Магнитная муфта

Номер патента: 217049

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Батшевер, Дрокин

МПК: G11C 11/06

Метки: магнитной, развязки, элемент

...прямоугольности петли гистерезиса на участке модуляции магнитного сопротивления.Между отверстиями 8 расположено отверстие 11 с проходящей через него обмоткой И", с помощью которой осуществляется индикация состояния ЭМР (логические 1 и О) в режиме статического считывания информации.Выполнение отверстия 11 в форме эллипса позволяет получить максимальную амплитуду полезных выходных сигналов, а его расположение обеспечивает уменьшение амплитуды сигналов помех, возникающих при переключениях рабочего потока на этапах записи и стирания информации.Последовательность работы ЭМР может быть самой различной. С помощью этого элемента могут решаться различные переключательные функции. Его можно использовать также в цепочечных схемах (регистры...

Номер патента: 393056

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вараваиатйтшчгд, Изная

МПК: B23K 9/00, H01F 29/00

Метки: магнитной, управляемый, цепи, элемент

...устройств, съэкономить материалы. Применение предлагаемого элемента особенно эффективно в дросселях с воздушным зазором на пути пе ременного магнитного потока, в трансформаторах с шунтами и с магнитной коммутацией,Упр 0 имущИзобретение относится к электротехнической промышленности, выпускающей сварочные источники питания.Известен управляемый элемент магнитной цепи, содержащий магнитопровод с обмотками подмагничивания, расположенными на стержнях, и ярмами.Конструктивно управляемый элемент подобен однофазному трансформатору, собранному на стержневом сердечнике. По углам сердечника располагаются изолированные от стали стяжные щпильки. Шпильки изолируются для того, чтобы для переменного магнитного потока не создавалось по этим шпилькам и...

Номер патента: 830593

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Кашин, Курников, Тарасов

МПК: H01F 13/00

Метки: импульсныммагнитным, магнитных, намагничивания, полем, размагни-чивания, систем, элементов

...стабильный по.напряжению сигнал постоянного тока, который поступает на управляющий вход системы 3 импульсно"Фазового управления, Сигнал постоянного тока воздействует на фазосдвигающее устройство, входящее в схему системы 3 импульсно-фазо 20 вого управления, и определяет фазовый сдвиг импульсов на выходе системы 3 в пределах от Т/4 +ти и до Т/2. Каждому значению Фазы импульсного сигнала и, следовательно, моменту включения вентиля 4 или 5 в течение полупериода (Т/2) источника 6 соответствует определенная амплитуда напряжения и величина потенциала, до которого заряжается емкостной накопитель 16 в течение нескольких зарядных циклов. Заряд емкостного накопителя за несколько циклов позволяет снизить потребляемую из сети мощность....

Номер патента: 1728810

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Голенко, Оганесян, Семочкин, Хянникяйнен

МПК: G01R 33/12

Метки: коэрцитивной, магнитной, реле, силы, цепи, электромагнитных, элементов

...блока 5 соответствуетподынтегральной функции в выражении (7),а сигнал на выходе интегратора 11 - текущему значению магнитной индукции В.Описанные процессы имеют место в ра 35 бочем режиме, когда переключатель 18 находится в состоянии замыканияпереключающих контактов на соответствующие нормально замкнутые контакты 23,24: прежде чем перевести устройство в ра 40 бочий режим, подключают диагностируемоереле 3 с обмоткой 2 и переводят переключатель 18 в режим калибровки, замыкая егопереключающие контакты 25, 26 на нормально разомкнутые контакты 21, 22. При45 этом образуется мостовая схема, в плечикоторой включены соответственно прецизионные резисторы 14 и 15, прецизионныйреостат 16 и обмотка 2 реле 3, а в диагонали- соответственно источник 13...

Номер патента: 1763402

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Максимов, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: головок, легкоплавкое, магнитных, спаивания, стекло, элементов

...температур 20 - 300 С; температура растекания Триест при которой краевой угол смачивания ферритовой подложки становится менее 15 О; микротвердость по Виккерсу Нч, измеренная при нагрузке на индентор, равной 100 г; химическая устойчивость - потери массы образцов РЬ и ри кипячении в дистиллированной воде в течение 8 часов; глубина затекания Ь в зазор между ферритовыми магнитопроводами шириной 1,0 - 1,5 мкм при температуре растекания,Стекла синтезируются в платиновом тигле при температуре.1250 - 1300 С, Рас текаются при столь же низкой температуре, что и стекло-прототип, Хорошо согласуются по термическому расширению со всем марганец-цинковыми ферритовыми и не магнитными керамическими материалам. магнитных головок. Характеризуются удов...