Способ изготовления микролезвий для офтальмологии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
б;) СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИА ЛИСТИЧ ЕСНИХРЕСПУБЛИК а, 1 3999(51)5 А 61 Е 9 0 ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ ВТОРСНОМУ С юл,изводстве микролезвий для офталь ЦеЛь изобретения - упрощение гни изготовления и уменьшение уси зания микролезвия в роговицу гла постигается тем, ито режущую кро мируют до образования боковых гр углом 25 - 65 к плоскости 1012), женной перпендикулярно плоскости ки. Боковые грани формируют путе ния на сапфировой заготовке на положной режущей кромке стороне плоскости 1012) и раскалывания плоскостям от нанесения рисок. 1 и. Т 1 е 4 пзееЬ Ь5, 1984 агпопд Кпе - е еуе.псцсга р, 251. ЕНИЯ ОЛОГ к ме зован МИКРО.И пинской 1 ри проГОБ ИЗГОТОВЛДЛЯ ОФТАЛЪМретение относитсяможет быть испол 54) СГ 10 ЛЕЗВИЙ 57) Изо ехнике и 1 еюй.089(088Нег Ьегге Ьапечеь,мологни, технололий вреза. Цель мку фор. аней под располо- заготовм нанесе- противо рисок по по зти чИзретение относится к области хирургических режущих инструментов и может б,ть использовано в производстве микро- лезвий лля офтальмологии, нейрохирургии и других областей медицины.5Целью изобретения является упрощение технологии и уменьшение усилий вреэания микролезвия в роговицу глаза.На чертеже показано общехирургическое лезвие.На плоской сапфировой заготовке 1 фор.мируют режущую кромку 2 под углом 25 - 65 к плоскости 11012), затем путем нанесения рисок 3 по плоскости (1012) на противо.положной режущей кромке 2 стороне и раскальванин по этим плоскостям от нанесения рисок 3 формируют боковые грани 4. Путем пересечения плоскости (1012)с режущей кромк 2 обр;.укг острие 5 микролезвия 6.Монокри т,лапфира характеризуется ниэотропией физико-механических свойств по различны плоскостям. Плоскость 1)0121 20 является плоскостьк с минимальной поверхнл но: энергией или лоскостью спайности. При раскальванин пластины сапфира наибольшая вероятность распространения трещины или образования скола прях лится на плоскость(1012). Введение же риски 3 лю.бым алмазным инструментом по плоскости 1012) практически олнознацно опрелеляет направление развития скола по плоскости ( О 2). При раскалывании формируется боковая грань 4 микролезвия 6, котор я явля.ется совершенной вплоть ло режущей кромки 2 и при пересечении с режущей кром.кой образует совершенное острие 5. Каждое посл "дующее раскалывание по плоскости (1012) будет ф рмировать микролезвие 6, Ввиду того, чго режущую кромку 2 формируют до формирования боковых грачей 4, а боковые грани 4 формируют раскалыванием по плоскости спайности (1012) с образова.нисм острия 5, последнее не испытывает никакого воздействия абразивных зерен в процессе своего формирования. Технология 40 формирования сапфирового микролезвия существенно упрощена, а совершенный кончик осгрия 5 уменьшает нагрузки микролезвия при срезании в роговицу глаза.Угол между режущей кромкой 2 и плос костьо 11012) практически задает угол между режуцей кромкой 2 и боковой гранью 4 или угол острия 5. Нижний прелел 25 связан с падением стойкости кончика острия 5 при работе, так как увезичивается вероятность его слома, Верхний предел 65 обьясняется увеличением усилий врезания с ростом угла наклона боковой грани 4 к режуций кромке 2. Пример выполнения. На плоской сапфи. ровой заготовке 1 длиной 40, шириной 10, толщиной 0,25 ммформируют вд ль ее длины режхшую кромку 2 под углом 45 к плос. кости )1012), расположенной перпендикулярно плоскости заготовки . С этой целью кристалл ориентируют соответствующим обр; зом. Формирование режущей кромки 2 осуществляют в три этапа; шлифование алмаз. ным инструментом на органической связке с зернистостью алмаза 50/40, полирование алмазной пастой зернистостьюО/7, вакуумио-термическая обработка в вакууме в парах углерода. После этого приступают к форми. рованию боковых граней 4 с образованием острия 5.Алмазным инструментом (это может быть алмазный отрезной круг, кристаллик алмаза) наносят на противоположной режущей кромке стороне риску 3 протяженностью 2 мм влоль плоскости 1012). Вдоль нанесенной риски 3 вводят напряжения сдвига простым зажатием одного края заготовки 1 параллельно плоскости (1012) и давлением на дру. гой. За счет такого воздействия раскалывают заготовку 1 по плоскости спайности (1012) и формируют одну боковую грань 4. Затем вновь наносят риску 3 вдоль плоскости Я)012) через интервал 1 мм и раскалывают по этой же плоскости. Теперь каждое последующее раскалывание заготовки 1 вдоль на. несен ной риски 3 по плоскости ( О 2 будет обеспечивать изготовление еще одного микролеэвия 6. Для удобства заделки в держатель противоположную к режущей кромке 2 сзорону микролезвия 6 подравнивают перпендикулярно боковым граням алмазным отрезным кругом.формула изобретенияСпособ изготовления микролеэвий для офтальмологии, включающий формирование на плоской сапфировой заготовке узких боковых граней, формирование режущей крсмки наклонно к боковым граням с образованием острия, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и уменьшения усилии врезания микролезвия в роговицу глаза, режущую кромку формируют до формирования боковых граней под углом 25 - 65 к плоскости (1 О 2), расположенной перпендикулярно плоскости заготовки, боковые грани формируют путем ьанесения на сапфировой заготовке на противоположной режуцей кромке стороне рисок по плоскости 1012) и раскалывания по этим плоскостям от нанесения рисок.1399930 о 1= Л-б 5 Редактор Н Заказ 43 ВНИИПИ иэво Цалихина34осударственно113035, Мотвенно полигра Составитель О. Чуб Техред И Версс Тираж 483 го комитета СССР по дел ква. )К - 35, Рвуспскан фнческое предприятие, г.коваКорректор М П 1 арогии11 одпне носм иэоб 1 в т ннй н открытийнаб., д 1/5Ужгорсд, ул, Грцелтная, 4
СмотретьЗаявка
4093076, 18.07.1986
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476
АЛЯБЬЕВ И. В, ПАПКОВ В. С, СЕЛИН В. В
МПК / Метки
МПК: A61F 9/007
Метки: микролезвий, офтальмологии
Опубликовано: 15.12.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1399930-sposob-izgotovleniya-mikrolezvijj-dlya-oftalmologii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления микролезвий для офтальмологии</a>
Предыдущий патент: Устройство для импульсного питания магнитной системы синхротрона
Следующий патент: Способ градуировки радиоизотопных плотномеров
Случайный патент: Вертикальный гравитационный градиентометр