Генератор импульсов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 125129 1) 4 Н 03 К 3 351 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСК ЕЛЬСТВУ мпульснои ано в каь изобретеоса значеереходного на частоту ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(57) Изобретение относится к итехнике и может быть использочестве генератора импульсов. Целния - исКлючение влияния разбрний напряжения включения одноптранзистора при смене образцов генерируемых импульсов. Это достигается введением в генератор по основному авт. св.886221, выполненный на основе биполярного транзистора (БПТ) и однопереходного транзистора (ОПТ), охваченных перекрестными связями, дополнительного БПТ, управляемого выходным сигналом основного БПТ и позволяющего коммутировать цепь первой базы ОПТ одновременно с переключением основного БПТ. При этом такой неопределенный из-за большого разброса при смене образцов ОПТ параметр, как напряжение включения ОПТ, не является определяющим для формирования длительностей генерируемых временных интервалов. 1 ил.Изобретение относится к импульсной технике, может быть использовано в качествегенератора импульсов и является усовершенствованием устройства по основному авт.св.886221.Целью изобретения является исключениевлияния разброса значении напряжениявключения однопереходного транзистора присмене образцов на частоту генерируемыхимпульсов,На чертеже изображена принципиальная электрическая схема генератора импульсов.Генератор содержит однопереходный транзистор 1, первый биполярный транзистор 2п-р-п-типа, второй биполярный транзистор3 р-п-р-типа, подключенный эмиттером к положительному полюсу источника питания,базой через резистор 4 к второй базе однопереходного транзистора 1, коллектором через резистор 5 - к базе биполярного транзистора 2, включенного по схеме с обидим эмиттером и содержащего резистор 6 в качестве коллекторной нагрузки. 11 ри этом эмиттер и вторая база однопереходного транзистора подсоединены через резисторы 7 и 8 соответственно к положительному полюсу источникапитания, а времязадающий конденсатор 9подключен между базой биполярного транзистора 2 и эмиттером однопереходного транзистора 1, первая база которого связана сотрицательным полюсом источника питания через дополнительный третий биполярный транзистор 1 О п-р-п-типа, подключенныйбазой через резистор 11 к коллектору первого биполярного транзистора 2.Генератор импульсов работает следуюгцим образом.При выключении однопереходного транзис ра 1 конденсатор 9 заряжается по цепи:рези,тор , конденсатор 9, переход базаэмит, р транзистора 2. При этом транзистор3 выключен, так как величина базовоготока ппи выключенном транзисторе 1 недостато на для его открывания. Транзистор10 в этом состоянии закрыт и ток через межбазовое сопротивление однопереходного транзистора 1 не протекает. Транзистор 2 открытзарядным гоком конденсатора 9 и на егоколлекторе напряжение близко к нулю. Вэтом режиме практически отсутствует потребление тока как по цепи разряда конденсатора, образованной резистором 5 иранзистором 3, так и по цепи резистора 8, межбазовое сопро гвление однопереходного транзистора 1. Это вызвано закрытыми состояниями транзисторов 3 и 10. Закрытому состоянию однопереходного транзистора 1соответствует пауза между импульсами, 11 ом,ре заряда конденсатора 9 ток зарядауменьшается. При уменьшении тока заряда конденсатора 9 до величины тока насыщения транзистора 2 последний начинаетзакрываться. Закрывание транзистора 2 приводит к увеличению напряжения на коллек 5 10 15 О 25 30 35 40 4 50 торе, этого транзистора, которое через резистор 11 прикладывается к базе транзистора 10 и открывает последний. Включение и насыщение транзистора 10 приводит к тому, что первая база однопереходного транзистора 1 практически подключается к общей шине, В результате этого однопереходной транзистор 1 уже может включаться, если напряжение на его эмиттере больше напряжения включения однопереходного транзистора. В данном генераторе импульсов сопротивление резистора 7 выбирается так, что при выключении транзистора 2 напряжение на конденсаторе 9, приложенное к эмиттеру однопереходного транзистора 1, больше его напряжения включения. Поэтому при включении и насыщении транзистора 10 однопереходной транзистор 1 также включается. Открывание транзистора 1 приведет к еще большему закрыванию транзистора 2, поскольку через открытые транзисторы 1 и 10 напряжение, накопленное конденсатором 9, прикладывается к участку база-эмиттер транзистора 2 в запираюшей полярности. При открывании однопереходного транзистора 1 начинается формирование выходного импульса. Длительность импульса будет определяться сопротивлением резистора 5, поскольку при включении однопереходного транзистора сопротивление открытого транзистора 3 близко к нулю.По мере разряда конденсатора 9, когда напряжение на эмиттере однопереходного транзистора станет равным его напряжению включения, он выключается. Это приводит к открыванию транзистора 2 и закрыванию транзисторов 3 и 10. Формироваие импульса на этом заканчивается. Далее процессы повторяются.В данном генераторе величина напряжения включения однопереходного транзистора, имеющая большой разброс от образца к образцу, не оказывает влияния на частоту следования выходных импульсов генератора. Это достигнуто введением новых элементов: транзистора 10 и резистора 11, которые включены так, что включение однопереходного транзистора 1 определяется выключением биполярного транзистора 2, параметры которого стабильнее (при смене транзисторов), чем параметры однопереходного транзистора, Кроме того, введение новых элементов приводит к снижению потребляемой мощности, так как переход первая база - вторая база однопереходного транзистора (величина сопротивления которого при выклк)ченном однопереходном транзисторе мала) отключен от исгочника питания при выключенном однопереходном транзисторе 1. Формула изобретенияГенератор импульсов по авт. св.886221, от,гпчави 1 ийся тем, что, с целью исключения влияния разброса значений напряжения1251298 Составитель Э. Сапежко Текред И. Верес Корректор Л. Пилипенко Тираж 816 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор М. БандураЗаказ 4425/57 включения однопереходного транзистора при смене образцов на частоту генерируемых импульсов; введены дополнительный резистор и дополнительный биполярный транзистор п-р-п-типа, причем последний включен промежутком коллектор-эмиттер последовательно с однопереходным транзистором в цепь связи его первой базы с отрицательным полюсом источника питания и подключен базой через упомянутый дополнительный резистор к коллектору первого биполярного транзистора п-р-п-типа.