Способ нейтронографической дефектоскопии

(5 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ИДЕТЕЛЬСТВ ТОР СКОМ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(46) 30.12.87. Бюл. В 48 (71) Объединенный институт ядерных исследований(56) Флоров Г.Н., Березина И.Г. Радиография минералов горных пород и руд. М.: Атомиздат, 1979, с.224,Тюфяков Н.Д Штань А.С, Основы нейтронной радиографии, М,: Атом- издат, 1975, с.256.(54) СПОСОБ НЕЙТРОНОГРАФИЧЕСКОИ ДЕФЕКТОСКОПИИ(57) Изобретение относится к област определения характеристик объектов с помощью ионизирующих излучений, конкретнее к области нейтронной де.801363038 А 1 фектоскопии, и может быть использовано, например, для. контроля дефектов в тонких объектах из легких материалов. Целью изобретения является повышение чувствительности выявления дефектов в тонких объектах. Способ предусматривает пропускание замедленных нейтронов через фильтры, поглощающие нейтроны с определенными энергиями. Прошедшими фильтры нейтронами облучают исследуемый объект, вблизи которого расположены детекторы нейтронов, чувствительные только к нейтронам таких энергий, которые поглощены фильтрами. Для регистрации распределения легких элементов в объ- а екте регистрируют только однократно рассеянные на ядрах этих элементов нейтроны. 1 з.п. ф-лы, 1 ил,10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 1 13 бИзобретение относится к ойределению характеристик объектов с помощьюионизирующих излучений, а именно кнейтронной дефектоскопии, и можетбыть использовано, например, для контроля дефектов в тонких объектах излегких материалов.Целью изобретения является повышение контрастной чувствительностивыявления дефектов в тонких объектах.На чертеже представпена схема расположения основных элементов дефектоскопа при проведении контроля объекта.Для реализации изобретения применяют нейтронный фильтр 1 из кадмиятолщиной 0,5 мм, нейтронный фильтр 2из индия толщиной 1 мм, активационныйэкран 3 из индия толщиной 0,005 мм.На чертеже показан также исследуемыйобьект в виде склеиваемых стальныхлистов 4 и слоя 5 эпоксидного клея,Способ реализуется следующим образом,Показанный на чертеже набор элементов вместе с исследуемым объектомна 1-2 ч помещают в изотропное поленейтронов в какой-либо замедлитель.Затем набор извлекают и вынимают изнего активационные экраны, Между экранами в тесном контакте помешаютслой ядерной фотоэмульсии, нанесеннойна тонкую пленку, и экспозиция продолжается 1-2 ч. Затем пленку проявляют и рассматривают.Фильтром 2 поглощаются нейтроныв определенном интервале их энергий.За выделенный энергетический интервалпринимают область энергий нейтронов,плотность потока в котором уменьшенафильтром не менее чем в 20 раз. Дляиндиевого фильтра 2 это составляет1,7 эВЕ 1,25 эВ (Е =1,7. эВ) . Нейтроны, рассеянные на ядрах железа, немогут потерять такую величину энергии, чтобы активировать индиевый экран с энергией резонанса 1,46 эВ.В то же время нейтроны, рассеянныеца ядрах углерода и водорода, основных элементах, входящих в составэпоксидного клея, имеют энергию, необходимую для активации экрана. Рассеянные в слое 5 клея нейтроныв энергетическом интервале, в котором 3038 2 нейтроны поглощены фильтрами, регистрируются активационными экранами 3, Вследствие того, что экраны 3 фиксируют только рассеянные в слое 5 нейтроны, по сравнению с известными способами радиографии в 5-10 раз повышается чувствительность выявления дефектов в этом слое, т,к. фон обусловлен только нерезонансной активацией индия, которая составляет одну тридцатую часть от, общей активации индия эпитепловыми нейтронами и не оказывает существенного влияния на качество получаемых изображений,Для проведения избирательного контроля распределения легких элементов, например водорода, в объекте регистрируют только нейтроны, однократно рассеянные на ядрах водорода. Для этого применяют фильтр, поглощающий нейтроны в области 1,1 эВЕ ( 2 эВ, и активационный экран 3 из иридия толщиной 0,01 мм, Иридиевый активационный экран, чувствительный к нейтронам с энергией приблизительно 1,3 эВ, не активируется нейтронами, рассеянными на других, кроме водорода, элементах, так как минимальная энергия, рассеянных этими элементами нейтронов больше 1,3 эВ.Формула изобретения 1. Способ нейтронографической дефектоскопии, включающий облучение контролируемого объекта потоком медленных нейтронов, регистрацию распределения нейтронов вблизи объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения контрастной чувствительности выявления дефектов в тонких объектах, неколлимированные медленные нейтроны пропускают через поглощающие фильтры, при этом интервал энергий, в котором регистрируют нейтроны, входит в интервал, в котором нейтроны поглощаются фильтрами.2. Способ по п.1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью проведения избирательной радиографии для самого легкого по атомному весу в исследуемом объекте элемента, регистрируют только нейтроны, однократно рассеянные на ядрах этих элементов.