Способ изолирования выводов микросхемы

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 77223 01 1. 21 00 51) 4 Н 01 В 19/00 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН к областиой аппаению инизобретеизоляцин,вывоОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Ижевский механический институ(56) Кондакова Л.В. и др. Стеклометаллические корпуса для полупроводниковых приборов. - М.: Энергия,1970, с. 30,(54) СПОСОБ ИЗОЛИРОВАНИЯ ВЫВОДОВМИКРОСХЕМЫ(57) Изобретение относитсяпроизводства радиоэлектроннратуры, а .именно к изготовлтегральных микросхем, Цельния - повышение надежностиДля этого пространство между дами 2 и корпусом микросхемы 1 заполняют изолирующим материалом 3, затемнагревают до расплавления последнегои охлаждают выводы при периодическомсиловом воздействии в направлении,перпендикулярном выводам 2, Силовоевоздействие создают путем помещениякорпуса микросхемы 1 в переменноемагнитное поле.Для равномерного воздействия поля корпус микросхемы 1в процессе нагрева и охлаждения вращают относительно оси, параллельнойвыводам 2. Периодические механические колебания выводов обеспечиваютперемешивание изолирующего материала3 и снижение внутренних напряженийрн его затвердевании из-за однородного охлаждения, а также создают условия для выхода газовых пузырей идругих примесей. 2 з.п. Ф-лы, 2 ил.Изобретение относится к технологии производства радиоэлектроннойаппаратуры и может быть использованопри изготовлении интегральных микросхем,Цель изобретения - повышение надежности изоляции.На фиг. 1 представлена часть корпуса микросхемы с выводом, на фиг.2 -конструкция устройства, реализующегопредлагаемый способ,Пространство между корпусом 1 ивыводом 2 заполняют изолирующим материалом 3 путем механической установки вывода 2 и цилиндра с отверстием, изготовленного из изолирующегоматериала 3. Затем изолирующий мате-риал 3 расплавляют посредством нагрева, после чего его охлаждают, Приэтом нагревается и охлаждается такжеи корпус 1 с выводом 2. В процессенагрева и охлаждения вывод 2 подвергается периодическому перемещениюпосредством периодического силовоговоздействия в направлении, перпен-,дикулярном выводам. Крайние положения вывода 2 под воздействием периодической силы на фиг. 1 показаныпунктиром, Как видно, вывод 2 совершает в основном угловое перемещение.Период силового воздействия на вывод 2 подбирается из условия резонанса, так как при этом амплитуда колебаний выводов максимальна,Наиболее просто создать периодическое силовое воздействие, если по-.местить корпус микросхемы в переменное магнитное поле, При диамагнитномматериале выводов или при их нагревевьппе точки Кюри силовое воздействиевозникает за счет токовихревого эффекта. При ферромагнитном материалевыводов и температуре ниже точкиКюри силовое воздействие создаетсяглавным образом за счет взаимодействия переменного магнитного поляс внутренним полем ферромагнетика. Устройство, реализующее способ,состоит из нагревательной печи 4с обмоткой 5, основанием 6 и крышкой 7,После установки корпусов микро"схем на основание б в печи 4 создается необходимая для расплавленияизолирующего материала 3 температура.По виткам обмотки 5 пропускаетсяпеременный ток определенной амплитудыи частоты, который создает переменное магнитное поле, вектор напря женности Н(1:) которого совершает периодические колебания в направлениях, показанных стрелками на фиг. 2,Это поле взаимодействует с выводами,создавая периодическое силовое воздействием на них в направлении,перпендикулярном выводам.Поэтому выводы 2 (фиг. 1) совершают периодические механические колебания, за счет чего достигаетсяповышение надежности изоляции. Основание 6 с корпусом микросхем можетвращаться с некоторой постоянной угловой скоростью. При этом корпусавращаются относительно оси, параллельной выводам, что дополнительноповышает надежность изоляции.К основанию 6 можно также приложить переменное вращающее усилие,которое будет вращать основание 6 икорпуса микросхемы. При этом выводымикросхем будут совершать колебанияи при отсутствии переменного магнитного поля;При практической проверке способав качестве изолирующего материалаиспользовалось стекло, максимальнаятемпература нагрева составляла 960 Самплитуда напряженности магнитногополя " 8 Э, частота магнитного поля50 Гц, угловая скорость вращения основания 7 с корпусами 6 (фиг. 2)0,628 рад/с.55 Повьппение надежности изоляции достигается за счет повьнпения качествасоединения изолирующего материала 3с корпусом 1 и выводами 2. Повышениекачества соединения объясняется об О легчением условий для выхода газовыхпузырей и других примесей, так какколебания вывода 2 передаются изолирующему материалу 3, Кроме того, изолирующий материал 3 в расплавленном 45 состоянии перемешивается, вследствиечего при его. затвердевании снижаютсявнутренние напряжения из-за однородного охлаждения. Механические колебания выводов 2 улучшают условия сма чиваемости их изолирующим материалом3. Процент выхода годных микросхемповышается, кроме того, уменьшаетсявероятность выхода микросхемы изстроя при ее эксплуатации.55Формула изобретения 1. Способ изолирования выводов микросхемы при котором пространство1277223 Составитель Н.ЗеленцовТехред А.Кравчук Редактор М.Товтин ктор М. Мак симишине Тираж 643 ВНИИПИ Государственног но делам изобретений 13035, Москва, Ж, Рауш/5 изводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 между выводами и корпусом микросхемы заполняют изолирующим материалом, нагревают до расплавления последнего и охлаждают, о т л и ч а ю щ и й с я Втем, что, с целью повышения надеж ности изоляции, в процессе. нагрева и охлаждения выводы подвергают периодическому силовому воздействию в направлении, перпендикулярном выводам.0 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что силовое воздействие создают путем помещения корпуса микросхемы в переменное магнитное поле,3. Способ по пп. 1 и 2, о т л ич а ю щ и й с я тем, что корпус микросхемы в процессе нагрева и охлаждения вращают относительно оси, параллельной выводам.