Устройство для измерения импульсныхдавлений

Номер патента: 972280

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Косичкин, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Худышев, Цывин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительный, элемент

...проводимости, а переход меж972280 Формула изобретения ВНИИПИ филиал П аказ 7669/29 Тира Патент, г. Ужгор Подписно Проектна ду ними зашунтирован введенными в устройство омическими контактами.На фиг. 1 изображен чувствительный элемент мембранного датчика давления; на фиг. 2 - увеличенное изображение контактных площадок.Чувствительный элемент мембранного датчика давления содержит центральные тензорезисторы 1, прилегающие к ним части контактных площадок 2, например из р-типа проводимости и крайние тензорезисторы 3 и прилегающие к ним части контактных площадок 2 и-типа проводимости, изготовленные из одного кристалла полупроводника, например, кремния, в форме вытянутой рамки, лежащей, например в плоскости изотропии, и омические контакты 4,...

Номер патента: 1778578

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Абуталыбов, Ларионкина, Рагимова, Расулов

МПК: G01L 11/00

Метки: гидростатического, давления, датчика, чувствительный, элемент

...нагруженных материалов для прецизионных измерений, например при калибровке камер высокого давления.Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предложенному техническому решению является датчик гидростатического давления с чувствительным элементом из пластины моно- кристалла люминесцирующего вещества - рубина, бэрическую чувствительность линий люминесценции которого используют для калибровки камер высокого давления в, широкой области температур (4,2-500 К) 2. ема установки для измерения атурной барической ээвисимоюминесценции.данных барической чувствиполуширины линий люминеснокристаллэх рубина и Теба 32чика гидростатического давления 2 излучение (люминесценцию), которое после монохроматора ДФС3...

Номер патента: 323643

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Конструкторский, Научно, Приборов, Средств

МПК: G01B 7/16

Метки: meaibpahhofo, давления, датчика, чувствительный, элемент

...элемент отличается от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельчых полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика, а также тем, что все тензорезисторы выполнены из ориентированного в направлении макси мальнсй тензочувствптельности полупроводника.Такое выполнение чувствительного элементапозволяет повысить точность измерения давлеполупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности.Полосы 1, 2 соединены между собой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, располо- Б женными на линии нулевой деформации мембраны б датчика. Полосы 1, 2 и перемычки 3, 4 полупроводника образуют мостовую...

Номер патента: 1229670

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Пономарева, Уваров, Хайновский, Хайретдинов

МПК: G01N 27/46

Метки: водорода, давления, датчика, парциального, чувствительный, элемент

...Электрод герметично отделяет объем с анализируемымгазом от пространства, где поддерживается постоянное заданное значение давления водорода, 1 ил.1 1229 б 7Изобретение относится к аналитическому приборостроению и может применяться в газовой, химической и других отраслях промьппленности для определения содержания водорода в газовых смесях. 0 Целью изобретения является расширение предела измеряемых давлений. 10На чертеже представлена зависимость давления водорода от электрического напряжения. 15 Фо рмула из обре те ния ОЮ" Ф Ю Ю Составитель В, КазаковТехред Корректор А, Тяско Редактор И. Николайчук Заказ 2445/44 Тираж 778 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 1398573

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Зеленцов, Мокров, Наумов, Песков

МПК: G01L 1/22

Метки: давления, датчиков, металлопленочных, чувствительного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ, включающий операции нанесения на металлическую упругую подложку слоя изолирующего материала, нанесения слоя проводящего материала, вакуумного напыления пленки резистивного материала, формирования рисунка тензорезисторов, создания контактных площадок и рисунка коммутации, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности значений выходного напряжения чувствительного элемента, перед операцией нанесения слоя проводящего материала осуществляют операцию вакуумного напыления резистивного материала и выдержку в вакууме при температуре напыления в течение 4,5 5 ч, а после создания контактных площадок и рисунка коммутации выполняют операцию формирования рисунка...