Вентиляционное устройство

Номер патента: 521535

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Лярский

МПК: G01R 33/02

Метки: близкорасположенными, величины, индукции, магнитного, между, поля, средней, электродами

...в узкой изоляционной щели параллельных электродов (передняя стенка снята); на фиг. 3 - то же, разрез по А-А; на фиг. 4 - схема установки при движении дуги под действием собственного магнитного поля электродов (независимое поле отсутствует); на фиг. 5 - схема установки при движении дуги под действием независимого магнитного псая (поле электродов компенсировано)Для определения величины В испсдьзуют установку (фиг, 2 и 3), состоящую из двух параллельных электродов 1, расположенных в щели между изоляционными дугостойкими стенками 2. Равномерное независимое магнитное поле в межэлектродном промежутке создается двумя катушками 3. Измерение скорости движения дуги осуществляется с помощью датчиков положения дуги, например,...

Номер патента: 947355

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Луценко, Матвиенков, Ткаченко

МПК: E04F 15/02

Метки: пол

...из Фанеры, причем каждаясоединительная планка выполнена шириной, равной зазору между лицевымислоями смежных щитов, и толшиной,равной толщине лицевого. слоя, приэтом крепежные элементы размещены 5в зазоре и прикреплены к несущейконструкции.На Фиг. 1 изображен предлагаемыйпол, вид в плане; на Фиг, 2 - сечениеА-А на фиг 1. 10В предлагаемом полу покрытие 1паркетных щитов, выполнено в видемозаичного ковра из паркетных планок.Паркетные щиты сопрягают друг с другом посредством соединительной рейки 2, заведенной в четверти 3. Паркетный щит имеет основание, выполненное и склеенное иэ древесноволокнистой плиты 4 и листа 5 Фанеры, состоящей на менее чем из двух слоев шпона, расположенных взаимно перпендикулярно друг к другу относительно направления...

Номер патента: 1125522

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Гришин, Макаршин

МПК: G01N 24/10

Метки: двумя, значений, линиями, магнитного, между, поля, разности, резонансных, эпр

...резонаторе спектрометра ЭПР. Для создания дополнительного пульсирующего магнитного поля,воздействующего на эталонный образец,через катушки Гельмгольца пропускаютпульсирующий ток, Необходимые параметры образующегося магнитного поля контролируют через соответствующие параметры пупьсирующего тока. Так частоту переменной составляющей тока (частота пульсаций дополнительного магнитного поля) устанавливают равнойчастоте модуляции ЭПР-спектрометра, Соответственно величину постоянной составляющей тока (следовательно и поля) устанавливают такой, при которой середины спектральных линий образцов совпадают, а амплитуду и фазу подбирают так, чтобы амплитуды сигналов от эталона и образца были равны, а фазы противоположны.П р и м е р 1, Исследуемый...

Номер патента: 748128

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Евдокимов, Кравчинский

МПК: G01B 11/00

Метки: бесконтактное, двумя, длины, между, оптической, параллельными, поверхностями, полупрозрачными

...диапазона определяемых оптических длин,Поставленная цель достигается тем,что устройство содержит последовательно расположенные по ходу светового излучения за коллиматором линзу,круглую диафрагму, установленную вфокусе этой линзы, фотоэлектрическийприемник и индикатор, а источник оптического излучения выполнен с возможностью перестройки по волновымчислам,На чертеже изображена принципиальная схема бесконтактного устройствадля определения оптической длинымежду двумя полупрозрачными параллельными поверхностями,Устройство содержит источник 1оптического излучения, выполненный,например, в виде перестраиваемогоСО -лазера с диапазоном перестройкиот 920 до 1100 см ", коллиматор 2,линзу 3, круглую диафрагму 4, расположенную в Фокальной...

Номер патента: 821912

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Евдокимов, Кравчинский

МПК: G01B 11/00

Метки: бесконтактный, двумяполупрозрачными, длины, между, определенияоптической, параллельными, поверхностями

...1 -го и(4+1)-го порядков, см4На чертеже изображена принципиальная схема устройства, реализующего опи сываемый способ.Устройс тво содержит последовательно расположенные источник 1 оптического излучения, выполненный, например, в виде 30 перестраиваемого СО -лазера с диапаЭ зоном перестройки от 920 до 1100 см коаииматор 2, линзу 3, круглую диафрагму 4, расположенную в фокадьной плоскости линзы 3 в центре интерференцион ной картины, фотоэлектрический приемник 8, выполненный например в виде пироэлектрического приемника типа МГ-ЗО, индикатор 6, представляющий собой, например, осциллограф С 1-72. 40 Осуществляется предлагаемый способследующим образом.Контролируемые поверхности 7, представляющие собой пластины интерферометра фабри-Перо,...