Формирующая линия ударной волны

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) 151) Н 03 К 5/О ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ ЕЛЬСТВ ментом честве 35Д.Гинзбург,арев, Ю,С.Зайр- и - пе диодов, разован еходы полупроводников индуктивные элементы об ы проводниками, со ые электроды полуп иняющиводникоивные ми пер ых диодов, при этом ин гребо ич Г.В,цика.с,245 сная те 196уторин Е,Нющая линиядов, - ТехРадиоиз4(15),ип),Писарев Б.В.ца СВЧ варакторника средств свямерительная техи. с.69-71 Формир ных ди и, Сер. а, вып ротот УЮЩЯ ЛИНИЯ УДАРНОЙ ая подложку, поверх- сторон которой метали ячеек, каждая из ана индуктивным эле -(54) (57) ФОРМИ ВОЛНЫ, содерж ность одной и лизирована, икоторых образо ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1. Моругин А.А.Наносекундная импульМ., Советское радио и конденсатором, причем в кконденсаторов использованы элементы, присоединенные к первым электродам полупроводниковых диодов первой и последней ячейки, образуют соответственно вход и выход, о т л ич а ю ш а я с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем укорочения фронта выходного импульса и уменьшения церавномерР ности его вершины, в качестве вто- Е рых электродов полупроводниковых диодов использована подложка, выполненная из полупроводникового матерна- ( ла, с дополнительно металлизованной поверхностью торцов и другой ее сто- - роны, кроме участков р--переходов полупроводниковых диодов.": едт. -тГ,ттт Г,;э-Э-.,Е Г,т.Е 0;ттот ИТСЯ К .ТТтг)ГЗМЕ 1 т-РГт,Ойт ТЕХИКР т МОЖЕТ бЫТЬ ИСПОЛЬ зовано :ля формирования импульсовС -ГИ Г; О С Р ТКУ ЦД 1 ЕЫ М а Р 0 Н ТОМ И)ти С 1) Е 3 О М Вбь:стйодействуюШ 1 У раДиоизмерит ель)мхериборах генераторах импульсов,сверхширокополосных строб-осциллогра)ЯХ " ЕЕР)Г 3 Б = С Т Н Я Л Т Н Т Я УД а 1) т О й Б ОЛ Н Ы содержащая стержни, помещенные в оттверстия латунной посеребренной пластины, а .ежду ними и стенкамиотверстий еОмеагец,етиэлектрик, ца СТЕОжни ЦапаЯЦЫ ВЫВОДЬт КЯТУШЕК Ца фа) О; ТОЗЬХ т ОГТЬ а Х Обра ЭуВ 1 Х ЕЛтицайццЕ ИдутТИВНТ)СТИ ЯЧЕЕК т 1 1Яцц: усройсгьс Формирует имПуЛЬСт ДЛТЕЛТц;)СЬЮ ДО 110 ПС, Гд - НЯКО Р 10 ЦЕДОСТ К)М БЛЯЕТСЯ ТЕХНО ХО. ИЧРСКВЯ 3 ОЖЦОСТ 1 т СЙОРКИ и ПЯЙКИ 313 ецьев,Як как Гамеры их достятОЧ- Цо Ьалт. Ктом ) 01 О, п)1 е:ьОсть фрОцтя)ОЛЬ П",.У ГРО О Ц 1 т;:) ",Ьт) т)ОЧИ "Х Ст 1 тОтаццйОИОГ 1:т К ВЫХОПт ЦЕ КО ОРИКОП РРТ 0 гтттт ЫГ Гит Л щТ)ттГИТ еЕпоо аКОМ :.В ЯЕТЕЯ ТО ЧТ ГЭ .Г.ГЕ 1 ТЕЛ Ь и 0 СТ Ь ф Г 0 и. а О ЬЕХ ОП Ц 0 Г 0 тяМЕГ".ЛЬСЯ ЦР МЕНЬШР 6 О ПС:, ТЯК КЯК ца выходе каждой 1 чейки подтлюченяТЯРЯЗИТНЯЯ ЕМКОСТт КОНТЯКТНОЙ ПЛОЩЯДки, гг 0 может быть 1 нтерппетировано 55 Как ттВЕЛИЧЕ.1 ИЕ ВЦСОКОЧЯСЭ ОТНЬЬХ ПОТЕРЬ т ухуд 1 яющее;)отрмиэуюшие свойства линииВСОНЫ. Цель изобретения - расширениеФункциональных возможностей путемукорочения Фронта выходного имгульса и уменьшение наравномерцост." его вершины.Указаццая цель достигается "ем, что в Формирующей линии ударной волцы, содержащей подложку, поверхность одной из сторон которой металлгзироваца, и г ячеек, каждая из которых образована индуктивным элементом и конденсатором, причем в качестве конде:гсаторов использованы р -переходы полупроводниковых диодо.