Способ получения мутантов бактерий-продуцентов полисахаридов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 1)4 С 15 0 ИЕ ИЭОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМ еслипиванян Н Аре саг е 11 в.д-Ргевв,8 НТОВ АХАРИДОВ,бакте ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ 21) 3603664/28-13(71) Институт микробиологиимянской ССР(56) Хат 1 сочЫа А,1 п. ьцгЕасЪоЬудгасев ог ргосаг 1 ой 1 с сйд, ьцСЬег 1 апй. 1. И.Х, Аса1977, р. 415.Патент США У 4235966,кл. С 12 Р 19/04, опублик.(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИУТБАКТЕРИЙ - ПРОДУЦЕНТОВ ПОЛИСпредусматривающий выращивани,ЯО 117 2 А рий кишечнои группы, имеющеи знстую морфологию колоний, на тательной среде с последующим отбором мутантов,продуцирукицих полисахариды, по слизистой морфологии колоний, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения частоты выхода генетически стабильных мутантов, выращивание осуществляют в жидком питательном бульоне, пос ле чего высевают культуру на поверхность питательной среды, содержащей глюкозу в качестве источника углерода, выдерживают сначала при 43-44 С в течение 24-48 ч, а затем при 28-30 С до образования колоний,фимеющих слизистую морфологию.-22омная) Ингибиру-ется 3,5 5 43,5 37 (оптималь20-22 е инги 2 3 0 и 37 1 1171Изобретение относится к микробиологии, в частностти к генетике и селекции высокоактивных штаммов - продуцентов полисахаридов.Цель изобретения - повышение частоты выхода генетически стабильных мутантов.Способ осуществляют следующим образом.Бульонную культуру неслиэистого 10 родительского ытамма после серийных разведений в физиологическом растворе высевают на поверхность минимальной агаризованной среды, 1-2 дня выдерживают при повышенной темпера туре, ингибирующей вселение клеток, но не приводящей к их гибели. Затем переносят на температуру ниже оптиомальной на 5-7 С или в комнатную и инкубируют до образования. видимых 20 колоний. Отбор мутантов, продуцирую- щих полисахариды с высоким Е выхода, ведут по слизистой морфологии колоний.Хотя положительный эффект дости гается для Е.со 1 Кпри повышенных температурах в пределах 43 о46,5 С, увеличение температуры вышео44 С нерационально, что требует дополнительных затрат энергии, поэтому оптимальным является повышениеотемпературы на 1-2 С выше максимальной.Выдерживание культуры при повышенной температуре в течение суток связано с необходимостью проведения контроля эа отсутствием роста колоний в сравнении с ростом при оптимальной температуре. Инкубация мик 523 2роорганизмов в сроки свыше 2 сутприводит к естественному отмираниюклеток, что отражается на выходемутантов.П р и м е р 1, Неслизистый штаммЕзсЬег 1 сМа. со 1 д Квыращивается в мясо-пептонном бульоне прио37 С с аэрацией до достижения экспоненциальной фазы роста, делаютсясерийные разведения в физиологическом растворе и пробы по О, 1 млвысеваются на поверхность агариэованной минимальной среды следующегосостава, г/л; Иа,НРО 6; КН РО, 3,ННС 1 1 э МяБОч 0,013; глюкоза - 5;агар-агар 15. Засеянные чашки ставятся на инкубацию при 43,5 С, полностью подавляющей рост культуры,выдерживаются 24 ч, а затем прикомнатной температуре. Через 4-5 сутинкубации на поверхности агара образуются колонии, более 507 которыхобладают слизистой морфологией. Полученные мутанты при культивированииглубинным способом на глюкозо-солевой питательной среде синтезируютв больших количествах кислый гетерополисахарид, состоящий из Ь -фруктозыП-галактозы, О-глюкозы и глюкуроновой кислоты в соотношениях 2;2:1:1соответственно,Результаты изменения границ повышенной и пониженной температурыинкубации даны в табл. 1П р и м е р 2. Проводят опыты снеслизистым штаммом Ба 1 щопе 11 а ГурЬ 1 пяпшш ЬТ. Условия опыта аналогичны условиям, описанным в примере 1, Результаты опыта даны в табл.2.1171523 Та блица 2 Инкубация Время обКоличество Инк уба ция Делениеклеток Штамм при повышенной разованияколоний,сут слизистыхмутантов, 7 при пониженной температуре, С температуре, С Ва 1 попе 11 аур 1 ппшпцт1.Т50 44 50 37 Не инги-22 бируется 28-30 37 Заказ 4819/27 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Ингиби-22руется28-30 Составитель В.ГолимбетРедактор Н.Гунько ТехредС.Йовжий Корректор В ГиРНЯк Тираж 525 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и Открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 У