Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем

с ф НФ,Тг ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ тв Бюл. 9 30о, В.Д.Бобков 8) свидетельство СССР 06 С 7/56, 1976.ЛИРОВАНИЯБРРЩНЫХ тся к областт быть исвания темперв гибридныхемпературныхедств теплоГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВМИКРОСХЕМ(57) Изобретение относмикроэлектроники и можпользовано для моделиртурных режимов элементмикросхем и оценочныхизмеренийпри выборе с о ода, необходимых для обеспеченияих нормальной работы, Цель изобретения - повышение точности моделирования. Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, выводы 3, 7 и 9корпуса 12, пары пленочных термореэисторов 8, подложку 10, пленочныепроводники 11, крышку 13 корпуса.Достижение поставленной цели обеспечивается благодаря введению в устройство пар терморезисторов 8, обеспечивающих возможность дифференцированного определения температур электрорадиоизделий и элементов конструкциипутем перебора вариантов выделяемоймощности и размещения тепловьщеляющиэлементов на плате с возможностью предварительного моделирования нЭВМ. 2 ил. ЮИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для . моделирования температурных режимов элементов гибридных микросхем.Цель изобретения - повышение точности моделирования.На фиг. 1 изображена конструктивная схема устройства; на фиг, 2 - электрическая схема устройства. 10Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, которые являются од-, новременно источниками тепла и датчиками температуры и включены по схеме с общей базой. Коллекторы 2 транзис торов 1 объединены и выведены на вывод 3 для подключения к шине источника питания (+Е), базы 4 транзисторов тоже объединены и через вывод 5 подключены к шине нулевого потенциа ла. Эмиттеры 6 каждого транзистора подключены к отдельным выводам 7 корпуса, обеспечивая установку режима разогрева и измерения температуры каждого транзистора 1Каждый тран зистор 1 снабжен парой пленочных тер морезисторов 8, размещенных с двух сторон транзистора 1. Одни выводы терморезисторов 8 каждой пары подключены кшине +Е, а вторые к отдельным 30 выводам 9 корпуса. Этим обеспечивается установка режима разогрева керамической подложки 10 в зоне, окружающей транзистор 1, и возможность измерения ее температуру, Группы из35бескорпусных транзисторов 1 и пар пленочных терморезисторов 8 образуют модуль теплового эквивалента и размещены на подложке 10 в виде регулярной структуры топологии) в максимально возможном количестве, Коммутация производится пленочными проводниками 11, нанесенными на керамическую подложку 10 со штатной защитойв виде изоляционного слоя, Подложка4510 установлена в корпус микросхемы12. Корпус закрыт герметично крышкой13. Таким образом, конструкция подложки и заполнение внутреннего объема устройства для моделирования максимально приближены к: конструкции50моделируемых гибридных микросхем. Существующие конструкции корпусов микросхем позволяют разместить и выполнить на подложке размером 16 х55 х 30 мм до 16, а на подложке 30 х х 48 мм до 30 групп модулей теплового эквивалента - бескорпусных транзисторов 1 с парами пленочных терморезисторов,Процесс моделирования тепловогорежима исследуемых гибридных микросхем (микросборок) производится следующим образом,Подложка моделируемой микросхемыразбивается на количество зон, соответствующее количеству тепловыхэквивалентов устройства для моделирования, имеющего тот же размер подложек, Определяется мощность, выделяемая в каждой зоне (в каждом тепловом эквиваленте), и источник еевыделения (транзистор, микросхема илипленочный резистор). Эти параметрыслужат исходными данными для предварительного исследования температурного режима тепловой модели микросхемы с использованием ЭВМ, т,е. проведения математического моделирования.При этом выполняется оптимизация вы-.деляемой мощности и места расположения источников тепла на подложке.Затем выполняется этап физическогомоделирования. Устройство для моделирования через контактор (подключающее устройство) подключается к технологическому пульту, который обеспечивает подачу необходимого напряжения питания на транзисторы 1 и терморезисторы 8, контроль подаваемыхтоков и напряжений, их регулировкув соответствии с данными математического моделирования и переключениеиз режима разогрева в режим индикации, Для этих целей на передней панели пульта имеются органы управления и индикации.Аналогичным образом осуществляется моделирование микросхем в составе микроэлектронных блоков, При этом может выполняться перебор вариантов размещения микросхем на платах и в объеме блока, в результате обеспечивается оптимизация назначения выделяемых мощностей электрорадиоизделий, т.е, повышается точность моделирования температурных режимов в составе микроэлектронных блоков.В процессе физического моделирования осуществляется проверка и уточнение расчетных параметров моделируемой гибридной. микросхемы, При этом в связи с возможностью измерения температур транзисторов 1 и подложки .0 в зоне установки транзистора 1 обеспечивается возможность учета16971 4схем по авт. св. У 819812, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности, оно дополнительно содержит пары пленочных терморезисторов по числу транзисторов, причем пленочные терморезисторы каждой пары размещены с двух сторон от со" ответствующего транзистора и соединены одними из выводов с шиной нулевого потенциала, а другими выводамис соответствующими выводами корпуса. Фиг. Составитель А.Масл Техред Л.Олийнык.Пчолинска Редак рректор С.Черни каз 4065/46 Подписи комитета СС открытий кая наб., дПроизводственно-полиграфическое предприятие з 4 влияния применяемых для установки и крепления транзисторов клеев и компаундов. Степень их влияния характеризуется величиной разности температур транзистора 1 и подложки 10. Это также повышает точность моделирования температурных режимов электрорадиоизделий и элементов конструкции. Формула и з о б р е т е н и яУстройство для моделирования температурных режимов гибридных микроВНИИПИ Государственно по делам изобретений13035, Москва, Ж, Ра жгород, ул. Проектная, 4