та индуктивные элементы образов;ны проводниками, соединяющими первые электр 011 ы полупроводниковых диодов прим игдуктивные элементы, присоедиНР Нце к первым электродам полупроводИКОВЬХ ЛИО,тОВ ПЕРВОЙ И ПОСЛЕД Ейя;,:йки образуют соответственцо вход выход в качестве вторых электроДОВ ГОЛ)ГГроВОДНИКОВЫХ диодов И "ПОЛЬ зована подложка, выполненная изпо.упроводникового материала, : дополнительно металлизировацной Оверхно.тьо торцов и другой ее ст;:.)цыроме участков р-и- цэрРходс ч,: )лу-.) О Э В Рнт к О В г,х т Ит т 0 . Цта фиг, и 2 показана кОнс 1)"тткдия1); р;.;руЮщ=йт ЛИНтии ударцОй ВОт 1Форми 1)уютщяя линия ударной в)лны ".ОДЕРжи Т ПОЛУПРОЭОДНИКОВ)ГЮ ПОЛОЖКУ -, Гр) типа, на которой ца о ределсцном расстоянии один от другого образованы р- ее -переходы 2 (б)а)ьерц Шоттки) полупроводниковых диодов, Г:Оединенцье проводниками 3 ьПОл" Н 1 ОП 11ТЭ "т1 К д И Ю и Н Д у К Т И В Н Ы Х Э,. : М Е ЕГтов, Подложка имеет металлизированную поверхность 4 одной стороны и металлизированную лове )хноть 5 торцов и другой стороны (кроме участков р-. -переходов 2 полупроводниковых диодов), Вход д и выход 7 обраэовацы индуктивными элементами присоединенными к первым электродам полупроводниковых диодов, соответственно первой и последней ячеек. Повышение однородности ячеек линии исключает появление учас ков с разным волновым сопротивлением г,характеристичиским импедансом;, приводящих к переотражениям сигнала, а следовательно, к повышенной1115213 го,формирующая ЛУВ работает следующим образом.Импульс внешнего генератора (не показан с относительно крутым фронтом подается на вход 6 линии между проводником 3 и металлизированной поверхностью 5. Р- ю -переходы 2 (барьеры Шоттки) включены для сиг нала в обратном направлении, поэтому с увеличением амплитуды сигнала при прохождении фронта импульса происходит уменьшение значения барьерной емкости р-и -переходов 2. 15 В результате возрастает скорость про- хождения сигнала по линии, так как она обратно пропорциональна корню квадратному из произведения значений барьерной емкости диодов (р- и -пере ходов или барьеров Шоттки) и индуктив. Составитель В.Се Техред И.Асталош Корректор А.Фовр Редактор А.Козориз аказ 6790/43 Тираж 861ВНИИПИ Государственного комите по делам изобретений и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская ПодпиССР б., д. 4/5 иал ППП "П ент", г. Ужгород, ул. Проектная неравномерности вершины последненостей проводников 3, т.е. с увеличением амплитуды сигнала при прохождении его фронта по ЛУВ вершина импульсов "догоняет" основание - происходит укорочение фронта импульсов.На макете такой линии ударной волныполучен импульс с длительностью фронта 40 пс при амплитуде 10 В, Улучшение неравномерности вершины импульса осуществляется путем повышения однородности ячеек, а именно одинаковости длин индуктивностей и размерови значений конденсаторов, так какисключаются переотражения сигналамежду ячейками линий вследствие повы.шения однородности ее волновогосопротивления, что приводит к уменьшению неравномерности вершины неменее чем в 2 раза по сравнению сизвестной линией, нер авно мерно сть в ершины импульса которой составляет 107.,