Способ магнитной дефектоскопии и устройство для его осуществления

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 101053 7 З(59 6 0 ГОСУДАРСПО ДЕЛ КОМИТЕТ СССР ИЙ ИОТКРЫИЗ ОБРЕТЕН ТИИ САНИЕ ИЗОБРЕТЕН ОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОП АВ.179.14:621.317;39(088.8)Авторское свидетельство СССРкл, В 01 й 27/72, 1933.:торское свидетельство СССР4, кл. 0 01 й/72. 1980п).ОСОБ МАГНИТНОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.(57) 1. Способ магнитиой дефектоскопиипо авт.св М 913224, о т л ича ю щ и й с я тем, что с цельюповцыения чувствительности, в плаз"ме создают локализованный участок сболее высокой магнитной проводимостью и распределение тока определяютна этом участке.2, Устройство для магнитной дефектоскопии по авт,св, Р 913224,о т л и ч а ю щ е,е.с я тем, чтооно снабжено магнитньв конденсато"ром в виде стержня. из ферромагнитного материала, . закрепленным в корпусе вблизи анодов,30 Изобретение относится к неразрушающим методам контроля и можетбыть использовано для обнаружениядефектов в ферромагнитных изделияхво всех отраслях машиностроения.Известен способ определения дефектов в изделиях, заключающийся в том,что изделие намагничивают и регистрируют магнитные потоки рассеянияот дефекта в изделии путем взаимодействия их с потоком электрически 0заряженных частиц.Способ осуществляется устройством, содержащим корпус, катод, дваанода и схему для подключения устройства к источнику питания 1. 15Недостатком способа являетсянизкая чувствительность к дефектамс малым раскрытием и глубиной.Недостатком устройства являетсяассиметричность конструкции, что при Оводит к понижению чувствительности.По основному авт.св, Р 913224 известен способ магнитной дефектоскопии, заключающийся в том, что изделие намагничивают и регистрируютмагнитный поток рассеяния, обусловленный дефектами намагниченногоиэделия, над поверхностью намагниченного иэделия посредством газовогоразряда создают токонесущий слойплазмы, определяЮт распределениетока в плазме и по нему определяютмагнитные потоки рассеяния.Газовый разряд над поверхностьюизделия создают с помощью плоскойгазоразрядной ячейки, давление в которой мс ныне 100 мм ртутного столба,а ток разряда не превышает 1 мй,перемещаемой по поверхности контролируемого изделия.Устройство для магнитной дефектоскопин содержит корпус, катод и дваанода, катод выполнен штыревым,а аноды протяженными и соединены подифференциальной схемеГ 2 1Недостатком способа и устройства 45является низкая чувствительность кдефектам малых размеров из-за наличиявысокого шумового уровня газоразрядной плазмы устройства.Цель изобретения - повышение чувствительности при контроле изделийиз ферромагнитных материалов.Цель достигается тем, что согласно способу магнитной дефектоскопиив плазме создают локализованныйучасток с высокой магнитной55проводимостью и распределение токаопределяют на этом участке.При этом устройство для магнитнойдефектоскопии снабжено магнитнымконцентратором в виде стержня из 60ферромагнитного материала, закрепленного в корпусе вблизи анодов.На фиг, 1 представлена схема устройства" ,на фиг.2 - схема осуществ-,ления способа. 65 Устройство содержит газоразряднуюячейку с корпусом 1, установленныев корпусе электроды - штыревой катод2 и два линейно протяженных дифферен циально соединенные анода 3 и 4.Вблизи анодов 3 и 4 размещен магнитный концентратор в виде стержня 5из ферромагнитного материала. Электроды служат для получения необходимого разряда, посредством которогонад поверхностью намагниченного изделия б с дефектом 7 создают токонесущий слой 8 плазмы. Иежду штыревымкатодом 2 и анодами 3 и 4 подключены соединенные последовательно блок 9питания и ограничивающий разрядныйток 1 Р резистор 10. 1( анодам 3 и 4подключены резисторы 11 и 12, которые являются наружными плечами измерительного моста ( два внутренних плеча измерительного моста образуют разрядный промежуток в газоразряднойячейке ). Таким образом, линейнопротяженные дифференциальные аноды3 и 4 одновременно выполняют двефункции: они служат для получениянеобходимого разряда в гаэоразряднойячейке и для измерения распределительных в нем токов. Раэностный ток вдиагонали моста регистрируется с помощью индикатора 13. В разрядном промежутке около дифференциально соединенных анодов 3 и 4 размещаетсямагнитный концентратор магнитного поля, образуя локализованный участок14 с более высокой магнитной проводимбстью,Способ реализуется следующим образом,В газоразрядной ячейке с помощьюблока 9 питания создается токонесущий слой 8 плазмы, который распределяется между электродами. Для измерения магнитных потоков рассеяниягазоразрядная ячейка устанавливаетсятак, что слой 8 плазмы параллеленповерхности .намагниченного изделия б,а магнитный концентратор магнитногополя находится над поверхностью намагниченного изделия б со слоем 8плазмы.Перемещая ячейку с плазмой надповерхностью намагниченного изделия бв направлении х улавливают магнитные потоки рассеяния изделия б отдефекта 7, которые воздействуют натоконесущий слой 8 плазмы в ячейкепо нормали к нему. Под воздействиеммагнитных потоков рассеяния заряженные частицы в плазме смещаются относительно дифференциально смонтированных анодов 3 и 4. Это приводитк -перераспределению плотности токов1 и 12 на магнитопроводящем локализо-.ванном участке 14, где расположены аноды 3 и 4. По отношению к электродаммагнитный поток рассеяния, сконцентрированный концентратором и деформи-,1010534 Составитель А.Бодровактор Г.Безвершенко Техред И.Гайду Корректор Е,Рошко каз 247 3 Ти НИИПИ Государство делам иэобрете 13035, Иосква, Р( ж 871 Подписноеного комитета СССРй и открытий5, Раушская наб., д. 4/5 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул кт руемый при смещении изделия, пронизывает плазму ассиметрично.- Вследствие этого происходит такое же перераспределение разрядных токов в цепи резисторов 10 и 11. В результате, в диагонали мостовой схемы возникает токДраэбаланса, который регистрируют индикатором 13. По величине тока Ю судят о величине магнитных потоков рассеяния и о ха рактере и местоположении дефектовв материале иэделия б. Изобретение позволяет получитьболее высокий уровень разрешающей 5 способности при выявлении локальных,эон структурной неоднородности и дефектов ( в том числе подповерхностных ) с малым раскрытием и глубиной.