Способ частичной компенсации остаточных нестационарных процессов

Номер патента: 111852

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Чаман

МПК: G01R 17/10

Метки: диагонали, компенсации, моста, остаточного, переменного, самоуравновешивающегося

...в схему самоуравновешивающегося моста переменного тока, Балансировка моста осуществляется с помощью чисто активного сопротивления (реохорда) 2, щетка 3 которого псремшается серводвигателем 4, На выходе моста включен электронный усилитель б напряжения разбаланса, питающий серводвигатсль 4. Б с редине реохорда 2 имеется вывод, связанный с усилителем б чср з фазосдвнгающее устройство б.111852 Таким образом,: на вход усилителя 5 подается сумма двух напряжений, одно из которых действует между средней точкой датчика и щеткой РеохоРДг 1, а.ДРУгое -междУ Щеткой РеохоРда и его сРедней точкой.При разбалансировке моста между средней точкой датчика 1 и находящейся еще в центре реохорда щеткой 3 возникает напряжение разбаланса, которое усиливается...

Номер патента: 1238192

Опубликовано: 15.06.1986

Автор: Федоров

МПК: G05F 1/567, H02M 3/335

Метки: источника, компенсации, нестабильности, опорного, остаточной, температурной

...потенциал затворов вторыхтранзисторов фиксирован, то при изменении температуры происходит переключение дифференциальных токовыхключей. Выбирая количество диодов ш,крутизну транзисторов и величины фик"сированных напряжений, можно обеспечить переключение токов в определенном интервале температурНа фиг, 2 Б приведены кривые пере, ключения .токов 1 и 1 при И=2 .25 Первый токовый ключ переключаетсяв интервале температур Т,-Т, второйв интервале Т - Т. Использованиедифференциальных ключей позволяет 30 получать кривые переключения токовкак с положительным (фиг, 2 Ь), так.и с отрицательным (фиг. 28) наклоном.Суммарный ток пропускается через резистор К и на нем выделяется напряжеЗ ние компенсации П, =1 К, где1 =1, +1, имеющее...

Номер патента: 175138

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Добрер, Ковальский

МПК: H01F 13/00

Метки: влияния, компенсации, намагниченности, остаточной

...наь опроводе из феррита ь магнитную пластин е катушки, Изменяя иной и катушкой, мо опротивление цепи от тигая тем самым полн Для ликв сти в магнит ся применят емую в торц между плас магнитное с системы, до сации. Явление ный характизменени при наложе ных полей. Объясняе нии феррито ничивающее внешним, об коэрцитивно внешнее.намагничиваается размагкладываясь с оле (с учетом енсивное, чем тся это тем, что при вого тела в нем созд поле Нкоторое, с разует внутреннее п й силы) менее инт Чтобы регулировать величину вающего фактора, необходимо и чину внешнего поля, создаваемо Это достигается удалением или ем пластины к катушке с помощразмагничименять велио пластиной. приближению прессшпа 1 одписна уппа97 При выполнении отклоняющейдикаторов...

Номер патента: 574816

Опубликовано: 30.09.1977

Автор: Костенко

МПК: H02H 9/00

Метки: компенсации, линии, ограничения, остаточного, отключенной, перенапряжений, трехфазной, электропередачи

...проводом и землей.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема описываемого устройства.Устройство содченные междуфаз с землей.Сопротивления элементов 1 - 4 во всех случаях индуктивные, сопрогивления элементов 5 и 6 могут быть как индуктивными, так и ем574816 Подписное Тираж 917 Изд. М 781 Заказ 2148/13 Типография, пр. Гапупопа. 2 костными, в зависимости от расположения и транспозиции фаз.Устройство обеспечивает компеп"ацию реактивной составляющей остаточного тока заземляющей дуги, отключенной фазы во время паузы однофазного автоматического повторного включения (ОАПВ), обусловленную поперечными проводимостями фаз на зс 1 ллло, и между фазами для реальной несимметричной трехфазной линии с произвольным расположением...

Номер патента: 769738

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Котельников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключей, компенсации, остаточных, параметров, транзисторных

...компенсации транзисторных ключей произведено на эквивалентной схеме транзисторного ключа, показанной на фиг. 2,При подсоединении источника напряжения с резистором 8 нагрузки или генератора тока к электроду 2 транзистора так, чтобы ток нагрузки протекал через переход эмиттер-коллектор или коллектор-эмиттер в направлении от управляемого электрода 4 к электроду 2, между электродами 2 и 4 получаем эквивалентное остаточное напря жснис 4 для схемы включения с общимэ. иттером 1., (э) =1. (э)+1, (э) - 1(1)51где 1 б(э) = - с,и и р, - тепловой посциал транзистора;я, - коэффициент передачи гока эмит- О т;ра транзистора;=гА и 1 б(э)1 б где Уб - ток управления базы.15 Соответственно для схемы включения с общим коллектором имеем 1 э(к) 1 0(к) +1 б(к)...