Стекло для пеностеклокристаллического материала

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51)М, Кл,2 С 03 С 11/ООС 03 С 3/22 с присоединением заявки Нов Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(23) Приоритет Опубликовано 1501,80, Бюллетень Й 2 Дата опубликования описания 1501,80( 54 ) СТЕКЛО ДЛЯ ПЕНОСТЕКЛОКРИС ТАЛЛИЧЕС КОГОМАТЕРИАЛА Изобретение относится к радиотехническим материалам.Известен стеклокристаллическийсостав, включающийЯ 10 53 - 73,5А 1 О 16, 2-34, 5Ь 10 4,3-14, 0Т 10 т 4,5-7,5 1Наиболее близким к изобретениюявляется состав, включающий следую-.щие компоненты, вес.Ъ;Я 10 58 - 80А 1,0 10-30Ьз.о 2,5-7,0Т 3.0 2, 25-5Я 1 С 0,25-5гпО до 15м 90, в, о,гг 02,СаО до 2Иа О,КО до 1 2.Недостатками указанных составоВявляется то, что иэделия из этих массимеют высокие диэлектрические потерии диэлектрическую проницаемость, которые делают весьма затруднительнымили невозможньм применение материалапри необходимости соблюдения требований по малой кажущейся плотности из 2делий, пониженных значениях диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь в сочетании .с улучшенными теплоизоляционными свойствами.Целью изобретения является обеспечение диэлектрической проницаемости1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерь д о 0,001-0,002Это достигается тем, что стеклодля пеностеклокристаллического материала, включающее Я 10 А 1 ОЗ, В 03Ь 120, Т 10, Мдо, Сао, Я 1 С, дополнительно содержит Вао и РЬО при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ: 15 Я 10 52,4-60,4А 12 0 16, 5-17 0в,. о 0,5-0,8Ьз.о 2,3-3, 4Т 10 1,7-2,520 М 90 1,3-1,7Сао б,4-0,7Я 1 С 0,1-0,5Вао 15,0-19,0РЬО 1,8-2, 0Стекло для пеностеклокристаллического материала изготавливают последующей технологии. Сырьевые мате- риалы (кварцевый песок, каолин, углекислый барий, углекислый литий, дву-. ЗО окись титана, силикат свинца, тальк,Заказ 8691/28 Тираж 528 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 борат кальция) размалывают в требуемом соотношении и смешивают в шаровой мельнице мокрым способом в течение 15-20 ч, затем шихту обезвоживают и высушивают, Высушенную массу брикетируют и подвергают предварительному об" жигу при 1200 С до образования спека, Спек дробят на бегунах и тонко размалывают в шаровой мельнице, куда добавляют тонкомолотый карбид кремния. Полученную вспенивающуюся в обжиге массу обезвожив ают, высушивают, засыпают в металлические формы и на" правляют на вспенивание в тепловые агрегаты, Вспенивание производят при 1180-1210 С, вспененные заготовки вынимают из форм и обрезают под требуемый размер.П р и м е р 1. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас,Ъ: Я.О 59,59 ф А 1103 16 ф 6 ф 1120 2,45, Т 10 р 1,8, М 90 1,38, ВОЭ 0,55, Сао 0,45, Вао 15,2, РЬО 1,83, Я 1 С 0,15, полученный вспениванием в обжиге при 1180 ОС, имеет следующие свойства:Кажущаяся плотность 0,55 г/смДиэлектрическаяпроницаемость 1,75Тангенс угладиэлектрическихпотерьСредний коэффициент линейноготермического расширения в интервале 20-700 ОС 1,3 х 10 1/"С,П р и м е р 2. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас. Ъ: Я 102 57,56, А 1016 у 75 г 1,10 2 ф 74 р Т 102 ,2,12, М 90 1,47, Въ О 0,62, Сао 0,52, Вао 16,07, РЬО 1,9 Я 1 С 0,25, полученный вспениванием в обжиге при 1200 С, имеет следующие свойства:Кажущаяся плотность 0,35 г/смДи влек трич еск аяпроницаемость .1,45Тангенс угладиэлектрическихпотерь Средний коэффициент линейноготермического расширения в интервале 20-700 С 1,4 х 10 1/ С.П р и м е р 3. Пеностеклокристаллический материал на основе стекласледующего состава, мас.Ъ: Я 10253,53, А 1 03 16,85, 110 3,28, Т 102,37, М 90 1,53, ВО 0,67, Сао 0,57, о Вао 18,73, РЬО 1,97, Я 1 С 0,5, полученный вспениванием в обжиге при1200 С, имеет следующие свойства:Кажущаяся плотность О, 21 г/см 5ДиэлектрическаяпроницаемостьТангенс угладиэлектрическихпотерь 0,001СРедний коэффициент20 линейного термического расширения винтервале 20-700 С 2,0 х 10 1/ С. Стекло для пеностеклокристаллического материала, включающее ЯХО,1120, Т 1 О 1, Мдо, Сао,Я 1 С, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью обесПечения диэлектри-.ческой проницаемости 1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерьд О 0,001-0,002, оно дополнительносодержит Вао и РЬО, при следующемсоотношении комПонентов, мас,В:Я 10 52,4-60,4А 1 03 16 5-17,0В О 0,5-0;82,3-3,4Т 1040 М 9 О 13-1,7Сао 0,4-0,7Я 1.С 0,1-0, 5Вао 15,0-190РЬО 1,8-2.45 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Справочник СтеклоМСтройиздат, 1973, с,412, с,424,2, Заявка Великобритании 9 1287970,5 О кл, С 1 М, опублик. 1972.