Дифференциальный усилительный каскад
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 886202
Автор: Шор
Текст
(11)ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическит еслублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлен 03 Г 3(45 соедин Гесударствевлый кеми СССРОпубликовано 30.11.8 яе делам лэебретенкй и еткрмтий) ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКА й биполярные транзистор х присоединены к источи ьно введены полевые аналы которых включен чнику тока, а затворы со тветствующих би пол ярн содержа щитеры которыдопол интелзисторы, клельно истос базами соозисторов.На чертная электрнройства. ы, эмитку тока траны паралединены ых транже пр еская принципиальагаемого устставле ема пр ьный сигнал уве.эмиттер-базовоолярных транзисИзобретение относится к электротехнике, в частности к усилительным схемам с дифференциальным входом.Известен дифференциальный усилительный каскад на четырех биполярных транзисторах, включенных по схеме Дарлингто. на, с дополнительными источниками тока в цепях эмиттеров входных транзисторов 11.Недостатки устройства заключаются в ограничении максимальной величины выходного тока значением, равным сумме токов основного и дополнительных источников, и .повышенной величине напряжения смещения нуля.Наиболее близким к предлагаемому по, технической сущности и достигаемому результату является дифференциальный усилительный каскад на двух биполярных транзисторах, соединенных эмиттерами, подключенными к источнику тока 2.Недостаток такого каскада заключается в ограничении максимального выходного тока величиной, заданной источником тока.Цель изобретения - увеличение макси- тв мальной величины выходного тока.Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальный усилительный каскад,В дифференциальном усилительном каскаде биполярные транзисторы 1 и 2 эмиттерами подсоединены к источнику 3 тока, дополнительно введенные полевые транзисторы 4 и 5 каналами включены параллельно указанному источнику тока, а затворы их соединены с базами соответствующих биполярных транзисторов 1 и 2.Пороговое напряжение транзисторов 4 и 5 выбрано меньшим напряжения эмиттер-. базовых переходов транзисторов 1 и 2 при отсутствии дифференциального сигнала.Устройство работает следующим образом.Входной дифференциалличивает напряжение 1.)збго перехода одного из бипформула изобретения Дифференциальный усилительный каскадт содержащий биполярные транзисторы, эмиттеры которых присоединены к источнику тока, отличающифся тем, что, с целью увеличения максимальной величины выходного тока, в него дополнительно введены полевые транзисторы, каналы которых включены параллельно источнику тока, а затворы соединены с базами соответствующих биполярных транзисторов. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Аналоговые интегральные схемы, Под15 ред, Д. Коннели, М., Мир, 1977, с, 75(фиг. 3.7) и05 (фиг. 3.26).2. То же, с, 72, фиг. 3,5 (прототип). 886202торов, например 1, и уменьшает напряжение1 1 вб эмиттер-базового перехода другоготрайэистора 2. Когда напряжение 13 вб становится меньше порогового, соответствую.щий полевой транзистор 5 начинает отпираться н увеличивает суммарный ток эмиттеров транзисторов 1 н 2, а следовательно,и .максимальный выходной ток, Максимальное увеличение тока определяется теперьпоперечным сечением канала полевого транзистора и может превышать ток источника3 в несколько сот раз.Данная схема не требует напряжениясмещения нуля.Предлагаемый усилительный каскад может найти применение в быстродействую 1 цихдифференциальных н операционных, усилителях с малым потреблением тока в режимепокоя,Составитель Итайн Техред А. ВойкТираж 99И Государственного коделам изобретениА нМосква, Ж - 35, РаушсП Патент, г. Ужгород мнтета Соткрмтная наб;,ул Прое
СмотретьЗаявка
2618859, 18.05.1978
Заявитель М. Я. Шор
ШОР МИХАИЛ ЯКОВЛЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03F 3/45
Метки: дифференциальный, каскад, усилительный
Опубликовано: 30.11.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-886202-differencialnyjj-usilitelnyjj-kaskad.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Дифференциальный усилительный каскад</a>
Биполярный транзистор
Номер патента: 1091783
Опубликовано: 10.05.1996
МПК: H01L 29/73
Метки: биполярный, транзистор
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.
Дифференциальный каскад
Номер патента: 1560022
Опубликовано: 07.05.1991
Автор: Вонсовский
МПК: H03F 3/45
Метки: дифференциальный, каскад
...четырех пар транзисторов.При воздействии между входаии . предлагаемого дифференциального кас када постоянных или медленно изменяющихся парафаэных сигналов максимальное приращение выходных токов не превышает величины режимного тока .1 , вследствие чего максимальное при ращение входного тока не превышает величины Тв/ , что существенно меньше соответствующего приращения входного тока в известном устройстве, опредепяемс)го величиноР 1При воздействии на один из входов предложенного устройства высокочастотного сигнала напряжения О,(Р) при условии "заземления" другого входа происходит следующее. Входной сигнал повторяется на эииттерах первого и третьего ), Э транзисторов, эашунтированных по переменному току первым конденсатором 13 и...
Способ динамического выравнивания токов параллельно включенных биполярных транзисторов
Номер патента: 1614009
Опубликовано: 15.12.1990
Метки: биполярных, включенных, выравнивания, динамического, параллельно, токов, транзисторов
...ИЛИ 201 - 20 п, первичные обмотки трансформаторов 251. - 25 пй2 включены между коллекторами каждых двух из биполярных транзисторов 11- 1 п, а каждая из вторичных обмоток 261 - 26 и п - 1),2 271 - 27 вт в х- между одним иа входов одного иэ логических элементов ИЛИ 201 - 20 п и вторым выходом соответствующего ему управляемого ключевого элемента 131 - 13 п, причем начало первичной обмотки 251 - 25 в те - 1 т соответственно хаждого транс 2форматора соединено с началом первой вторичной обмотки 261 - 26 "(" " этого2трансформатора, а конец первичной обмотки 251 - 25 Яп 1 ) - с концом второй2вторичной обмотки 271 - 27 и ь, одна2клемма 22 блока подключения второго источника 21 питания подключена к второму выводу каждого из развязывающих диодов...
Входной дифференциальный каскад усилителя постоянного тока
Номер патента: 439055
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Бродовский, Замбржицкий, Каржавов
Метки: входной, дифференциальный, каскад, постоянного, усилителя
...2 и 4 объединены и через резистор 8 соединены с минусовой шиной источника питания,Коллекторы транзисторов 2 и 4 соединены через резисторы 5 и 6 соответственно с плюсовой шиной источника питания, а коллектор транзистора 1 (3) каждого плеча соединен с коллектором транзистора 4 (2) другого плеча.Сопротивления эмиттерных резисторов 7 - 9выбирают такими, чтобы начальные токи всех транзисторов были одинаковы. Пусть на базу транзистора 1 подан сигнал такой полярно сти, что ток через него усиливается, а ток через транзистор 3 ослабевает. Величина изменения тока определяется коэффициентом усиления транзистора р и величиной тока входного сигнала15вхд, =- 111 вх - 1 Е, =: - Г звхИзменение тока в транзисторах 1 и 3 вызывает изменения токов в...
Интегральный биполярный транзистор
Номер патента: 865081
Опубликовано: 23.08.1982
МПК: H01L 29/73
Метки: биполярный, интегральный, транзистор
...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...
Предыдущий патент: Двухтактный бестрансформаторный каскад
Следующий патент: Дифференциальный усилитель
Случайный патент: Устройство для накачки шин