Микрополосковая антенна

(50 4 Н 1 3 удАРст 8 енный комит делАм изоБРетений и СССР КРЫТИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ВИДЕТЕЛЬСТ И АВТОР нстиехническ А.Панчен88.8)85, 21,тенобеоля 00(57) Изобретениеотносится к аной технике. Цель изобретенияспечение возможности излученияс двумя взаимно ортогональнымиризациями на 2-х частотах. Ант содержит диэлектрич.подложки (дП) 1 и 2, металлич. экран 3, полосковые проводники 4 и 5, разомкнутые на кон це, щели 6 и 7, прямоугольный металлич. излучатель 8, Длина щели 6 и 7 примерно равна А/2, где 1 = А /КЕ- длина волны в свободном просторанстве; Я - эффективная диэлектрич. проницаемость, зависящая от диэлектрич. проницаемостей ДП 1 и 2 Я и Я . При выборе Е (Е0,28 и отношении толщин ДП 1 и 2 й/Й 7; 1 обе спечивается уменьшение обратного излучения и возбуждение поля с взаимно ортогональными поляризациями на 2-х частотах, 2 ил.1298820 Изобретение относится к антеннойтехнике и может быть использовано всоставе фазированных патентных решеток.Цель изобретения - обеспечение возможности излучения поля с двумя взаимно ортогональными поляризациями надвух частотах.На фиг.1 изображена структурнаясхема микрополосковой антенны, видсбоку; на фиг.2 - то же, вид сверху.Иикрополосковая антенна содержитпервую и вторую диэлектрические подложки 1 и 2 соответственно, металлический экран 3, первый и второй по 15лосковые проводники 4 и 5, разомкнутые на конце, на первую и вторую щели 6 и 7 - прямоугольный металлический излучатель 8,Иикрополосковая антенна работает.20следующим образом,Сигнал подается на первый и второй полосковые проводники (4 и 5 соответственно) и возбуждает первую 6и вторую щель 7, которые возбуждаютпрямоугольный металлический излучатель 8, причем каждая щель 6 и 7 возбуждает стороны прямоугольного металлического излучателя 8, параллельныесоответствующей щели 6 и 7. При этомЗОдлина щели и сторон прямоугольногометаллического излучателя определяется соответствующей резонансной частотой излучения, причем длина щели6 и 7 примерно равна Я /2, где 3 =1 Г , где Я - длина волны в своа ур фободном пространстве; Г - эффективная диэлектрическая проницаемость,зависящая от диэлектрических проницаемостейпервой и второй диэлектричес 40ких подложек 1 и 2 Я и. При выборе Я /Я 6 0,28 и отношении толщины первой и второй диэлектрическихподложек б /Й1 обеспечивается1 Д" 45уменьшение обратного излучения и возбуждение поля с взаимно ортогональными поляризациями на двух частотах.Для развязки колебаний с различнымичастотами щели 6 и 7 делают непересекающимися, при этом линии питания -первый и второй полосковые проводники 4 и 5 - располагают перпендикуляргно соответствующим щелям 6 и 7 так,что их концы выступают эа соответствующую щель 6 и 7 на четверть волны(для обеспечения оптимальной эффективности возбуждения). При выбранных соотношениях с 1/с 1 и е, /Е длина щели 6 и 7 оказывается значительно меньшей длины стороны прямоугольного металлического излучателя 8,что приводит к значительному расширению рабочей полосы частот,Формула изобретения Микрополосковая антенна, состоящая из первой диэлектрической подложки, на одной стороне которой расположен прямоугольный металлический излучатель, а на другой стороне - металлический экран, в котором выполнена первая щель, параллельная двум противоположным сторонам прямоугольного металлического излучателя, и второй диэлектрической подложки, расположенной на металлическом экране, на внешней стороне которой размещен первый полосковый проводник, разомкнутый на конце, перпендикулярно первой щели, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью обеспечения возможности излучения поля с двумя взаимно ортогональными поляризациями На двух частотах, в металлическом экране выполнена вторая щель, расположенная перпендикулярно первой щели, и возбуждаемая вторым попосковым проводником, разомкнутым на конце, размещенным на внешней стороне второй диэлектрической подложки, перпендикулярно второй щели, причем первый полосковый проводник выступает за первую щель на часть, равную/4, а второй полосковый проводник выступает за вторую щель на часть, равную Я /4, при этом отношение й,й не менее 1, Г /Е не более 0,28, где1 2д, и Й,Г - толщина и диэлектрическая проницаемость первой и второй диэлектрических подложек соответственно, А и Я - длины волн, возбуждаемых первой и второй щелями соответственно.1298820 Вхпо оставитель Ю.Волковехред М.Моргентал Корректор А.Зимокосов едактор Е, Пап Тираж 626 НИИПИ Государственно по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Заказ 894/55 ВПодписноекомитета СССРи открытийаушская наб., д,4/ роизводственно-полиграфическое предприятие,г. Ужгород,ул.Проектна