Усилитель

Номер патента: 1105902

Опубликовано: 30.07.1984

Автор: Авербух

МПК: G06G 7/163

Метки: резистор, управляемый

...трансформатора. 2земления одной из его выходных клемм в то время, как большинство применений таких резисторов требует наличия выходных клемм, изолированных от шины нулевого потенциала, Другим недостатком является отсутствие воэможности коррекции линейности в зависимости от рассогласования используемых полевых транзисторов по напряжению отсечки.Целью изобретения является расширение области применения эа счет введения гальванической развязки между входной и выходными клеммами при одновременном улучшении линейности преобразования.Поставленная цель достигается тем, что в управляемый резистор, содержащий операционный усилитель, источник питания, регулирующий и компенсирующий полевые транзисторы, балластный и шунтирующий резисторы, первый и...

Номер патента: 384076

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Нагайкин, Смирнов, Цоканов

МПК: G01R 27/00

Метки: пассивного, проводимости, резистора, управляемого, четырехполюсника, электрохимически

...реверсивный блок 1 содержит схему 14 реверса тока управления и источник 16 тока управления, который подключен к цепи управления электрохимически управляемого резистора через схему 14 реверса и балластный симметрирующий резистор 16, величина сопротивления которого выбирается значительно больше сопротивления резистивного электрода 3.Предложенное устройство работает следующим образом.Постоянное напряжение стабилизатора 7, промодулированное модулятором 3, через связующий трансформатор 10 подается на резистивный электрод 3 и эталонный измерительный резистор 12. С измерительного резистора сигнал через демодулятор 13 поступает на оконечный регистратор 6, например регистрирующий прибор магнитоэлектрической системы, Для стабилизации...

Номер патента: 1749887

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Чекчеев

МПК: G05F 1/00, H01C 10/00

Метки: резистор, управляемый

...управляющего напряжения, выходные выводы, предназначенные для включения в электрическую цепь, дополнительно введены два резисторных оптрона, размещенные на общей подложке, причем светодиоды оптронов включены последовательно между выходным потенциальным выводом операционного усилителя и потенциальным выводом его неинвертирующего входа, соединенным с шиной нулевого потенциала и одним из выводов для подключения управляющего напряжения, фоторезистор первого оптрона включен между вторым выводом для подключения источника управляющего напряжения и потенциальным выводом инвертирующего входа операционного усилителя, соединенным через резистор с отрицательным полюсом двухполярного источника напряжения постоянного тока, а фоторезистор второго...

Номер патента: 1035655

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Недошивин, Овчинников, Форталева

МПК: H01G 9/22

Метки: резистор, управляемый, электрохимический

...параметров регулирования и общее снижение ресурсной надежности, что однозначно связано со степенью и глубиной связина границе инертной и активной части 40электрода. При слабой связи активного и инертного слоя происходит нарушение контакта на их границе, что ."вызывает изменение пределов регулирования и резкое снижение ресурса. Прибольшой глубйне связи возрастает Нелинейность и нестабильность верхнегопредела регулирования резистора.Бель изобретения - повышениестабильности параметров регулированияи ресурсной надежности управляемыхрезисторов.Поставленная цель достигается. тем, что в электрохимическом управляемом резисторе, содержащем корпус,заполненный жидким электролитомс размещенньм в нем управляющимэлектродом и пленочным...

Номер патента: 1312726

Опубликовано: 23.05.1987

Автор: Якимаха

МПК: H03G 3/30

Метки: резистор, управляемый

...на выходе управляемого резистора линейно зависит от величины сопротивления полевых транзисторов 1 и 2. Для доказательства этого утверждения рассмотрим напряжения затвор - исток Ч, полевых транзисторов 1 и 2 30Подставляя полученные значения Ч из выражений (2 а, б) в выражение для тока стока, ток стока 1 для полевых транзисторов аппроксимируется следующим выражением: 1 р= 0,5 2(Ч, - Чт) - Чи, Ча где 1 -- удельная крутизна полевого транзистора; Чт пороговое напряжение полевого транзистора, получим1 р= 0,5)се Ч, -- 2 Чтг - Ча, ЧРг Для одинаковых параметров МДП-транзисторов, т.е. 1=В., и Чт = Чтг, и с учетом необходимого условия функционирования схемы типа1 р = юг, (4) получим следующее соотношение между напряжениями сток - исток полевых...