Источник вторичных ионов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 119) (11) ц 4 Н 01 Л ТР;чН 1 сЩ КОМУ Т КА 4)( соединя гревател выводны ся те месей в загрязн сорбиро Электроника",азов,сточни ов Н.А.миссии для фторполи, 1973,цо крио УДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ ПИСАНИЕ ИЗО(71) Ордена Ленина институт химической физики АН СССР(56) 1.Капцов Н.А. И.,1954, с. 94-112.2.Танцыров Г.Д., КлейменПрименение атомно-ионной эмасс-спектрального анализамеров. Доклады АН СССР, т.2с. 649 (прототип). ИСТОЧНИК ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ, ющий держатель образца с наем, систему электродов ищели, о т л и ч а ю щ и й -что, с целью снижения припучке ионов путем уменьшения ния поверхности образца аданными молекулами остаточных веден экран, охватывающий ,:и средство охлаждения егоенных температур.786686 Корректор О,Тигор Заказ 5764/2 Тираж 679ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, Б, Раушская наб д,4/5 Подписное Филиал ППП Патентг, Ужгород улПроектная 4 Изобретение относится к масс-спектрометрии, в частности к устройствам для получения ионов методом бомбардировки поверхностей твердых тел быстрыми атомами и ионами с целью анализа состава, поверхности.Известны источники вторичных ионов, предназначенные для химического анализа поверхностей твердых тел и нанесенных на них пленок различных 1 О веществ методом вторичной ион-ионной эмиссии, которые позволяют производить качественный анализ, послойный анализ, а таьоке определять структуру поверхности 11 . 15Для предотвращения загрязнения поверхности исследуемого образца адсорбированньии молекулами остаточных газов область конного источника, в которой располагается исследуемый 2 О объем, откачивается цо сверхвысокого вакуума, что требует применения сложных и,цорогостоящих вакуумных систем.Ближайшим к изобретению техническим решением является источник вто ричных ионов, содержащий держатель. образца с нагревателем, систему электродов и вывод ьые щели 2 .ГЭтот источник вторичньп ионов ра.ботает ь условиях высокого вакуума 1 О.ь (давление остаточных газон 10 мм рт.ст), Для предотвращения загрязнения поверхности исследуемого объекта. он нагревается до температуры несколько сот градусоа,Необходимость прогрева значительно сужает круг вешеств, которые могут быть проанализированы с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов. Метод становится неприменимымк веществам, которые имеют высокое давление насыщенных паров при псвышенньж температурах (10 торр) или претерпевают необратимые химические превращения. К этому типу веществ ,уд Редактор С.Титова Техред А,Бабинец относится, в частности, большинствоорганических и биоорганических соединений, при исследовании которых,этот метод стал широко испольэоваться.Целью изобретения является снижение примесей в пучке ионов путемуменьшения загрязнения поверхностиобразца адсорбированными молекуламиостаточных газов.Эта цель достигается тем, что введен экран, охватывающий источник,исредство охлаждения его до криогенных температур.На чертеже изображен предлагаемыйисточник вторичных ионов.Он состоит из металлического экрана 1, охлаждаемого каким-либо хладагентом 2. К экрану через изоляторыприкреплены все необходимые электроды и держатель 3 образца 4. Источникснабжен электронагревателем 5 длярегулирования температуры образца 4.В экране имеются только две узкиещели для вводапучка бомбардирующихатомных частиц 6 и вывода вторичныхионов 7.Образец укрепляется на держателе3 и источник вторичных ионов устанавливается на масс-спектрометр и откачинается. Сразу же после откачки про.изводится охлаждение экрана 1 путФмзаливки хладагента 2. Включаетсягучок бомбардирующих частиц, которыевыбивают из образца 4 вторичные ионы.Вторичные ионы собираются, фокусируются ускоряются системой электродови направляются в масс-анализатор,Введение в конструкцию источниканового элемента - охлаждаемого экрана снижает интенсивность фоновых пиков в масс-спектре вторичных ионов споверхностей различных веществ в широкой области температур исследуемого образца,
СмотретьЗаявка
2802892, 27.07.1979
ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ АН СССР
ТАНЦЫРЕВ Г. Д, НИКОЛАЕВ Е. Н
МПК / Метки
МПК: H01J 37/08
Метки: вторичных, ионов, источник
Опубликовано: 15.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-786686-istochnik-vtorichnykh-ionov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Источник вторичных ионов</a>
Способ исследования электронной структуры поверхности вещества
Номер патента: 531400
Опубликовано: 05.10.1977
Авторы: Арефьев, Воробьев, Стародубов
МПК: G01N 23/00
Метки: вещества, исследования, поверхности, структуры, электронной
...образования пози513400 Формула изобретения Составитель В, КирилловТехред М, Левицкая Корректор В. Сердюк Редактор Т Орловская Эакаэ 4065/43 Тираж 1101 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности образования пара-позитрония.Цель достигается тем, что на исследуемое вещество, окруженное газообразной атмосферой (например, аргоном),при давлении 10-120 атм накладываетсястатическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс.Использование магнитного поля усиливает образование пара-поэитронияв 2 раза и расширяет возможности спосо батак как позволяет исследовать электронную структуру...
