Флюс для пайки и лужения радиоэлектронной аппаратуры

.Вев лов льс 35/ РАДИОЛУЖЕНИЯ1сится к обл ав лю ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫ ОПИСАНИЕ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ(53) 621. 791. 3 (088. 8) (56) Авторское свидет У 1107995, кл. В 23 К 22.02.83. 54) ФЛЮС ДЛЯ ПАЙКИ ИЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУР57) Изобретение отноайки, в частности к для пайки и лужения электронной аппаратуры. Целью изобретения являетсяснижение влияния флюса на сопротивление изоляции при пайке микродеталей с плотным монтажом. Флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас.Х: иодистый-И-метил-хинальдиний 5-15; глицерин 20-40; спиртэтиловый 45-75. Флюс не вызывает снижение сопротивления изоляции диэлектрика и может быть рекомендован дляиспользования при пайке изделий с высокой плотностью монтажа. Сопротивление изоляции после пайки составляет (2-4) 10 ю Ом.,1 табл.1291339 35 Изобретение относится к области пайки, в частности к составу флюса для пайки и лужения радиоэлектронной аппаратуры, и может быть использовано для пайки и лужения меди, серебра и сплава олово - свинец преимущественно в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры (РЗА) в микроминиатюрном исполнении с высокой плотностью монтажа и отверстиями малых диамет ров,Целью изобретения является предотвращение влияния флюса на сопротивление изоляции при пайке микро- деталей с плотным монтажом.15Флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас.7.:Иодистый- И-метилхинальдиний 5-15 20Глицерин 20-40Спирт этиловый 45-75Иодистый-И-метил-хинальдиний представляет собой кристаллическое сое 25 динение слабо-желтого цвета, без запаха, нетоксичен.Его структурная формула гВ процессе пайки флюс не образует нагаров и трудно удаляемых загрязнений. Его остатки после пайки легко удаляются водой со спиртом, Активность флюса по меди составляет 2,2- 2,4 отн. ед., по серебру 1, 5-1,7 отн.ед.Флюс предназначен для пайки и лужения меди, серебра и сплава олово - свинец в узлах и блоках РЗА в микро- миниатюрном исполнении с высокой плотностью монтажа. Составы флюсов (известный и предлагаемый) и его свойства приведены в таблице,Из данных таблицы следует, что в интервале концентраций иодистого-И- метил-хинальдиния 5-15 мас.3. Данный флюс не вызывает снижения сопротивления изоляции диэлектрика и может быть рекомендован для использования при пайке изделий с высокой плотностью монтажа. Флюс приготавливают следующим образом. В расчетном количестве спирта растворяют иодистый-И-метил-хинальдиний, затем вводят глицерин. После добавления каждого компонента раствор тщательно перемешивают до полного его растворения. Для ускорения растворения допустим легкий нагрево(до 35-40 С) на водяной бане, Атомы водорода его метильной группы в о -положении подвижны, за счет чего соединение обладает восстановительной способностью.Введение в состав флюса иодистого- И-метил-хинальдиния в сочетании со взятыми ингредиентами и выбранное количественное соотношение ингредиентов обеспечивают образование хорошо растворимого в воде и потому легко смываемого водой комплекса, Поэтому при использовании флюса исключается опасность коррозии паяемых металлов и снижение сопротивления изоляции диэлектрика, вызывающих ухудшение качества готовых иэделий.Флюс не вызывает коррозии металлов и металлопокрытий монтажных элементов, т.е. меди, серебра, сплава олово - свинец.бретения Флюс для пайки и луж40 электронной аппаратуры,активную составляющую,ловый спирт, о т л и чс я тем, что, с цельюния флюса на сопротивле45 при пайке микродеталеймонтажом, в качестве акляющей он содержит иодихинальдиний при следующнии компонентов, мас.7:50 ГлицеринСпиртэтиловыйИодистый-Юметилхиналь 5 диний а ю щ и нижения Яние изоляции с плотнымтивной составстый-И-метилем соотноше 0-4 55 Формула ения радиосодержащий глицерин, эти1291339 Состав флюса, мас.7 Сопротивление изоляции, Ом Глицерин После пайки ИодистыйИ-метилЭтиловый спиртхинальдиний 5,0 20,0 75,0 60,0 10,0 30,0 15,0 40,0 45,0 Известный флюс ФКСп Составитель Л.Абросимова Редактор А.Шандор Техред Л.Олейник Корректор М.СамборскаяЗаказ 82/16 Тираж 976 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5