Многовыходное логическое устройство

СОЮЗ СОВЕТСКИХСО;ЕЛШВИСНИПРЕСПУБЛИН 3(59 Н 03 К 19 ОО ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ЗОБРЕТЕН ЕЛЬСТВУ(6 (2 8349193363267/18-211711,8130.04.83. Бюл. Р 16А,Д Вдовйченко, В.В. ГоремыкиЕлисеенков, Ю.М. Клименко,Никулин, В.М, Рублев, Ю.Н. Суби Г.И. ФурсинМосковский ордена Трудовогоого Знамени .физико-.техническийтут(53) 80.101 9,(54)(57) МНОГОВЫХОДНОЕ ЛОГИЧЕСКОЕУСТРОЙСТВО по авт.св. В 834919, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью расщирения функциональных возможностей, в него введены дополнительные транзисторы первого типапроводимости, эмиттеры и коллекторыкоторых соответственно подключенык эмиттеру и коллектору основноготранзистора первого типа проврдимости, а базы .- к дополнительным входами дополнительнымколлекторам транзистора второго типа .проводимости.50 Изобретение относится к импульс-ной и вычислительной технике и можетбыть использовано для построения логических и запоминающих устройств.По основному авт.св. Р 834919известно многовыходное логическое.устройство, содержащее транзисторпервого типа проводимости, змиттеркоторого соединен с первой шинойпитания, база - с входом устройстваи коллектором транзистора второго 10типа проводимости, эмиттер которогоподключен к второй шине питания,5 аза - к коллектору транзистора первого типа проводимости, дополнительные коллекторы транзистора второго 15типа проводимости подключены к выходам устройства, при этом транзистор первого типа проводимости выполнен в виде транзистора Шоттки Г 13 .Недостатком известного устройстваявляются узкие Функциональные возможности, так как оно не выполняет логичеокую Функцию ИЛИ,Цель изобретения - расширениеФункциональных возможностей.2)Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство, содержащеетранзистор первого типа проводимости,эмиттер которого соединен с первойшиной питания, база - с входом устройства и коллектором транзисторавторого типа проводимости, эмиттеркоторого подключен к второй шинепитания, база - к коллектору транзистора первого типа проводимости, дополнительные коллекторы транзистора 3-свторого типа проводимости подключенык выходам устройства, введены дополнительные транзисторы первого типапроводимости, змиттеры и коллекторыкоторых подключены соответстненно 40к эмиттеру и коллектору основноготранзистора первого типа проводимости, а базы - к дополнительным входам и дополнительным коллекторамтранзистора второг типа пронодимос.ти.На Фиг.1 приведена принципиальнаясхема предлагаемого устройства; наФиг.2-5 - временные диаграммы,;работы предлагаемой логической схемы.Устройство содержит нескольковходов 1 и выходов 2, многоколлекторный транзистор 3 второго типапроводимости, эмиттер которого сое"динен с второй шиной 4 питания, исс;несколько транзисторов 5 первоготипа проводимости, эмиттеры которыхсоединены с первой шиной питания,а база каждого из них соединена содним из нходов 1 устройства и одним из коллекторов транзистора второго типа проводимости, другая частьколлекторов соединена с выходами 2устройства. Коллекторы транзисторовпервого типа проводимости 5 соединены между собой и с базой транзистора 6 с; 3 второго типа проводимости. В ряде случаен между второй шиной 4 питания и эмиттером транзистора второго типа проводимости 3 может включаться резистор б,На Фиг.2-5 приведены диаграммыработы предлагаемого устройстна (выходных сигналон у) для различных.комбинаций входных сигналов (а,в,.с.,) и их различного. временногОрасположения между собой и импульсом питания Е, подаваемым на вторуюшину 4 питания, при этом обычноамплитуда Е соответствует уровню1 н ТТЛ-схемах (от +0,5 до+0,85 В). Для расширения температурного диапазона работы логическойсхемы и уменьшения влияния технологического разброса на параметры транзисторон н нее может быть введенрезистор б, при этом амплитуда Еувеличивается, например от 1,6-2 до3-4 В, соответствующего уровню 1в ТТЛ-.схемах. При этом входной и выходной переменными в предлагаемомустройстве являются токи, а нескольковыходов в ней (одновременно с несколькими входами) позволяют разветвлять сигнал и реализовывать Функциюпроводное ИЛИ при объединениивыходов 2 у различных устройств. Поскольку в устройстве не надо изменять потенциал для выделения логических уровней, а быстродействие ии-р-п-транзисторов и р-и-р-транзисторов (с самосовмещенным эмиттером)может быть сделано очень высоким,быстродействие предлагаемой логической схемы является очень высоким.При этом предлагаемая схема являетсядинамической схемой, ее вход 4 (вторая шина питания) Фактически являет"ся дополнительным тактируемым входом по И, в ней состояние 1 (прикотором транзисторы первого типапроводимости 5 и второго типа проводимости 3 включены, а из коллекторовтранзистора второго типа проводимости 3 вытекает ток) фиксируется в течение всего времени, пока на вторуюшину 4 питания подается импульс питания (стробйрующий импульс), чтоповышает ее помехоустойчивость,исключая случайные сбои вследствиесостязаний (гонок). Предлагаемое устройство обеспечи" нает реализацию неинвертирующей функции ИЛИ и позволяет при этом осуществить раэветвление сигнала, одновременно резко увеличивая помехоустойчивость и нагрузочную способность схемы, что расширяет ее функциональные возможности и область применения. Последнее связано также с тем, что уровень ф 1 в ней автоматически восстанавливается (регенерируется в каждом каскаде). Высокий же коэффи-,1 О 15499 зочную способность по выходу, что,например, необходимо в матричнйхБИС. циент усиления выходйого тока (относительно входного) обеспечивает высокую помехоустойчивость и нагру"1 Фиг. Р оставитель Аехред Ж. Каст Янов евич рректор М. Ша Ковалев акт 93 б арственногозобретений35, Раушска 2 52 Вака 113035 илиал ППП Патен г. Ужгород, ул. Проектная,. Тир ИПИ Гос о делам осква,Подписноомитета СССРоткрытийнаб., д. 4/5