Устройство задержки

)4 Н 03 К 5/13 РЕТЕНИ ЕЛЬСТВУ ходной ч оединен с втор ания, третий р оторого соедин 28В,Скорыйетельство СССР./13, 1971.тании5/04, 1965. чника питания ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИЙ ОПИСАНИЕ Н АВТОРСКОМУ СВ(54) (57) 1. УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ, содержащее первый и второй транзисторы, эмиттеры которых объединены и через генератор тока соединены с первой шиной источника питания, база первого транзистора соединена с входной шиной, база второго транзистора через первый резистор соединена с иеувой шиной источника питания, а коллектор второго транзистора - с выФЕ рез второй резистор шиной источника пи-истор, один вывод с второй шиной исо т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения быстродействия устройства и расшир ния диапазона регулирования времени задержки, в него введены четвер тый и пятый резисторы и переменный резистор, при этом база первого тр эистора соединена через четвертый резистор с первой шиной источника тания, коллектор первого транзистор соединен с вторым выводом третьего резистора и через переменный резистор - с базой второго транзистора, коллектор второго транзистора через пятый резистор соединен с базой пер вого транзистора.1170597 10 2. Устройство по. п. 1, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что генератор тока выполнен на третьем и четвертом транзисторах, базы которых объединены и соединены с коллектором четвертого транзистора, подключенноИзобретение относится к импульсной техиике и может быть использовано в устройствах 8 С диапазона.Известно устройство задержки, позволяющее на выходе получать импуль- с сы с короткими фронтами ( 3-5 нс), регулировка времени задержки в котором осуществляется переменным резистором, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную ячейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, а база транзистора релаксатора соединена через переменный резистор с шиной питания и через разделительный диод - с выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки 1.20Недостатками данного устройства являются высокая критичность к соотношению амплитуды входных импульсов и напряжению питания, что обуславливается необходимостью уравнивания 25 напряжений на аноде и катоде разделительного диода; низкая амплитуда выходных импульсов ( 0,4 В), так как они снимаются непосредственно с туннельного диода, Для большинства устройств такой амплитуды выходных импульсов недостаточно, Поэтому для усиления задержанных импульсов должен быть использован дополнительный широкополосный усилитель, что, в35 свою очередь, значительно усложняет устройство задержки. Наиболее близким к предлагаемому является устройство задержки, со 40 держащее первый и второй транзисторы, эмиттеры которых объединены и через генератор тока подключены к первой шине источника питания. База перго через шестой. резистор к второй .шине источника питания, эмиттеры третьего и четвертого транзисторов объединены и являются выходом генератора тока, а коллектор третьего транзистора - входом генератора тока. вого транзистора соединена с источником опорного напряжения, а базавторого транзистора - с входной шиной. Коллектор первого транзисторасоединен с выходной шиной и черезрезистор - со второй шиной источникалитания. Коллектор второго транзисто"ра подключен к второй шине источника питания 2.Недостатками известного устройстваявляются низкое быстродействие, при"водящее к затягиванию фронтов выходных импульсов за счет интегрирования тока генератора тока конденсатором, шунтирующим базо-коллекторныйпереход транзистора генератора тока;высокое нулевое время задержки, которое не позволяет осуществлять фзедержку коротких входных импульсов иограничивает диапазон регулированиявремени задержки,Цель изобретения - повышение быстродействия устройства и расширениедиапазона регулирования времени задержки.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство задержки, содержащее первый и второй транзисторыэмиттеры которых объединены и через генератор тока соединены с первой шиной источника питания, базапервого транзистора соединена свходной шиной, база второго транзистора через первый резистор соединенас первой шиной источника питания, аколлектор второго транзистора - свыходной шиной и через второй резис;тор соединен с второй шиной источника питания, третий резистор, одиниэ выводов которого соединен с второй,шиной источника питания, введены четвертый и пятый резисторы и переменныйрезистор, при этом база первого транзистора соединена через четвертыйСоставитель В.ПятецкийРедактор И,Касарда Техред Л.Микеш Корректор М.ПожоЗаказ 4714/53 . Тираж 872 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная, 4 з 117резистор с первой шиной источника пи-.тания, коллектор первого транзисторасоединен с вторым выводом третьегорезистора и через переменный резистор - с базой второго транзистора,а коллектор второго транзистора черезпятый резистор соединен с базой первого транзистора.Генератор тока выполнен на третьем и четвертом транзисторах, базы 10которых объединены и соединены с коколлектором четвертого транзистора,подключенного через шестой резисторк второй шине источника питания,эмиттеры третьего и четвертого транзисторов объединены и являются выходом генератора тока, а коллектортретьего транзистора - входом генератора тока.На чертеже представлена схема 20устройства,Устройство задержки содержит двабиполярных транзистора 1 и 2, эмиттеры которых объединены и черезгенератор 3 тока соединены с первой 25шиной источника питания. Коллекторытранзисторов 1 и 2 через третий 4и второй 5 резисторы соединеныс второй шиной источника питания.Каждый транзистор охвачен положительной обратной связью через пятыйб и переменный 7 транзисторы. Базытранзисторов через четвертый 8 и: первый 9 резисторы соединены с первой:шиной источника питания. Генератор3 тока выполнен на биполярных согласованных транзисторах 10 и 11, базыкоторых соединены. Коллектор тран-зистора 11 соединен со второй базойи через шестой резистор 12 подключенк второй шине источника.Устройство работает следующимобразом,При подаче напряжения на шинепитания. транзистор 1 запирается, а 45транзистор 2 открывается и насыщается. Это достигается соотношениемрезисторов 4 и 5 в цепях коллекторовтранзисторов 1 и 2 и соотношением 0597 4резисторов 6-9 в цепях положительной обратной связи транзисторов, Ток генератора тока задается резистором 12 такой величины, что он эначитель но превьппает ток насыщения транзистоВра 2При подаче,положительного входного импульса на базу транзистора 1 он начинает открываться, а на его коллекторе формируется отрицательный перепад напряжения, который по цепи обратной связи подается на базу транзистора 2. Но до тех пор, пока транзистор 2 находится в режиме, насыщения и не обладает усилительными свойствами, изменение напряжения на его базе не вызывает изменения напряжения на его коллекторе. Время задержки устройства определяется моментом окончания рассеивания неосновных носителей в базе транзистора 2Время рассеивания носителей в базе транзистора 2 тем больше, чем больше степень насьпцения транзистора 2, которая регулируется величиной сопротивления переменного резистора 7. С уменьшением последнего она возрастает. По окончании процесса рассеивания носителей транзистор 2 начинает работать в активом режиме. Действие положительной обратной связи приводит к развитию лавинообразного процесса в результате которого транзистор 2 закрывается, и на его коллекторе формируется положительный фронт задержанного импульса. Скорость процесса определяется глубиной положительной обратной связи. Использование предлагаемого устройства задержки повьппает быстродействие за счет увеличения длительности фронтов выходных импульсов; уменьшает нулевое время задержки; расширяет диапазон регулирования задержки выходных импульсов; исключает использование формирователя жапульсов на выходе устройства задержки.