Антенное устройство

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 511 4 Н 01 Е 1/52 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Одесский электротехническийинститут связи им. А.С.Попова(57) Изобретение относится к антенной технике. Цель изобретения - расширение полосы частот развязки. Антенное устр-во содержит две апертурные антенны (АА) 1 и 2, апертуры ко-торых размещены в одной плоскости 3,и отрезок 4 линии поверхностной волны. АА 1 выполнена в виде пирамидального рупора, а отрезок 4 помещенна его внутренней стенке, обращенной ЯО 1336142 А 1 к АА 2. При этом отрезок 4 м.б. выполнен или в виде диэлектрическойпластины с заданными размерами (тохщиной, шириной и длиной), или в виде металлической ребристой структурыс заданной высотой ребер. Электромагнитная волна, излучаемая в свободное пространство пирамидальнымрупором, в плоскости апертур АА 1и 2 будет иметь направление распространения, образующее некоторый уголс линией, соединяющей центры апертурАА 1 и 2. Доля энергии электромагнитной волны, излучаемой АА 1 и попадающей в АА 2, уменьшитсяПри выбранных длине диэлектрической пластины и высоте ребер металлическойребристой структуры обеспечиваетсяменьшая зарисимость величины развязкиот частоты, т.е. расширение полосычастот развязки. Устр-во по п. 2 и3 ф-лы отличается выполнением отрезка 4. 2 ил.1 133Изобретение относится к антеннойтехнике и может быть использовано врадиосистемах, где требуется развязка в широкой полосе частот между рупарной антенной с прямоугольной апертурой и второй апертурной антенной,.апертуры которых лежат в одной плоскости.Цель изобретения - расширение по.лосы частот развязки.На фиг. 1 изображено антенное устройство в кране, общий вид,на фиг.2 -апертурная антенна, выполненная ввиде пирамидального рупора, общийвид.Антенное устройство содержит две. апертурные антенны 1 и 2, апертурыкоторых размещены в одной плоскости3, и отрезок 4 линии поверхностнойволны, Одна из апертурных антенн 1выполнена в виде пирамидального рупора, а отрезок 4 линии поверхностной волны помещен на его внутреннейстенке, обращенной к второй апертурной антенне 2, и выполнен в видедиэлектрической пластины, размерыкоторой выбраны из соотношений:ширина й0,35 й,длина У = дl Рр - Ллтолщина с0,253/ Ггде 0 - линейный размер кромки пирамидального рупора, обращенной к второй апертурной антенне,р и- постоянные распростране(ния волны в пирамидальномрупоре и над линией поверхности волны соответственно,Л - длина волны,Г - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрической пластины.Край диэлектрической пластины совмещен с кромкой пирамидального рупора, причем диэлектрическая пластинасмещена от плоскости симметрии антенного устройства, проходящей черезцентры апертур апертурных антенн1 и 2.Отрезок 4 .линии поверхностной волны может быть также выполнен в видеметаллической ребристой структуры,высота ребер которой выбрана из соотношения Ь0,2 Л.Антенное устройство работает следующим образом.Электромагнитная волна плоскостьполяризации которой совпадает с плос 6142 костью симметрии антенного устройства, проходящей через центры апертур апертурных антенн 1 и 2, распространяется в пирамидальном рупоре иизлучается в свободное пространство.При этом скорость распространенияэлектромагнитной волны в свободнойчасти пирамидального рупора и в части пирамидального рупора, прилегающей к диэлектрической пластине, неодинакова, что приводит к нарушениюсимметрии амплитудно-фазового распределения у кромки пирамидального рупора, обращенной к второй апертурнойантенне 2. В результате этого электромагнитная волна, излучаемая пирамидальным рупором, в плоскости апертур апертурных антенн 1 и 2 будетиметь направление распространения,образующее некоторый угол с линией,соединяющей центры апертур апертурных антенн 1 и 2.1 1 О 15 20 25 30 35 формула из обретения 1. Антенное устройство, содержащее две апертурные антенны, апертурыкоторых размещены в одной плоскости,и развязывающий элемент, выполненныйв виде отрезка линии поверхностной .волны, смещенного от плоскости симметрии антенного устройства, проходящей через центры апертур антенн, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения полосы частот развязки, одна из апертурных антенн выполнена в виде пирамидального рупора, аотрезок линии поверхностной волныпомещен на его внутренней стенке,обращенной к второй апертурной антенне, причем край отрезка линии поверхностной волны совмещен с кромкойпирамидального рупора, а размеры отрезка линии поверхностной волны выбраны из соотношений:ширина й0,35 Р,длина 1 =IВ р - 94045 5055 Доля энергии электромагнитной волны, излучаемой апертурной антенной 1 и попадающей в апертурную антенну 2, уменьшится. При выбранной длине диэлектрической пластины и высоте ребер металлической ребристой структуры обеспечивается меньшая зависимость величины развязки от частоты, т.е. расширение полосы частот развязки.1 3 3 6 Ь л 0,2 Л. оставитель А,Рунехред М,Дидык едактор А.Козориз ектор М.Демчи Тираж 625 ВНИИПИ Государственного к по делам изобретений и 113035, Москва, Ж, РаушскЗаказ 4053 Подписноемитета СССРоткрытийя наб., д. 4/5 оизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,где Э - линейный размер кромки пирамидально го рупора, обращеннойк второй апертурной антенне , р и я - постоянные распространения р Л 5волны в пирамидальном рупореи над линией поверхностнойволны соответственно. 2. Устройство по,п. 1, о т л и - 10 ч а ю щ е е с я тем, что отрезок линии поверхностной волны выполнен в виде диэлектрической пластины, толщина которой выбрана из соотношения где л - длина волны,- относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрической пластины.3. Устройство по п. 1, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что отрезок линии поверхностной волны выполнен в виде металлической ребристой структуры, высота ребер которой выбрана из соотношения