Способ изготовления шаблонов копировкой с плаза

Номер патента: 451446

Опубликовано: 30.11.1974

Автор: Аникин

МПК: B01D 7/00

Метки: веществ

...малыми количествами исходных очищаемых веществ, так как при испарении жидкости, а тем более при ее кипении примеси не накапливаются в ее поверхностном слое, что наблюдается при испарении кристаллов в известном случае.По сравнению с существующими способами получение веществ определенной степени чистоты согласно предложенному достигается меньшим количеством повторейий актов очистки.Осуществление предложенного способа проведено на модельном веществе - хлоруксусной кислоте, которую очищают тремя методами; обычной зонной сублимацией, зоннои плавкой и зонной сублимацией через жидкую фазу. Аппаратура та же, что и для зонной сублимации, за исключением необходимой для нагревания и давления над кристаллами, подбирается таким образом,...

Номер патента: 649454

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Бочкарев, Воронин, Коробов, Маслов, Никитина

МПК: B01J 17/28

Метки: вещества, газотранспортной, переноса, путем, реакции, химической

...процесса кристаллизации эпитаксильного слоя.На фиг. 1 дана схема предлагаемого способа (перенос вещества с источника на транспортирующее тело); фиг. 2 - механическое перемещение транспортирующего тела; фиг, 3 - перенос вещества с транспортирующего тела на подложку.На фиг. 1 приняты следующие обозначе; ния: 1 - источник, 2 - подложка, 3 - транспортирующее тело (например, кварцевая пластина), 4 - осаяденный на кварцевой пластине слой транспортируемого вещества,.5 - реактор.П р и м е р. Предлагаемый способ использован для химического переноса вещества из источника, состоящего из механиче. ской смеси порошков баАз (90 мол ) и ба Р (10 мол о/, ), на подложку баАз.Перенос проводят при помощи химической транспортной реакции с парами...

Номер патента: 209753

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Аввакумов, Киргинцев, Кос, Ластушкин

МПК: C22B 9/00

Метки: веществ

...способа аются затраты времени на процесс/з част расплаНа т на чет циклы до досПри уменьш очистк мноцией при- кри- криется вляасти ным ния изо редм ть ста- весь нюю при- меньляют овы- имер В известных способах очистки веществгократной направленной кристаллизарасплава со сливом части загрязненногомесями расплава в конце каждой стадиисталлизации каждый раз расплавляют исталлизуют весь слиток.Отличием предлагаемого способа являто, что на промежуточных стадиях расплают последовательно увеличивающиеся чслитка со стороны конца его с повышенсодержанием примесей.Это позволяет повысить производительнпроцесса.По описываемому способу на первойдни перекристаллизации расплавляютслиток. Расплав направленно кристаллии в конце кристаллизации удаляют...

Номер патента: 253775

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вигдорович, Вольп, Колеснев, Марычев

МПК: C30B 27/00

Метки: веществ

...сли вом его в конце прохода вместе с загрязненным материалом,Это дает возможность повысить степень чистоты получаемого продукта.По описываемому способу исходный мате риал помещают в горизонтально или наклонно расположенный контейнер, снабженный питателем и устройствами для слива расплавленного материала в начале прохода и в конце прохода перед питателем. 30 Процесс начинается с расплавления начального участка слитка и слива части расплава, после чего поверхность зоны покрывают слоем расплавленного флюса, активш,го по отношению к примесям, содержащимся в очищаемом веществе. В процессе зонной перекристаллизации примеси из расплава экстрагируются флюсом, в результате чего происходит дополнительная очистка вещества. Флюс перемещают в...

Номер патента: 253776

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Маслов, Черномордин

МПК: C30B 13/04

Метки: веществ

...меньшим елццццы, коц цецтрируются в расплаве перел зоной. Большая часть их удаляется прц сливе загрязненного продукта в конце прохода. Подпитку произволят исходным материалом, вводимым в часть контейнера, находящуюся цд рдсстоя- О ции 1 2 длин твердой зоны от его конца."1 асть контейнера, в которую вводят подццтывающцй мдтеридл, отделяют от основной части загрузки участком твердой фдзь 1 очцщдсмого вещества. После удаления твердой зоць 5 в начале прохода на расстоянии двух се ллццпозади зоны образуется расплав, очццсцццй от примесей, имеющих коэффициент рдсцрслеления ецьшс едициць 1, которь 1 й сливается в приемшк.О В течение прохола зоны основная 1;Стьочцщаемого вещества отделена от полпцты- В д 10 щего м атерц дл а у асткоы...