Кристаллизатор для непрерывной разливки металла

Номер патента: 2002561

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Лоза

МПК: B22D 11/12

Метки: заготовок, литья, непрерывного, поддерживающее, слябовой

...граней, а наличие наплавленного слоя определенной толщины гарантирует жесткость положения заготовки и недопустимость ее бокового смещения. Выполнение ограничителя в виде наплавки обеспечивает одновременно прочность крепления ограничителя, технологичность процесса подготовки роликов, возможность создания ограничителя любой формы и заданных материалов, возможность использования любых, в том числе изношенных, но наплавленных роликов и компактность рабочих узлов в пространстве роликовых секций ручья МНЛЗ,Выбор высоты утолщения наплавляемого слоя определяется из следующих соображений, Нижняя граница 0,03Р определяет условие невозможности выхода грани заготовки за пределы ограничителя. Ребро узкой грани имеет определенный рвдиус кривизны....

Номер патента: 900951

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Каверин, Клявин, Трахтенберг, Якубович

МПК: B22D 11/124

Метки: кристаллизатор, литье, непрерывном, охлаждения, слитка, электромагнитный

...кристаллизатор, З 0необходимо обеспечить положение фрнтакристаллизации на поверхности слитка в пре делах высоты индуктора, Это условие играетважную роль для устойчивого формированиякачественной поверхности слитка, Поэтомуинтенсивность охлаждения на уровне верхнегопояса выбирают так, чтобы температура поверхности слитка в пределах высоты индукто.ра находилась в диапазоне 500 - 630 С, т,е.температуры солидуса деформируемых алюми 40ниевых сплавов, Экспериментально установлено, что интенсивность охлаждения в верхнемпоясе для выполнения этого условия должнабыть не менее 20 15 вт/м, Снижение температуры поверхности слитка до 70-100 С на15уровне нижнего пояса охлаждения достигаетсяувеличением интенсивности охлаждения на уровне нижнего пояса до...

Номер патента: 994106

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Брока, Клявин, Позняк, Черепок, Якубович

МПК: B22D 11/00

Метки: кристаллизатор, литье, непрерывном, охлаждения, слитка, электромагнитный

...охлаждения книжнему увеличивают со скоростью (25)10 Вт/м мм, а температуру поверхности снюкают со скоростью (5-15) СЛ 4 м.П р и м е р. По предлагаемому способу производят охлаждение плоского слитка3001300 мм из сплава Д 16, отливае 2 о мого со скоростью 85 ммlмин в электро, магнитный кристаллизатор с двумя поясами охлаждения, расстояние между которыми 25 мм. Подача воды на слиток в верхнем поясе осуществляется под прямымй 4Таким образом, реализация предложенного способа охлаждения позволяет в промышленных масштабах обеспечить освоение технологии непрерывного литья в электромагнитный кристаллизатор мадо- пластичных алюминиевых сплавов пригарантированйом., качестве,макроструктуры и уровня механических свойств. Формула изобретения...

Номер патента: 429573

Опубликовано: 25.05.1974

Автор: Иностранец

МПК: B22D 11/04

Метки: кристаллизатор, непрерывной, разливкиметаллов

...выпуклые широкие внутренние стенки 3, прямолинейные узкие стенки 4 и водоохлаждаемый корпус 5. Затвердевающий слиток вытягивают из кристаллизатора с помощью тянущих роликов б, которые располагают только по узким граням слитка 7. Выпрямление слитка осуществляют5 ролики 8.Узкие стенки 4 кристаллизатора в местахстыка с широкими стенками 3 снабжены срезами 9, выполненными под углом 90 к ним, Широкие выпуклые стенки в местах стыка с 10 узкими снабжены срезами 10, перпендикулярными к поперечной оси кристаллизатора. Такая конструкция кристаллизатора обеспечивает необходимую форму слитка, предотвращающую его раздутие.15 Выходящий из кристаллизатора слитокпредставляет собой затвердевшую оболочку 11 и жидкую сердцевину 12, причем его узкие...

Номер патента: 593813

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Гусев, Карлик, Колпаков, Краснов, Поживанов, Смирнов, Туркин, Успенский

МПК: B22D 11/16

Метки: металла, непрерывной, охлаждения, разливки, слитка, установке

...стенки кристаллизатора от заданного значения сигнал с выхода алгебраического сумматора 4 проходит на задатчик 2регулятора 1 расхода воды соответствующейграни и изменяет расход так, чтобы компенсировать возникшее отклонение тепловогопотока от соответствующей стенки кристалдизатора,ЗО Е =1,2,3,4где Ь - расход охлаждающей воды поЕ -ой грани в И -ой секциизоны вторичного охлаждения;У скорость везтягиванияЦд - заданный (расчетный) теплоотвод от . -ой стенки кристалди-.затора;Я - текущий теплоотвод от -ойстенки кристаллизатора;ХпК - коэффициенты пропорциональности для .1 Е-ой секции зоны вторичного охлаждения;45Лъ - число секций вторичного охлаждения,На чертеже приведена принципиальнаясхема устройства, реализующего предлагаемый...