Устройство гальванической развязки

(5 )М, Кд,Н 01 Н д 7/00 Гооударстввнный комитет по делам изобретений и открытий(54) УСТРОЙСТВО ГА ЛЬВА НИЧЕСКОЙ РАЗВЯЗКИ Изобретение относится к автоматике и может быть использовано, например в электронных реле.Известно устройство гальванической развязки, содержащее источник управляющего сигнала, входной и выходной термореэисторы 1.Известное устройство гальванической развязки обладает невысокой температурной стабильностью.1 ОБелью изобретения является повышение температурной стабильности.Бель достигается тем, что в устройство гальванической развязки, содержащее источник управляющего сигнала, входной и выходной терморезисторы, введены первый и второй дифференциальные усилители на транзисторах, в базовые делители напряжения которых включены входной и выходной терморезисторы, при этом выходы источника управляющего сигнала подключены к коллекторам и эмиттерам тран- зисторов первого дифференциального усилителя, одни транзисторы первого и второго дифференциального усилителей имеют между собой тепловую связь, их базы подключены к соответствующим точкам своих базовых делителей напряжения, а коллектор.этого транзистора второго дифференциального усилителя подключен к выходу уст-,ройства.На чертеже приведене принципиальнаяэлектрическая схема устройства гальванической развязки.Устройство содержит источник 1 управляющего сигнала, один транзистор 2первого дифференциального усилителя, одинтранзистор 3 второго дифференциальногоусилителя, первый и второй дифференциальные усилители 4 и 5, резистор 6, первыйтерморезистор 7, резисторы 8 и 9, выходной терморезистор 10, резистор 11, транзисторы 12 и 13 первого и второго дифференциального усилителя.Устройство гальванической развязкиработает следующим образом,При отсутствии управляющего сигналаот источника 1 управляющего сигнала диф) Г НИИПИ Заказ 8365/ ираж 844 Подписное ференциальный усилитель 4 обесточен,а один транзистор 3 второго дифференциаль ного усилителя 5 закрыт напряжением, снимаемым с выходного терморезистора 10 базового делителя 9-11.При подаче управляющего сигнала от источника 1 управляющего сигнала транзистор 2 первого дифференциального усилителя 4 открывается и за счет выделяющейся в нем мощности происходит бьст О рый его разогрев, что приводит к уменьшению напряжения на переходе база-эмиттер до тех пор, пока это напряжение плюс падение напряжения на первом терморезисторе 7 не станет меньшим напряжения база-эмиттер транзистора 12. При этом транзистор 12 открывается и происходит перераспределение коллекторных токов, после чего дальнейший разогрев выходного транзистора 2 первого дифференциального усилителя 4 прекращается. В результате разогрева выходного транзистора 2 один транзистор 3 второго дифференциального усилителя 5 также разогревается и как только напряжение эмиттербаза этого транзистора станет меньше суммы напряжений эмиттер-база транзистора 13 и второго терморезистора 10 он откроется и в его коллекторной нагрузке появляется напряжение, свидетельствующее о включении источника 1 управляющего сигнала.Конструктивное исполнение устройства гальванической развязки может быть самым разнообразным, например: транзис 35 торы 2 и 3 размещены в одном кристалле и электрически изолированы друг от друга запертым р- И переходом; кристаллы транзисторов 2 и 3 размещены по обе стороны подложки из бериллиевой керами 40 ки размером 2 Х 2 мм.В первом варианте выше быстродействие, но мало максимально допустимое напряжение между транзисторами 2 и 3(порядка 40 В).Во втором варианте это напряжениеможет быть каким угодно большим, нобыстродействие ниже,Отличительной особенностью предложенного устройства является его абсолютная нечувствительность к электрическими магнитным, помехам так как сигналуправления передается посредством теплового потока, имеющего, как известно,относительно низкую скорость распространения,Устройство гальванической развязки, содержащее источник управляющего сигнала, входной и выходной терморезисторы, о т и и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения температурной стабильности, в него введены первый и второй дифференциальные усилители на транзисторах, в базовые делители напряжения которых включены входной и выходной терморезисторы, при этом выходы источника управляющего сигнала подключены к коллекторам и эмиттерам транзисторов первого дифференциального усилителя, одни транзисторы первого и второго дифференциального усилителей имеют между собой тепловую связь, их базы подключены к соответствующим точкам своих базовых делителей напряжения, а коллектор этого транзистора второго дифференциального усилителя подключен к выходу устройства,Источники информации,.принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Канады М 997479,2 1,09.76.