Датчик индукции магнитного поля

Номер патента: 1406546

Авторы: Гусев, Киреенко, Корженевский, Яржембицкий

ZIP архив

Текст

Изобретение относится к контрольно-измерительным приборам и можетбыть использовано для измерения индукции магнитного поля. 5Целью изобретения является повышение помехоустойчивости датчика иточности измерения индукции магнитного поля за счет обеспечения постоянства величины ЭДС Холла, генерируемой датчиком, при изменении токачерез него.На фиг, 1 схематически изображендатчик индукции магнитного поля, нафиг, 2 - кривая зависимости ЭДС Холла, вырабатываемой датчиком, от величины электрического тока при индукции магнитного поля 0,24 Тл,В качестве примера использовандатчик индукции магнитного поля, 20)представляющий собой кристалл 1 р 1 пАз, на поверхности которого посредством механической полировки алмазной пастой создан инверсионныйслой 2 е в ти проводимо ти. К слою 252 посредством напыления алюминия созданы контакты 3-6. Рабочая температура датчика составляет 77 К,При пропускании через контакты 3и 4 электрического тока контакт 3 30имеет положительный потенциал такойвеличины, когда падение напряженияна переходе между кристаллом 1 и слом 2 не превосходит порогового напряжения электрического пробоя перехода, электрический ток протекаетпо поверхностному слою 2 и измеряемая на контактах 5 6 ЭДС Холла, со. ответствующая по знаку и-типу проводимости, пропорциональна току и 40индукции магнитного поля. Увеличениеэлектрического тока приводит к возрастанию падения напряжения на переходе между кристаллом 1 и слоем 2. .При достижении порогового напряже ния на переходе в области контакта 3 происходит электрический пробой перехода и ток протекает через слой кристалла 1 датчика, Однако высокое сопротивление перехода в области 50 контактов .5 и 6 приводит к тому, что основной вклад в измеряемую ЭДС Холла дает составляющая слоя 2, В процессе дальнейшего возрастания тока через датчик происходит распро странение фронта области электрического пробоя от контакта 3 в направлении контакта 4.При этом составляющая тока через слой 2 сохраняется постоянной, что приводит к постоянству измеряемой ЭДС Холла при изменении тока. Постоянство ЭДС Холла сохранится до значения, при котором фронт области электрического пробоя достигнет контактов 5 и 6, в результате чего вклад составляющей ЭДС Холла кристалла 1 увеличится и постоянство измеряемой ЭДС Холла нарушится.Таким образом, в диапазоне величин тока через датчик от соответствующего началу пробоя поверхностного перехода до соответствующего достижения фронтом области пробоя контактов, на которых измеряется ЭДС Холла, величина ЭДС Холла н:. зависит от тока и пропорциональна индукции магнитного поля.На фиг. 2 представлена зависимость ЭДС Холла генерируемой датчиком, от величины тока при индукции магнитного поля 0,24 Тл. Из графика следует, что, действительно, в диапазоне величин тока от 10 ф до 2,10А ЭДС Холла соответствует п-типу проводимости и не зависит от величины тока,При подключении к контактам 5, б источника постоянного напряжения через добавочное сопротивление 57 Ом в магнитном поле 0,24 Тл величина ЭДС Холла 9,5.10В остается постоянной в процессе изменения напряжения от 1,5 до 0,063 В. Это позволяет использовать автономный элемент питания, сохраняя работоспособность датчика до глубокой разрядки элемента без корректировки тока.Ф о р м у л а и з о б р е т.е н и яДатчик индукции магнитного поля, содержащий полупроводниковый кристалл и две пары контактов, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости датчика и точности измерений за счет обеспечения постоянства гальваномагнитной ЭДС при изменении тока через него, на поверхности полупроводникового кристалла сформирован слой с противоположным типом проводимости,"онтакты нанесены на этот слой.1406546 10 о-ф у Составитель Г. ПавловЦиткина Техред Л.Сердюкова Корректор С, Черни едактор Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная каз 3189/42ВНИИП113035 772 ствен обрет -35,Тираж И Госуда делам и Москва, Подписноего комитета СССРий и открытийушская наб., д, 4/

Смотреть

Заявка

4163126, 19.12.1986

БЕЛОРУССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ГУСЕВ ОЛЕГ КОНСТАНТИНОВИЧ, КИРЕЕНКО ВЛАДИМИР ПЕТРОВИЧ, КОРЖЕНЕВСКИЙ АЛЕКСАНДР ГЕННАДЬЕВИЧ, ЯРЖЕМБИЦКИЙ ВИКТОР БОРИСОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 33/06

Метки: датчик, индукции, магнитного, поля

Опубликовано: 30.06.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1406546-datchik-indukcii-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик индукции магнитного поля</a>

Похожие патенты