Тиристорный генератор

.СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК А 1 ся) 4 Н 03 К 3/3 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ НА 24-0 осуда апсук венныи ельство СССР4/58, 1980,-12772,СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) Изобретение относится к импульсной технике и обеспечивает расширение диапазона генерируемых частот.Генератор содержит полупроводниковый элемент из слоев 1-4 с чередующимся типом проводимости, накопительный элемент 8 в виде индуктивности, резисторы 9 и 10. Через оммические контакты 14 к средним участкам5 и 13 слоев 4 и 1 подается пита 801290495 ние от источника б напряжения питания, а к крайним участкам 11 и 12слоя 4 - от источника 7 тока. С помощью источника 6 потенциальный барьер обедненного слоя, возникающегомежду слоями 1 и 2, смещают в обратном направлении. При этом ток в выходной цепи, подключенной к резистору 10, не течет. При включении источника 7 вдоль слоя 2 потечет ток1 , который течет и в нагрузку. Часттока 1 источника 7 ответвляется внакопительный элемент 8. При определенной величине тока 1 дв среднемучастке 5 слоя .4 происходит смыкание обедненных слоев между ним икрайними участками 11 и 12, Ток 1увеличивается, а ток 1, уменьшается.При 1 =1происходит размыканиемакРобедненных слоев участков 5, 11 и12 слоя 4 и ток 1 начинает умень 9шаться. При этом ток 1, возрастает,1 ил,35 40 45 50 55 1 129Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различной измерительной аппа. ратуре и системах связи.Цель изобретения - расширениедиапазона генерируемых частот.На чертеже представлен тиристорный генератор.Генератор. содержит полупроводниковый элемент, выполненный в видепервого, второго, третьего и четвертого слоев 1-4 с чередующимся типомпроводимости, к среднему участку 5четвертого слоя 4 и к среднему участку 13 первого слоя 1 подключенпервый источник 6 напряжения питания, второй источник 7 питания, выполненный в виде источника тока, накопительный элемент 8, выполненный .в виде индуктивности, первый и второй резисторы 9 и 10, крайние участки 11 и 12 четвертого слоя 4,Дляподключения к полупроводниковомуэлементу внешних цепей, которые .включают первый и второй источники6 и 7, накопительный элемент 8, первый и второй резисторы 9 и 1 О, навнешних поверхностях средних участков 5 и 13 первого и четвертого слоев 1 и 4, на внешних поверхностяхкрайних участков 11 и 12 четвертогослоя 4 и на внешних сторонах второго слоя с одной и другой его сторонвыполнены оммические контакты 14.Толщина второго слоя 2 и ширина среднего участка 5 четвертого слоя 4выбраны меньшими, а толщина третьегослоя 3 выбрана большей удвоеннойтолщины обедненного слоя между слоями разного типа проводимости.Тнристорный генератор работаетследующим образом,Включают первый источник б и потенциальный барьер обедненного слоя,возникающего между первым и вторымслоями 1 и 2 или между вторым итретьим слоями 2 и 3), смещают вобратном направлении. Прн этом токв выходной цепи, подключенной к второму резистору 10, не течет.1При включении второго источника7, который обеспечивает величинутока 1 вдоль второго слоя течетток 1,. При величине тока 1 равном 1, (или больше), во втором слое2 происходит смыкание обедненныхслоев, образованных между вторымслоем 2, первым слоем 1 и третьимслоем 3, При этом первый слой 1 и 0495 2 средний участок 5 четвертого слоя 4 смыкаются накоротко и по внешней це- пи, включающей второй резистор 10 и первый источник 6, течет выходной ток 1,. При величине 1 , равноййхеихф 1, (илн больше), в среднем участке 5 четвертого слоя 4 происходит смыкание обедненных слоев между этим участком и крайними участками 11 и 12. При этом крайние участки 11 и 12 оказываются накоротко замкнутыми и часть тока 1 от второго источниЯка 7 ответвляется в цепь, включающую накопительный элемент 8 и первый резистор 9. Ток 1 увеличивается до тех пор, пока не достигнет максимального значения 1 . При увелимаьсчении тока 1 уменьшается ток 1, и в момент, когда 1 =1 , ток 1 ;-1, При 1,меньшем тока 1происходит размыкание обедненных слоев во втором слое 2 и ток в выходной цепи прекращается, поскольку 1 уменььых шается до нуля. При этом происходит размыкание обедненных слоев в среднем участке 5 четвертого слоя 4 и ток 1 начинает уменьшаться, а ток 1 - увеличиваться. Как только ток 1, =1, , процесс повторяется сначала,Формула изобретения Тиристорный генератор, содержащий полупроводниковый элемент, выполненный в виде первого, второго, третьего и четвертого слоев с чередующимся типом проводимости, к средним участкам внешних поверхностей первого и четвертого слоев которого подключен первый источник напряжения питания, второй источник питания, накопительный элемент, первый вывод которого подключен к второму слою с одной его стороны, и первый и второй резисторы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона генерируемых частот, средний участок четвертого слоя выполнен с противоположным типом проводимости, идентичным типу проводимости третьего слоя, накопительный элемент выполнен в виде индуктивностн и вторым выводом соединен с одним выводом пер- вого резистора, второй вывод которого подсоединен к одному из крайних участков четвертого слоя, второй источник питания выполнен в виде источника тока и подключен одним своим электродом к первому выводу на1290495 Составитель Л.БелаяРедактор Т.Парфенова Техред М.Ходанич Корректор М,Демчик Заказ 7915/56 Тираж 922 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 копительного элемента, а другим электродом - к второму слою с противоположной стороны и к другому крайнемуучастку четвертого слоя, а первыйисточник напряжения питания подсоединен к первому слою через второй резистор, при этом толщина второгослоя и среднего участка четвертогослоя выбраны меньшими, а толщинатретьего слоя выбрана большей удвоенной толщины обедненного слоя междуслоями разного типа проводимости.