Способ получения чистого кремния и устройство для его осуществления

Номер патента: 116849

Авторы: Губанов, Ковырзин, Лалыкин, Саврасов

ZIP архив

Текст

ЕН ЕТЕЛЬСТВУ Ю Д,Г в, В, К. Ковырзин, С. П; Лалыкин и Ю. П. Сав ЛУЧЕНИЯ ЧИСТОГО КРЕМНИЯ И УСТРОЙДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ . с 13 явлево о 2 д 5 я 1958 г. Ва Ьс 598 С 15/23 в 15,ом 55 тет ио делам ивооретеиий и при Совете Министров СССР крыт 15 й 5 прп яар Известен способ получения чистого кремния, путем термической диссоциации четырехиодистого кремния на поверхности кремниевого нагревателя.Описываемый способ позволяет получить более длинные кремниевые стержни с меньшим содержанием примесей.С этой целью диссоциацию четырехиоднстого кремния осуществлякл на расплавленной вершине кремниевой затравки.Для осуществления способа предлагается устройство, особенность которого заключается в том, что рабочая камера для диссоциация выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый шток с запаянным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоть 1, и опускающийся по мере роста образующегося слитка.На чертеже изображена схема устройства.Рабочая камера 1 устройства представляет собою кварцевую трубу. имеющую ввод для поступления в нес четырехиодистого кремния и смотровое стекло 2 из оптического кварца.В нижней части камеры 1 имеется отверстие, закрывающееся шлифованной пробкой. Через это отверстие в камеру вставляется 1 цевый шток 3 с запаянным внутри него железным сердечником 4.Обогрев ампулы б с четырехиодистым кремнием до температуры порядка 150 осуществляется печью б сопротивления, Камера 1 сообщасгся с ампулои 7, помещенной в сосуд 8. Дюара с жидким азотом. В ампулу 7 вставлена трубка 9, присоединенная к форвакуумному насосу. Внъ-гри камеры 1 находится горизонтально расположенный отражатель 10, Позицией 11 обозначен постоянный магнит, а позицией 12 - индуктор.Вначале аппаратура вакуумируется, затем разогревается ампула б с четырехиодистым кремнием до его плавления и включается высокочастотный нагрев кремниевой затравки. Пары четырехиодистого кремния поступают на расплавленную вершину затравки, где происходит диссо1168492циация его на кремний и йод, Пары йода отводятся в ампулу 7. По мере роста образующегося слитка 13 кремния кварцевый шток 3, поддерживающий кремниевую затравку, опускается.Полученный слиток кремния может быть переработан на монокристалл путем бестигельной зонной плавки, а также известным методом вытягивания.При скорости подачи паров четырехиодистого кремния около 80 г/час на кремниевую затравку с площадью расплава 1,5 см скорость разложения четырехиодистого кремния составляет 2,7 гчас, Степень разложения - 67/О.При увеличении скорости подачи паров четырехиодистого кремния степень разложения уменьшается, и скорость его увеличивается.Получение длинных стержней кремния способствует удалению примеси при кристаллизации, причем устраняется контакт кремния с кварцем, являющийся причиной диффузии примесей из футеровки в кремний,Предмет изобретения. Способ получения чистого кремния путем термической диссоциации четырехиодистого кремния на поверхности кремниевого нагревателя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения содержания примесей и получения длинных кремниевых стержней, диссоциация четырехиодистого кремния осуществляется на расплавленной вершине кремниевой затравки,2. Устройство для осуществления способа по п. 1, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что рабочая камера для диссоциации выполнена в виде кварцевоп трубы, в которую снизу вставлен кварцевый шток с запаянным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагре. ваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийся вниз по мере роста образующегося слитка.

Смотреть

Заявка

598015, 22.04.1958

Губанов Ю. Д, Ковырзин В. К, Лалыкин С. П, Саврасов Ю. П

МПК / Метки

МПК: B01J 19/00, C01B 33/031

Метки: кремния, чистого

Опубликовано: 01.01.1958

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-116849-sposob-polucheniya-chistogo-kremniya-i-ustrojjstvo-dlya-ego-osushhestvleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения чистого кремния и устройство для его осуществления</a>

Похожие патенты