Амплитудный детектор

Изобретение относится к радиотех. нике и может быть использовано в радиоприемных устройствах.Цель изобретения - увеличение чувствительности.На фиг.1 приведена структурнаяэлектрическая схема амплитудного детектора; на фиг.2 - схема амплитудного детектора с регулируемым автоматическим смещением.Амплитудный детектор (фиг.1) содержит первый и второй транзисторы1 и 2, первый, второй и третий резисторы 3, 4 и 5, резистивный делитель6 напряжения и первый и второй кон,денсаторы 7 и 8.Амплитудный детектор, показанныйна фиг.2, содержит полевой транзистор 9, дополнительный конденсатор 10и дополнительный резистор 11.Амплитудный детектор работает следующим образом,Входной сигнал через второй конденсатор 8 поступает на базу первоготранзистора 1. Первый и второй транзисторы 1 и 2 включены по схеме собщим эмиттером. Второй транзистор 2выполняет функцию амплитудного детектирования, а первый транзистор 1функцию усиления и температурнойкомпенсации изменения порогового напряжения детектирования.Использование детектирующего второго транзистора 2 в режиме усиленияс учетом коэффициента усиления первого транзистора 1 по переменному токупозволяет иметь коэффициент передачиамплитудного детектора равным 4050 дб, что дает возможность детектировать, сигналы с амплитудой единицымилливольт.За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллекторе первого транзистора 1 и переходе база-эмиттер второго транзистора2 обеспечивается высокая стабильность чувствительности амплитудногодетектора при изменении температурыокружающей среды. Предложенная структура связи транзисторов позволяет обеспечить работоспособность амплитудного детектора вплоть до напряжений питания, близких к напряжению 1 В. Верхний предел питающего напряжения ограничивается максимально допустимым напряжением для транзисторов.З 5.формула изобретения 5, 10 15 20 25 30 40 45 50 55 Для расширения диапазона входных напряжений и сохранения при этом стабильности режима работы нижнее плечо резистивного делителя Ь напряжения может быть выполнено управляемым, например в виде полевого транзистора (фиг.2).Управляемое плечо делителя выполнено на полевом транзисторе 9, затвор которого через дополнительный резистор соединен с выходом детектора. Дополнительный конденсатор 1 О обеспечивает управление полевым транзистором 9 только по постоянному току еПри увеличении амплитуды несущей частоты входного сигнала уменьшается напряжение на коллекторе второго транзистора 2. Отфильтрованное цепью конденсатор 10 - резистор 11 это напряжение передается на затвор полевого транзистора 9, В результате омическое сопротивление канала полевого транзистора и амплитуда на входе (базе) второго транзистора 2 уменьшаются.Таким образом, амплитудный детектор обладает более высокой чувствительностью, стабильностью и сохраняет работоспособность при уменьшении напряжения питания до малых значений ( 1 В). 1Амплитудный детектор, содержащий первый транзистор, между коллектором и базой которого включен первый резистор, а эмиттер соединен с общей шиной, второй резистор, один из выводов которого подключен к шине питания, резистивный делитель напряжения, включенный между коллектором первого транзистора и общей шиной, второй транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к отводу резистинного делителя напряжения, третий резистор, включенный между шиной питания и коллектором второго транзистора, и конденсатор, включенный между общей шиной и коллектором второго транзистора, который является выходом амплитудного детектора, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью увеличения чувствительности, введен, второй конденсатор, один из выводов которого подключен к базе первого транэис141 Ргтрк Составитель А.ОсиповнТехред М.Ходанич Корректор С.Черни тор А.Лежнина аказ 4077/56 Тираж 928 ПодписиВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предпри гие, г, Ужгород, ул, Проектна тора, другой вывод второго конденсатора является входом амплитудногодетектора, а другой вывод второго резистора соединен с коллектором первого транзистора. 2. Детектор по п,1, о т л и ч а ю.щ и й с я тем, что резисторный эле 7 67мент реэистивного делителя напряжения,включенный между базой второго транзистора и общей шиной, выполнен в ви" 5де полевого транзистора, между затвором и общей шиной которого включендополнительный конденсатор, а междузатвором и коллектором второго транзистора - дополнительный резистор.