Способ определения кислотности поверхности твердых веществ
Номер патента: 1377709
Опубликовано: 28.02.1988
Авторы: Кольцов, Кудряшова, Нечипоренко
МПК: G01N 27/56
Метки: веществ, кислотности, поверхности, твердых
...даны кинетические кривые изменения рН воды после внесения навески образца; на фиг.2 - калибровоч-. ный график (навеска 01 г, воды 10 мл)Исследуемую навеску порошка твердого вещества помещают в воду, и измеряют величину рН вытяжки в дина мических условиях при времени 5- 30 с, Кислотность поверхности Но находят по калибровочному графику Нф = = Г(Н) для заданного количества порошка и объема воды, где На - кислот ность поверхности, найденная спектрофотометрически, а рН - кислотность ,водной вытяжки.Нижний предел временного интервала определяется практически реаль ной возможностью сделать первый замер после внесения навески вещества и скоростью его смачивания при перемешивании, Зависимость, построенная по измерениям рН после 30 с...
Устройство для нанесения на соединяел1ые поверхности уплотняющих веществ
Номер патента: 187716
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Зейгарк, Конураев, Симферопольское, Смагин
МПК: B05C 5/02, B21D 51/46, B23K 3/06
Метки: веществ, нанесения, поверхности, соединяел1ые, уплотняющих
...вещества при его выдаче и одновременную прочистку сопла. Это достигается тем, что запорный клапан и соприкасающаяся с ним поверхность сопла выполнены цилиндрическими.Кроме того, для предотьращения выпадения осадка рекомендуется шток клапана снабдить лопастями, которые перемешивают уплотняющее вещество при возвратно-поступательном двияении клапана. Работа устроиства осуществляется следуюшпм образом.При поступлении объекта, на который должно быть нанесено уплотняющее вещество, 5 для подьема запорного клапана подается сглгнал любым способом (механическим, электромагнитным и другими). Уплотняющее вещество, находящееся под давлением, поступает через сопло на объект. По окончании цикла 10 паггесегггг 5 г вещества клапан под действиемпружины...
Ионный источник масс-спектрометра
Номер патента: 1572327
Опубликовано: 07.05.1991
МПК: H01J 27/26
Метки: ионный, источник, масс-спектрометра
...3 Япричем рабочая лента испарителя рас- фью)положена над центральной частью иони-,эатора симметричнб его продольной оси.Расстояние между лентами равно 0,20,5 мм и выбирается исхоДя из обеспечения максимального радиационногонагрева анализируемого образца, Параллельно рабочей ленте испарителяустановлена вспомогательная лента 6для обеспечения симметрии электрического подл в области ионообразования.Расстояние между вспомогательной лентой и рабочей лентой испарителя не менее половины длины рабочего участка иониэатора, т.е. участка, имеющего постоянную температуру.Устройство работает следующим образом.Проба анализируемого вещества наносится на ленты поворотного испари-теля 3. Источник устанавливается в масс-спектрометр и последний выводят...
Ионный источник масс-спектрометра
Номер патента: 884470
Опубликовано: 28.02.1991
Автор: Чилипенко
МПК: H01J 27/02
Метки: ионный, источник, масс-спектрометра
...проб (например, четыре) приварены.точечной сваркой ленты 4,выполненные из вольфрамовой или танталовой фольги. Для локализации пробыи уменьшения температурной деформации лент в их центре выштампованополукруглое углубление, как это показано на рисунке. Ленты установлены строго симметрично относительнощели 5 вытягивающего электрода, чтоконтролируется с помощью вспомогательной цилиндрической оправки (нарисунке не показана), вкладываемой щ 0в канавки 6 основания при сборке узла. Держатель 7 из нержавеющей сталиустановлен на керамических стойкахионо-оптической системы серийногоисточника масс-спектрометра аналогично анодному коробку в газовом варианте, Основание по боковым направляющим вставлено в держатель и зафиксировано снизу пружиной...
Предыдущий патент: Система управления вальцовой мельницей
Следующий патент: Способ получения органоалкоксисиланов
Случайный патент: Электродное покрытие