Способ выращивания рассады

Номер патента: 880349

Авторы: Папонов, Степанов

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ к двтовскомь свидетельствь Союз СоветскккСоцмалистическикРеспубики в 880349(51)М, Кл,А 01 6 9/00 РВудерстеаеый комитет СССР Йо делам изобретений н еткрцтнХ(71) Заявитель Пермский сельскохозяйственный институт(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ Изобретение относится к сельскомухозяйству и может быть использованодля выращивания рассады,Известен способ выращивания рассады, включающий распределение субстрата на участке, отделенном от подстилающего грунта экраном, высев семян,полив и внесение удобрений 111.Недостатком данного способа является отсутствие устойчивого кома изсубстрата, что ведет к повреждениюкорневой системы при выборе рассады.Известен также способ выращиваниярассады, включающий посев семян в субстрат, отграниченный листовым перфорированным материалом и рамками, ог 1раничивающими ком субстрата с боков 2.Целью изобретения является улучшение условий для роста и развития20рассады, снижение затрат на формирование кома.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу подстилающий грунт профилируют, покрывают слоем распыленного связующего агента и заполняют субстратом.Способ осуществляется следующим образом.Поверхность грунта профилируют.катками с шипами, имеющими форму лунок. Лунки покрывают слоем распыленного связующего агента, например латексной резиной, и заполняют субстратом. Высев семян производят в субстрат.В качестве связующего агента могут быть применены и другие вещества, например клей ПВА, продукты переработки нефти. Профилирование поверхности подстилающего грунта позволяет использовать естественный грунт для формирования кома иэ субстрата.Распыливание связующего агента, например латексной резины, укрепля" ет поверхность лунок и снижает повреждаемость корневой системы рассады при выборке. Образующийся при этом экранТираж 703 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5/филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 между подстилающим грунтом и субстра" том обеспечивает благоприятный воз" душно-водный режим корнеобитаемой зо-, ны, Кроме того, предлагаемый способ выращивания рассады предохраняет субстрат от водной эрозии.Выращенная рассада имеет в 1,5- 2 раза больший ком, не развивает четко выраженного стержневого корня, но ийеет большее количество боковых корней, приживаемость после посадки рассадопосадочной машиной ее выше на 7,6 Х, отрастание листьев в открытом грунте начинается раньше. Опытные делянки дают более высокий урожай (на 127).Формула изобретенияСпособ выращивания рассады, включающий посев семян в лунки с субст 880349 4ратом, отграниченным от подстилающе-го грунта, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью улучшения условийдля роста и развития рассады, снижения затрат на формирование кома,подстилающий грунт профилируют, покрывают слоем распыленного связующего агента и заполняют субстратором,10 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе

Смотреть

Заявка

2830013, 15.10.1979

ПЕРМСКИЙ СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ПАПОНОВ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, СТЕПАНОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: A01G 9/00

Метки: выращивания, рассады

Опубликовано: 15.11.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-880349-sposob-vyrashhivaniya-rassady.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания рассады</a>

Похожие патенты