Rc-генератор

Номер патента: 135922

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Белевич, Народицкий

МПК: G01R 27/02

Метки: высокочастотного, генератора, комплексной, нагрузки, полных, согласования, сопротивлений

...реак тивности опрсделястся прп псриодшсоком пзменещш величины второй реактивности От миниыъза ДО ъакспэи со сеоростью ВО лного раз большей, чем скорость измснс 1 Ия первой реактивности. Циклическое и и быстрое изг 1 енетИс Второ реактивности п 1 эиВОдпт к пОяВлсни 10 В на грузке импульсов тока с амплитудой. зависящей от величины первой реактивности,Если скорость изменен:1 я второй реактивности постояНна, то максимальному показанию индикатеэр Соответствует оптимальная настройка перво реактивности. Послс настэеикп перво реактивности, медленно измен 51 я Величину Втоэой реактивности. добиваются максимального по казания индпкатОра. Вторичный максиум пОказаний индикатора сООт ветствует оптимальной настройке второй...

Номер патента: 1567999

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Девяткин, Хабузов, Худяков

МПК: G01R 27/26

Метки: внутреннего, конденсатора, сопротивления

...импульсов(фиг. 5 к) происходит выборка и запоминание напряжения Из (фиг. 5 л), которое затем обрабатывается в вычислителе 4, и результат представляется оператору или в ЭВМ.Кроме того, в устройстве имеется канал регулирования тока заряда эталонного конденсатора 7 генератором 5 тока через дифференциатор 10 и интегратор 11, При необходимости возможно регулирование тока заряда контролируемого конденсатора 8 вторым генератором 6 тока от интегратора 11 (связь показана пунктиром на фнг,1). Регулирование тока заряда необходимо при отлиЧии скоростей нарастания напряжений на конденсаторах 7 и 8. В процессе измерения скорости д 0 ЙС и д 0 /дТ (фиг. 5 г,д) должны быть выравнены, Выравнивание осуществляется с помощью дифференциатора 1 О, На первый...

Номер патента: 1830184

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Прокопенко

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательным, сопротивлением

...10,5 а токи коллектора транзисторов 2 и 4 равны половине тока 102 первого источника тока 9,Пусть между выходами "а" и "б" предложенного устройства протекает некоторый"О тОК 1 эб (СМ. фИГ.2), Этот тОК ДЕЛИТСЯ В ТОЧКЕ"а" наток 11, втекающий в эмиттер транзистора 3 и поступающий далее в точку "б", иток 2, протекающий в цепи транзистора 4,8 соответствии с первым законом Кирхгофа:151 аб =11+ 12,Согласно второму закону Кирхгофасуммы база-эмиттерных напряжений в 20 замкнутых контурах, образованных базаэмиттерными переходами транзисторов 2, 4, 3, 5, а также транзисторов 2, 4, 6, 7, равны нулю;Обэ 2 Обэ 4 Обэз + Обэб = О;(2)Об 2 - Обэ 4+ Об 6 - Об 7 = О.Выражая база-эмиттерные напряжения ЗО транзисторов через их эмиттерные токи спомощью...

Номер патента: 425304

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Кизема, Кутовой

МПК: H03K 3/28

Метки: отрицательных, сопротивлений

...коллектор которого через второй резистор подключен к положительному полюсу источника напряжения питания, а эмиттер соединен с общим выводом источников.Однако диапазон рабочих напряжений в известных устройствах ограничен.Целью изобретения является расширение диапазона рабочих напряжений.Для этого база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора, затвор которого подключен к общей точке соединения второго резистора и коллектора биполярного транзистора.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.Устройство для получения отрисопротивлений содеркит полевой н 1 425304+ дит Составитель С, Лукинская Техред Е, Борисова Редактор А. Зиньковский Корректор В. Брыксина Заказ 2684/6 Изд, Мю 778 Тираж 811...

Номер патента: 1515349

Опубликовано: 15.10.1989

Автор: Ильин

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательных, сопротивлений

...между затвором и истоком полевого транзистора 1, в результате чего полевой транзистор 1 начинает запираться, а ток базы биполярного транзистора 3 уменьшается, следовательно, начинает уменьшаться и ток, проходящий через коллекторэмиттер биполярного транзистора 3. Поскольку напряжение между коллектором и эмиттером биполярного транзистора 3 достигает значительной величины, то коэффициент передачи тока базы бипо" лярного транзистора 3 - много больше единицы, поэтому ток, протекающий через коллектор-эмиттер биполярного транзистора 3, много больше тока базы, который сравним по величине с током, протекающим через диод 4 и резистор 2. Несмотря на то,что по мере увеличения напряжения источника напряжения смещения увеличивается обратный...