Источник излучения

)4 Н 0 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ истив егающ тенки вов,Г.А.Пара 2, Источнии ч а ю щ излучения по п.1, о т й с я тем, что резиснесен на внутреннюю по ки колбы, а колба заным по отношению к сл ю тивный слой н верхность сте полнена инерт газом.3. Источни У 144951 о СССР1982.НИЯ, сония по п.1, о ттем, что резисизлу лич ающи тивный слой н оптичесгерметич сен поверхв колпоешнюю ность вкладьппа, рабе и прилегающеговерхности стенки к сложенноговнутреннейбы, а внутрнен газом. л енний тем стого ем вкладь зап Ф 1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) 1, ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕдержащий трубчатую колбу изки прозрачного материала ино установленный в ней накамент, о т л и ч а ю щ и й счто, с целью увеличения луч тока и стабильности излучения, нАкальный элемент выполнен в виде рего слоя, непосредственно про к внутренней поверхностиолбы.5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 На фиг.1 и 2 представлен источник излучения с различными вариантами нанесения резистивного слоя.Источник излучения включает в себя трубчатую колбу 1 из диэлектрического термостойкого оптически прозрачного материала, например нз кварцевого стекла. Накальный элемент выполнен в виде резистивного слоя 2, неИзобретение относится к электрическим источникам излучения, используемым в качестве источников инфракрасного излучения и применяемым, например, для радиационного нагрева.Известен источник инфракрасногоизлучения, выполненный по принципуштифта Нерста, Тело накала в этомслучае выполнено из тугоплавких окислов циркония иттрия кальция и др,Источник этого типа требует дополнительного подогрева, устройств регулирования и питания, конструктивнодостаточно сложен,Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является источник излучения, содержащий трубчатую колбу из оптически прозрачногоматериала и герметично установленныйв ней накальный элемент.Этот источник более прост в изготовлении и использовании, Однако привысоких рабочих температурах возмож"но распыление материалов тела накалаи осаждение его на внутреннюю стенкуколбы, что приводит к снижению лучистого потока и стабильности излучательных характеристик лампы.Целью изобретения является увеличение лучистого потока и стабильности излучения,Указанная цель достигается тем,что в источнике излучения, содержащем трубчатую колбу из оптическипрозрачного материала, и герметичноустановленный в ней накальный элемент, накальный элемент выполнен ввиде резистивного слоя, непосредственно прилегающего к внутренней поверхности стенки колбы, причем резистивный слой может быть нанесен навнутреннюю поверхность стенки колбы,а колба заполнена инертным по отношению к слою газом, либо на внешнююповерхность вкладьппа, расположенногов колбе и прилегающего к внутреннейповерхности стенки колбы, а внутренний объем вкладьппа заполнен газом. посредственно прилегающего к внутренней стенке колбы 1.Резистивный слой 2, находится вэлектрическом контакте с токовводами3, запаяннымк герметично с трубчатойколбой 1. Слой 2 выполнен, например,из графита опусканием в коллоиднограФитовый препарат с последующим отжигом. Внутренняя полость 4 (Фиг.1) заполнена газом, например азотом.Резистивный слой может быть нанесен на внутреннюю стенку колбы (фиг.1)или на вкладыш 5, который непосредственно прилегает к колбе 1 и обеспечивает герметичность соединения токовводов 3 с колбой 1 (Фиг,2), Внутренняя полость вкладыша заполнена газом.Резистивный слой, непосредственноприлегающий к колбе, нагревает ее.При этом колба также становится источником излучения, что приводит кувеличению лучистого потока. Наличиенаполняющего газа снижает распылениерезистивного слоя, что приводит кросту срока службы в случае расположения слоя на внутренней поверхностиколбы, При нанесении резистивногослоя на вкладьпп непосредственно прилегающий к внутренней стенке колбыслой не распыляется, а газ берет насебя задачу уплотнить стенку вкладыша и колбы при герметизации. Предложенная конструкция обеспечивает увеличение стабильности излучательныххарактеристик, так как резистивныйслой непосредственно прилегает квнутренней стенке колбы, и, следовательно, светопропускание колбы в процессе работы не изменяется.Резистивный слой из графита допускает нагрев до 1100 - 1500 К. Колба,прогреваясь до температур 800-1400 К,сама является источником излучения,за счет чего увеличивается лучистыйпоток и КПД лампы, поскольку кварцевое стекло обладает высоким (до 0,95)коэффициентом излучения в спектральных интервалах, в которых не являетсяпрозрачным,За счет высокого коэффициента излучения графита и кварцевого стекла и высоких рабочих температур обеспечивается увеличение плотности мощности на единицу излучающей поверхности до 20-30 Вт/см. Лучистый поток с единицы поверхности в 2-5 раз больше по сравнению с прототипом,1119519,орректор И Муск Тираж 746 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и от 13035, Москва, 3-35, Раушскаяаказ 3 ПодписноеСССР эводственно-полиграфическое предприятие, г. Уж ул. Проектная Давление внутри колбы при нагреве повышается, в результате чего снижается скорость испарения материала тела накала и повьппается долговечность5 лампы. Верхняя граница давления наполняющего газа выбирается с таким расчетом, чтобы в рабочем состоянии не был превьппен предел прочности колбы на разрыв с запасом в 3-5 раз. 1 ОПри нанесении покрытия на вкладьпп добиваются плотного прилегания его к внутренней стенке колбы. Покрытие при этом не распыляется, а наполняющий газ используется для создания 15 давления Изнутри вкладьппа при уплотнении стенки вкладьппа и колбы во время герметизации лампы.Экспериментальные образцы ламп, изготовлены согласно предпагаемому 20 едактор Н,Сильнягина Техред А.Кравчу изобретению, превосходят базовый объект - кварцевый излучатель с нихромовым телом накала по удельным поверхностным и линейным нагрузкам в 2-5 раз, за счет чего имеют повышенный лучистый поток, При этом излучательные характеристики в процессе работы практически не изменяются. Дополнительным преимуществом предложенной лампы накаливания по сравнению с базовым объектом является повышенная механическая прочность и долговечность. Увеличение долговечностидостигается за счет того, что при равенстве лучистых потоков обоих устройств базовый объект работает в режиме, более близком к предельномудля данного устройства.