на фиг. 2 - временные,диаграммы его работы,Генератор выполнен по мостовойсхеме, в двух противоположных плечах которой включены времязадающиеконденсаторы 1 и 2, а в двух других,противоположных плечах - последовательно соединенные времязадающий резистор 3(5) и транзистор 4(6) соответственно, прччем транзисторыи(6 - противоположных типов проводимости.Питание мостовой схемы осуществляется от шины 7 через резистор 8,а выходом служит выходная. шина 9.В диагональ мостовой схемы подключены соединенные эмиттерами транзисторы 10 и 11 противоположных типов проводимости, причем база транзистора10 обратного типа проводимости подключена к коллектору транзисторовпрямого типа проводимости, эмиттеркоторого соединен через резистор 5с выходной шиной 9, а база транзистора 11 прямого типа проводимостиподключена к коллектору транзистора4 обратного типа проводимости, эмиттер которого через резистор 3 подключен к общей шине. База транзистора 4через резистор 12 подключена к точкесоединения конденсатора 1 и коллектора транзистора 6, подключенногобазой через резистор 13 к точке соединения конденсатора 2 и коллекторатранзистора 4. База транзистора 11через резистор 14 соединена с коллектором транзистора 6, Коллектор транзистора 11 через прямовключенный диод 15 связан с общей шиной, к которой подсоединены также конденсатор1 и резистор 3. Коллектор транзистора 10 через прямовключенный диод 16связан с выходной шиной 9 и резисто"ром 8.Генератор импульсов работает сле-дующим образом..При включении питания начинаетсязаряд конденсаторов 2 и 1 по цепи: шина 7 питания, резистор 8, конденсатор 2, резистор 14, конденсатор 1, общая шина. По мере заряда конденсаторов 1 и 2 ток через резистор 14 уменьшается, а напряжения на эмиттерных переходах транзисторов 4 и 6 увеличиваются, что приводит к открыванию транзисторов 4 и 6, токи коллекторов которых начинают заряжать конденсаторы 2 и 1 более интенсивно, чем через резистор 14. По мере возрастания напряжения на конденсаторах 1 и 2 увеличиваются токи коллекторов транзисторов 4 и 6, поэтому заряд конденсаторов происходит возрастающими токами, вследствие чего напряжение на конденсаторах 1 и 2 возрастает по экспоненте с положительным показателем степени, что обеспечивает возрастание скорости изменения напряжения на конденсаторах, Когда напряжение на конденсаторах превысит половину напряжения источника питания, эмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 будут смещены в прямом направлении и транзисторы 10 и 11 откроются. Это приводит к некоторому уменьшению напряжения на выходной шине 9, а следовательно, к еще большему открыванию транзисторов 10 и 11. Таким образом, возникает лавинообразный процесс открывания транзисторов 10 и 11, который заканчивается насыщением обоих транзисторов за счет токов разряца конденсаторов 1 и 2, на шине 9 формируется передний фронт отрицательного импульса.Конденсаторы 1 и 2 разряжаются через насыщенные транзисторы 10 и 11 и диоды 16 и 15. Уменьшение токов разряда конденсаторов приводит к переходу транзисторов 10 и 11 сначала в линейную область работы, а затем к лавинообразному закрыванию, Уменьшение напряжения на конденсаторах 1 и 2 приводит также к закрыванию транзисторов 4 и 6.После закрывания всех транзисторов начинается новый цикл заряда конденсаторов 1 и 2. В дальнейшем процессы в генераторе импульсов повторяются.В рассматриваемом генераторе импульсов конденсаторы заряжаются возрастающим током, напряжения на них возрастают по экспоненте с положительным показателем степени (фиг,2), 1450082поэтому в момент открывания транзисторов 10 и 11 скорость возрастаниянапряжения на конденсаторах во многораз выше, чем у известного устройства, поэтому изменения порогового напряжения открывания транзисторов от температуры меньше влияют на время заряда конденсаторов в паузе между импульсами, что повышает стабильностьчастоты следования импульсов, Влияние остаточного напряжения на конденсаторах компенсируется включениемдиодов 15 и 16. Длительность импульса незначительна по сравнению с длительностью паузы и существенного влияния на частоту не оказывает. Формула изобретенияГенератор импульсов, выполненный по мостовой схеме, содержащий в двух противоположных плечах времязадающие конденсаторы, а в двух других проти" воположных плечах - времязадающие резисторы, причем точка соединения 2 б первого конденсатора и первого время- . задающего резистора подключена к общей шине, а к точке соединения второго конденсатора и второго времязадающего резистора подключены выходнаяшина и через третий резистор - шинапитания, последовательно соединенныепервый прямосмещенный диод, первыйи второй соединенные эмиттерами транзисторы противоположных типов прово"димости и второй прямосмещенный диодв первой диагонали мостовой схемы,связанной с выходной шиной, причембазы первого и второго транзисторовподключены к соответствующим выводамвремязадающих конденсаторов так, чтопоследовательно включенные базоэмит,терные переходы образуют вторую диагональ мостовой схемы, о т л и ч а -ю щ и й с я тем, что, с целью повы -шепия стабильности частоты следования импульсов, введены третий и четвертый транзисторы противоположныхтипов проводимости, четвертый резистор, подключенный параллельно базоэмиттерным переходам первого и второго транзисторов, пятый и шестойрезисторы, причем третий и четвертыйтранзисторы подключены последовательно с времязадающими резисторами иохвачены коллекторными базовыми связями через пятый и шестой резисторы.