Способ изготовления крупноразмерных камнелитых плиточных изделий

Номер патента: 639709

Авторы: Миллер, Цимерманис, Чернявский

ZIP архив

Текст

,6 З 97 О 9 Свез Советских Социалистических Республик(51) М. Кл.-В 28 В 1(54С 04 В 23/02 исоединением заявки М Государственный комите Приоритет СССРделам изобретений и открытийбликования описания 30.12.7 45) Дата вторызобретен ф. Х. Цимерманис, С. Н. Миллер и ернявскии Заявитель оектный инститстромпроект) ральский научно-исследовательский и строительных материалов (УралН 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРУ КАМН ЕЛ ИТЫХ ПЛ И ТОЧ Н БХ АЗМЕРНЫХЕЛ ИЙ Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при изготовлении изделий из силикатных, например шлаковых, расплавов на шлакоперсрабатывающих и кампелптсйных заводах.Известен способ изготовления камнелитых плиточных изделий путем заливки расплава в форму, подпрессовки, выдержки, извлечения изделия из формы и последующей тср мообр аботки 1 .Однако такой способ не позволяет получать качественных крупноразмерных плит, что обусловлено отсутствием оптимальных температурно-временных режимов, обеспечивающих предотвращение как деформации таких изделий, так и возникновения трещин на их поверхности.Кроме того, указанный способ предусматривает дополнительную выдержку изделий в форме после подпрессовки, удлиняющую процесс изготовления.Цель изобретения - повышение качества крупноразмерных плиточных изделий.Поставленная цель достигается тем, что заливку расплава в форму производят при температуре, па 30 -50 С превышающей температуру начала его кристаллизации, а подпрессовку осуществляют до образования 40 - 50% кристаллической фазы в изделии,Предлагаемый способ включает в себяследующие операции и приемы.Силикатный расплав, например расплавметаллургического шлака, заливают в фор му прп температуре, превышающей температуру начала его кристаллизации на 30 - 50"С (температура начала кристаллизации определяется любым известным методом, например термографичсскпм), подпрессовы вают и выдерживают под пуансоном в течение времени, необходимого для образования в пзлслш не менее 40 - 50% кристаллической фазы (степень закристаллизованности в зависимости от времени выдержки опре дсляется предварительно любым известнымметодом, например пстрографическим илп рентгспофазовым анализом закаленных образцов), 11 ослс достижения необходимой степени закрпсталлпзованности изделие из влскают пз формы и транспортируют натсрмообраоотку.11 р и м с р, Берут расплав доменного шлака,1 агпптогорского металлургического завода, пмс 1 ощпй температуру прп выпуске пз 25 злсктрол 1 говой псчп 1500 С, и охлаждают впромежуточной емкости до температуры 1370"С. Эта температура превышает температуру начала кристаллизации данного расплава (1320 С) на 50-С. После достижения ЗЭ такой температуры расплав заливают в639709 15 сР о р . у 7и 3 о б р с т с н и я Составитель Л, ЧубуковаРедактор Т, Кузьмина Тскрел С. Антипенко Корректор Л, Брахнина Заказ 2474/10 Изл. М 771 1 иразк 666 Пописпос 11 ПО Госу.арствсппого омитста СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 форму для получсшгя плп размером 500;(500 ,40 мм и подпрсссовывают, В процессе,1 ялпвкп и начавя подпрсссОВки тю 1 пература шлака пошвкасСя до температуры начала кристаллизации, что позволяет уменьшить псреохлаждение изделия и предотвратить образование трещин. В результате того, что начало подпрессовкп совпадает с началом кристаллизации расплава, достаточно 1 - 1,5 мпн выдержки для формирования более 40 - 50 с 1 о кристаллической фазы в объеме изделия. Затем изделие извлекаОт из формы и транспортируют на термообработку, Указанное количество кристаллической фазы создает каркас, предотвращающий деформацию изделия, обусловленную разогревом за счет тепла его внутренних слоев как при извлечении из формы, тяк и В период тсрмообработки.При выдержке в течение 1 - 1,5 мин не происходит переохлаждения углов и ребер и возникновения трещин в указанных местах.Г 1 ред:агасиый способ устраняет трсщинообразование па повсрхпостп большсразмерпых изделий. Это обусловлено тез 1, что рас- пляВ залиВястс 51 п 1)и температуре, па 30 - 50 С превышасощсй температуру ачгла его кристаллизации, и уменьшающей возмосность переохлаждения расплава прп соприкосновсп.п 1 его с повсрхностью 1 сллисской формы и пуансона.О.Псываемы 1 способ предотвращаедсфОрмЦию изделия Олагодя 1)51 тоу, 1 О подпрессовкя осуществляется в тсчснпс времени, необходимого для образования в объеме изделия нс мснсе 40 50% кристаллической фазы. Эого колисства досгато п 1 о 5 для формирования кристалли еского каркаса, препятствующего пластической деформпни изделия. Кроме того, данный способ ликвидирует условия для возникновения пластической деформации и необходимость 1 О дополнительной выдержки изделий в формепосле конца подпрессовки, а также обеспечивает возможность сокращения цикла формования изделия. Способ изготовления крупноразмерныхкамнелитых плиточных изделий путем заливки расплава в форму, подпрсссовки, и,.20 влечения изделия из формы и последующейтермообработки, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения качества изделий,заливку расплава в фо 1)му производят притемпературе, на 30 - 50 С превышающей25 температуру начала его кристаллизации, аподпрессовку осуществляют до образования40 - 50 св кристаллической фазы в изделии.ИстоПиси информации,принятые во вппманис прп экспертизе3. 1. 1 оснская Л, В. и др. Технология изготовления плпточпых изделий при подпрессовке расплавов.Нроблекы каменноголитья, Вы 1, 3, Киев, 1.1 аукова думка,197146

Смотреть

Заявка

2504435, 06.07.1976

УРАЛЬСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНЫЙ ИНСТИТУТ СТРОИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ "УРАЛНИИСТРОМПРОЕКТ"

ЦИМЕРМАНИС ФРИНА ХАИМОВНА, МИЛЛЕР СОФЬЯ НАУМОВНА, ЧЕРНЯВСКИЙ ИСААК ЯКОВЛЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: B28B 1/54

Метки: камнелитых, крупноразмерных, плиточных

Опубликовано: 30.12.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-639709-sposob-izgotovleniya-krupnorazmernykh-kamnelitykh-plitochnykh-izdelijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления крупноразмерных камнелитых плиточных изделий</a>

Похожие патенты