Щелевая экранированная линия

Номер патента: 1399173

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Алексеев, Алхов, Бондаренко, Меркулов

МПК: B30B 11/12

Метки: автоматической, линии, металлических, порошков, преимущественно, ротор, роторно-конвейерной

...(ИГ; (:):(, ( С ЦОДВИЖ)ЫЫИц) ц,);))( )0); ц .)( Иицднцжц.)л)и 12 ворон)и)с,)и,)и (,ц,)р, +,и ц,) Од;);)бане 1( устыцц) 3(н )30,)( сц) кц,),)ск Гор 3 дл 5 посто. :(ц цц )ц ),.;) (,к;)ц, нцз.)ухы В цлость ),ыц );))цси ) ри иц,)цо 0 нГ), 1 и)л )ри ц.)рдбцы ( установлен сетчатый );3ц) Иик 4, )( с;кцтцрц о сОВмс)псце) с ц) цс)"ВИОЛНВНН(1 м В )рц)ОД)ц 33(3, )у 1, ( нц ГИ 55 3 е)сз ГГ)ки(. укд; (1 (ч о(Г с лиг);(ми дцзирГ)В;и 5 6 л;) к.ц, л (,(Ирц(3ц)3) 6 выолцсц в и,(с б),1 цк;. ,и ция, сцтц)3(це)0 из Нилин )ри)ескц ц кцусд 17 с сетч)3 тцй ц;)се);)- ко)3 18, нц. Г) 3: ц)ОГО л стано)31 е ц одрл жИЦЕЦЦЫИ К .,( , еЦ ШПКОМ 2((, КОН ГЫКтирук 3) ч (, лц , )( чы;)ылсция с дццыц)кцчц)ссс ,ц цо)л) сцт)3 7. ЬО)л ( уот;(НОВ,)ец о ", ) ), . )Ы( Кд 5 С...

Номер патента: 1583998

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Неганов, Порубов

МПК: H01P 3/08

Метки: линия, щелевая, экранированная

...замедляющую структуру, выполненную в виде гибкой гофрированной пластины 5, снабженной механизмом 6 сжатия и растяжения.Щелевая экранированная линия работает следующим образом.Внутри замкнутого экрана 4, часть которого выполнена в виде гибкой гофрированной пластины 5, снабженного металлическими проводниками 1 и 2, разделенными щелью 3, может распространяться электромагнитная волна. Структура этой волны зависит от степени сжатия или растяжения гибкой гофрированной пластины 5 и описывается через параметр т 1=(2 д/)1 дИ, где й - волновой вектор; Ь - глубина; д - ширина;1. - пер иод гофр а.Если параметр Ч стремится к нулю, то в щелевой экранированной линии распространяется квази-Но-волна, свойственная волноводно-щелевой линии в отсутствие...

Номер патента: 1099337

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Коровкин, Скрежендевский, Цыганкова

МПК: H01P 3/08

Метки: линий, микрополосковой, скрещивание, щелевой

...диэлек-,трическую подложку, на одной сторонекоторой нанесен токонесущий проводник, а на другой - за.земляющее основание, в котором выполнена щель, щельв зоне перекрытия токонесущего проводника выполнена в форме полуволновой петли, плечи которой параллельныи расположены симметрично относительно продольной оси токонесущего проводника, при этом ширина И токонесущего проводника, ширина 5 щели и расстояние д между плечами связаны соотношением 58 ( дХ,На чертеже показано скрещивание 50микрополосковой и щелевойлиний.Скрещивание микрополосковой и щелевой линий содержит диэлектрическуюподложку 1, на одной стороне которой нанесен токонесущий проводник 2, ана другой - заземляющее основание 3,в котором выполнена щель 4. Шель 4 взоне перекрытия...

Номер патента: 189042

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G01R 29/08

Метки: дисперсии, замедляющих, структур

...перемещения зондов вдоль замедляющей структуры.11 редлагаемое устройство отличается тем, что сигнал с выхода генератора подается на замедляющую структуру через параллельно включенные ферритовые фазовращатели, подмагничивающие обмотки которых соединены с генератором пилообразного напряжения, а два измерительных зонда укреплены неподвижно над замедляющей структурой один от другого на расстоянии, кратном периоду структуры измеряемой волны, причем их выходы через селсктивные усилители соединены с фазометром,Это позволяет ускорить процесс измерения и исключить подвижные механизмы.На чертеже изображено предлагаемое устройство,Сигнал с СВ 4 генератора 1 через разветвитель 2, ферритовые фазовраща и возбуждающие зонды 4 поступает едляющую...

Номер патента: 852123

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Лавринович, Мышенко, Смирнова, Черпак

МПК: H01S 1/02

Метки: бегущей, волны, квантовый, парамагнитный, усилитель

...предлагаемого КПУ БВ; на фиг. 2 - схема магнитных силовых линий в замедляющей структуре с невзаимным элементом; на фиг. 3 - схема магнитных силовых линий в замедляющей структуре с дополнительными ферритовыми пластинками; на фиг, 4 - график зависимости коэффициента усиления и полосы усиливаемых частот от величины неоднородности статического магнитного поля.Предлагаемый КПУ БВ содержит замедляющую структуру (см. фиг. 1), представляющую собой периодическую штыревую структуру 1, нагруженную активным кристаллом 2 и невзаимным элементом в виде ферритовой пластинки 3. Элементы 1, 2, 3 размещены на основании 4, которое вместе с крышкой,5 образует корпус замедляющей структуры. Замедляющая структура нагружена дополнительной ферритовой...