Оптическое запоминающее устройство

Своз Сееетских Сециел исти цеских Республик(51) М. Кл. з 6 11 С 11/42 Государственный ноинтет СССР оо делан изобретений н открытий(71) Заявитель Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР(54) ОПТИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЯСТВО Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к оптоэлектронным системам обработки и хранения информации.Известны запоминающие устройства, содержащие слой электрооптического материала с поверхностью, способной захватывать заряд, в которых для записи или считывания информации используется перенос зарядов 11. Наиболее близким к изобретению техническим решением является устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке 2.Однако в данном устройстве необходимо использовать коронный разряд, что приводит к усложнению устройства и использованию высоких рабочих напряжений (7 - 10 кВ). К тому же, использование сегнетоэлектрических материалов требует применения поляризованного света для считывания информации, что дополнительно усложняет устройство, а также приводит к уменьшению быстродействия и разрешающей способности его. 2Целью изобретения является увеличениебыстродействия и разрешающей способности устройства.Это достигается тем, что устройство содержит прозрачный электрод, расположенный на активном слое, причем активный слой выполнен в виде пленки из высокоомного полупроводникового материала с избирательным спектром поглощения.На чертеже схематически изображенопредложенное устройство.Оно выполнено в виде тонкопленочнойструктуры таким образом, что активный слой 1 нанесен на прозрачную проводящую подложку 2, являющуюся одновременно одним из электродов, а второй прозрачныйэлектрод 3 расположен с другой стороныактивного слоя 1. При этом толщина активного слоя (от 0,1 до 1 мкм) обусловливает высокую разрешающую способность устройства (порядка 104 лин./см или порядка 108 бит(см), Одна из границ между слоя 2 ц ми устройства обладает способностью захватывать заряды и разряжаться под действием света. При этом распределение заряда (потенциальный рельеф 1 соответствует рас",В. Боголюбоговая Сост Техре Тирак ителО. Л681 Редактор Т. КлюкинаЗаказ 7237/55 Государствелам изобретква, Ж - 35 Патент, г,ЦНИИПИпо д113035, Моиал ППП нного ений ужг пределению интенсивности в действующем на структуру световом пучке. Время образования захваченного заряда и высокая чувствительность к свету обеспечивает достаточно большое быстродействие структуры, порядка 1 мкс.Для подготовки к записи информации на электроды подают импульс напряжения величиной до 5 В, вполне достаточного для появления равномерно распределенных зарядов на границе 4. При этом в пленке 1 (активный слой) толщиной порядка 0,1 - 0,5 мкм соз- и дается электрическое поле величиной до 10 з В 1 см. Затем структуру освещают пучком света, пространственное распределение интенсивности в котором соответствует записываемой информации.Под действием света заряд с границы 4 уменьшается: оставшиеся заряды создадут потенциальный рельеф в соответствии с интенсивностью светового потока.Для воспроизведения информации структуру освещают слабым пучком монохрома тического света с длиной волны в экситонной области.Распределение заряда и, следовательно, электрического поля, соответствующее за писанной картине, вызывает пространствен 25 ную модуляцию оптических свойств структуры, что позволяет проводить эффективное оптическое считывание записанной информации.Предложенное устройство позволяет обеспечить достижение разрешающей способности порядка 10 лин /см, рабочее напряжение составляет несколько вольт (в известных устройствах - несколько киловольт), увеличивается быстродействие (примерно до 1 мкс). 1. Оптическое запоминающее устройство, содержащее активный слой, расположенный на прозрачной проводящей подложке, отличаюи 4 ееся тем, что, с целью увеличения быстродействия и раз, .шаюц:;ей способности, оно содержит про ачнь 1 й электрол, располк,жснный на активном слое.2. Устройство по и. 1, от,гичтогцечто активный слой выполнен в виде . - ленки из высокоомногс полупроводникового материала с избирательным спектром по 1 лощения,Источники инфспмапии,ппинятые во внимание при -;.,ссперт;-,е1. Патент США Ма 3623027, кл. ЗА 0 - -173,1971.2. Патент США Я 3660818.кл. 340 в 1,3, 1972 (прототип). У Корректор Г. РешетниПодписноекомитета СССРи открытийнская наб д. 45род, ул. Проектная, 4