Способ динамического освещения музея

Номер патента: 1783322

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гайдукевич, Домаренок, Достанко, Марченко, Мороз

МПК: G01J 5/00

Метки: градуировки, излучения, объекта, пирометра, температуры

...от длины волны, но в пирометрических расчетах их обычно заменяют интегральными эквивалентами;г( Л, Т) - спектральная энергетическая светимость абсолютно черного тела, описы ваемая законом Планка, но для Л Т 3000 К мкм данная зависимость с достаточной точностью описывается законом ВинаС 2г(ЛТ) С Л Лт(10) где С 1 и С 2 - постоянные Планка;Л- длина волны излучения;Т - температура тела;3(Л) - относительная спектральная характеристика системы, характеризующая спектральные избирательные свойства всего оптического тракта; объектив, фильтры, приемник излучения, Экспериментально установлено, что относительная спектральная 25 характеристика приемников излучения, в частности видиконов, достаточно точно описывается функцией вида (3)К 2...

Номер патента: 1770851

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Асадчий, Ашкинадзе, Красовский, Людчик, Покаташкин

МПК: G01J 1/04, G01N 21/59

Метки: взаимно, излучения, изменяющейся, источника, ориентации, плотности, потока, условиях, устройства, фотоприемного

...ее внутреннюю поверхность покрытием, пропусканиекоторого Т(а) характеризуется следующимсоотношением:Т(а) = А/К(а),где а - угол падения пучка излучения начувствительную площадку фотоприемногоустройства;ЧЧ(а) - зависимость чувствительностифотоприемного устройства от угла паденияизлучения;А - коэффициент, равный произведению угловой чувствительности и пропускания при максимально допустимом углепадения,Нэ чертеже показано устройство дляосуществления предлагаемого способа,Устройство содержит фотоприемник 1,в качестве которого используется кремниевый фотодиод ФДс диаметром входногоокна 2 10 мм. Фотодиод закреплен в центральном отверстии металлической пластины 3, представляющей собой цилиндрвысотой 5 мм, поверхность которого покрыта...

Номер патента: 132343

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Брегер, Гольдин, Осипов

МПК: G21H 5/00

Метки: гамма-излучения, источником

...поверхности до дозы, бе.опасной для обслуживающего персонала.3. Облучатель установки состоит из двадцати отдельных трубок 6рабочего стола 7, на котором, с целью фиксации кассет при выбрачы В,ой конфигурации облучателя, установлены формирующие пластины )ти пластины имеют отверстия 9, в которых укрепляются трубки 6 обчателя, соединенные посредством гибких шлангов с каналами храилиша кассет с препаратами Со (каналы хранилища, кассеты, тр у60 би облучателя вьполнены из нержавеющей стали).В зависимости от выбранной конфигурации облучателя применяютазличные формирующие пластины. Подъем нужного количества касет в облучатель по вертикально расположенным каналам хранилища становки (от одной до двадцати кассет), в зависимости от условий пыта,...

Номер патента: 217541

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Меркулов, Разин

МПК: G21H 5/00

Метки: бета-излучений, источник

...бета-излучений выполнен многослойным в виде комбинации расположенных послойно в определенной последовательности различных бета-излучателей.На чертеже изображен источник бета-излучений в разрезе.Он состоит из корпуса 1, выполненного в виде чашечки, слоев 2 - 4 радиоактивного объема и герметизирующего покрытия 5.Многослойный радиоактивный объем образован бета-излучателями, взаимное расположение и толщина слоя которых определяется цз условия возрастания энергии цзлучения от поверхности в глубь объема с учетом явления самопоглощения.В качестве примера трехслойного радиоактивного объема можно взять следующее расположение бета-излучателей: нижний слой 2 - Ягс 0+Юф, средний слой 3 - Т 1-с, верхний слой 4 - Яф. Предмет изобретения10 Источник...

Номер патента: 878080

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Жуйков, Звара, Плотко

МПК: G21G 4/00

Метки: излучения, источников, мишеней, приготовления, радиоактивного, тонкослойных, циклотронных

...конвективной теплопередачи, что существенно снижаетнежелательный нагрев подложки. Контролируя температуру в верхней, нижней части установки и на медномстержне, нагревают одну печь домаксимальной температуры 900"100 С).Вторая печь при этом не включаетсяЛетучие элементы (Н 8, Т 1, РЬ, В 1,Сй, Ев, Ро) возгоняются из образцаи распределяются определенным образом на стенках пробирки в зависимости от их летучести. Определен,ное давление.газа, например водоро 1 да, обеспечивает конкретное химическое состояние этих элементов(например, в водороде реализуетсяэлементарное состояние) и четкостьхроматографического разделения.- Приступенчатом повышении температурыво второй печи пики элементов надвигаются на тонкую подложку. Еслиповышать температуру в...