Способ изготовления аподизирующих диафрагм

(19) (11) 409 А 4(51) С 02 В 5 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1. Справочник конструктора оптико-механических приборов под ред. И.Я.Кругера и В.А.Панова. Л., "Машиностроение", 1966, с. 375.2. Красюк И,К., Лукишова С.Г., Марголин Д.М., Пашинин П,П., Прохоров А.М. и Терехов В.Д. Мягкие диаФрагмы на основе наведенного поглощения. Письма в ЖТФ, т.2, вып,13,1976 с. 577 (прототип).(54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ, включающий облучениепрозрачной заготовки ионизирующейрадиацией, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения процессаизготовления и уменьшения числа бракованных изделий, ионизирующей Радиацией облучают всю заготовку, послечего ее центральную рабочую зону просветляют ультрафиолетовым излучением.Изобретение относится.к областиоптических приборов, работающих в мощных лазерных установках, но может также применяться для аподизации любогооптического излучения, например в 5астрономии, спектроскопии, микроскопии,Известен способ изготовления диаФрагм, заключающийся в формированииотверстия в непрозрачном экране 1, 10Недостатком способа является то,что с его помощью невозможно изготовить диафрагму, пропускание которойплавно уменьшается от центра к краям,В то же время для предотвращения самофокусировки, возникающей из-за дифракции в мощных лазерных установках,необходимо использовать именно такойтип диафрагм.Наиболее близким к предлагаемому 20по своей технической сущности является способ изготовления аподизирующихдиафрагм, включающий облучение прозрачной заготовки ионизирующей радиацией 21,25Для создания требуемого профиляпропускания диафрагм на пути ионизирующего излучения перед облучаемымобразцом помещаются экраны переменной толщины, изготовленные из вещест- З 0ва, поглощающего ионизирующую радиа -цию (свинец в случае-излучения иалюминий в случае электронных пучков).Для создания слоев с профилированным пропусканием на краю апертуРыв случае-установок требуются громоздкие свинцовые экраны переменнойтолщины,В связи со сложностью этого метода облучение образцов с целью полу чения аподизирующих диафрагм ведется с помощью электронных пучков с энергией 1,5-5 МэВ,Однако при таком способе половина облученных.образцов разрушается из за невозможности стекания заряда из толщи диэлектрического образца (глубина проникновения электронов с энергией Г =1,5-5 МэВ в стекло и прозрачные кристаллы, используемые в оптике,Юсоставляет 3-10 мм).В облученных материалах появляется либо разрушение, либо образуются дефекты структуры, выражающиеся в том, что возникает градиент показателя преломления от центра к периферии образца, приводящий к ухудшению расходимости лазерного излучения на выходе диафрагм. Кроме того, при взаимодействии электронов с веществом образца возникает тормозное-излучение, которое окрашивает центральную часть диафрагмы, снижая ее пропускание с 943 до 457.Цель изобретения - упрощение процесса изготовления и уменьшение числа бракованных изделий.Цель достигается тем, что в способе изготовления аподизирующих диафрагм, включающем облучение прозрачной заготовки ионизирующей радиацией, ионизирующей радиацией облучают всю заготовку, после чего ее центральную рабочую зону просветляют ультраФиолетовым излучением.На Фиг. 1 показана схема облучения заготовки ионизирующей радиацией; на фиг. 2 - ультрафиолетовым излучением.Предложенный способ реализуется следующим образом.Вначале заготовку 1, выполненную из кристалла или стекла, облучают -излучением 2. При этом вся заготовка 1 темнеет. Для повышения равномерности заготовку можно вращать. Затем в ней высвечивают окно 3 посредством ультрафиолетового излучения 4. Для исключения попадания ультрафиолетового излучения на края диафрагмы, с торцовой стороны образца помещают тонкий экран 5 с отверстием, изготовленный из материала, поглощающего ультрафиолетовое излучение.П р и м е р. Изготовливают мягкие диафрагмы из кристаллов СаР.Рг При облучении всего кристалла -излучением дозои 10 рад в заготовке на 8водят поглощение наЯ =1,06 мкм(Кощ =2 см ). Пропускание заготовки на длине 27 мм составило 4,5 10 После облучения ультрафиолетовым излучением источника ДКСШс применением экрана из тонкой латунной Фольги с отверстием ф=10 мм центральная часть диафрагмы стала пропускать 707 Пропускание полученной диафрагмы меняется от 0,7 до 4,5 10" на длине 2 мм, при этом изменение пропускания диафрагмы в 8 раз достигается на диаметре 0,7 мм. Таким образом, предлагаемый способпроще прототипа и позволяет снизитьпроцесс брака..Уж 1 Тираж 526 НИИПИ Государственного по делам изобретений113035, Москва, Ж, Р комитета С открытий ушская наб