Сверхвысокочастотный аттенюатор

(22) Заявлено 05,0 с присоединением 7(21) 24408аивки И 18-09 23) Приоритет43) Опубликовано 25,11,78. Боллет45) Дата опубликования оппсанит Государственный комитетСонета Юнннстров СССРно делам изобретенийн открываний К 621.372,(088.8)) СВЕРХВЫСОКОЧЬСТОТНЫЙ АТТЕНЮЛТОР тся к СВЧ-технться для управэличных радиопрщих и измериго слоемескийпроводизолирова чем метал заземленным цачи.ведено пред и вид в раэр иальная злек нно лич вого з диэле 1 лементатрика, поединен линии пер Фелюг 1 пр ство, об - принци никомНа устрофиг, схема оженное езе; на трическ щи расИзобретение относи ике и может использоналения сигналами в ра иемниках, радиопередаютельных устройствах.Известен сверхвысокочастотный аттенюатор, содержащий отрезок полосковой линии передачи с включенным в него полупроводниковым элементоми цепь управления 111 .Однако это устройство характеризуется пониженной развязкой между цепью управления и СВЧ-линией передачи. Целью изобретения являечение развязки между линиечи и цепью управления.Для этого в сверхвысокочастотном аттенюаторе, содержащем отрезок полосковой линии передачи с включенным в него полупроводниковым элементом и цепь управления, полупроводниковый элемент выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивления в виде слоя, нанесенного на гсдложку полосковой линии передачи, цепь управления выполнена в виде металлического слоя с высоким удельным сопротивлением, расположенного на поверхности полупроводникоСверхвысокочастотный аттенюатор содержит отрезок полосковой линии передачи 1 с включенным в него полупроводниковым элементом 2 и цепь управления 3. Полупроводниковый элемент 2 выполнен из материала с высоким температурным коэффициентом сопротивления в виде слоя 4, нанесенного на подложку 5 полосковой линии передачи 1. Цепь управления 3 выполнена в виде металлического слоя 6 с высоким удельным сопротивлением, положенного на поверхности полупроводникового элемента 2 и изолированного слоем диэлектрика 7, причем металлический слой б соединен с заземленным проводником 8 СВЧ-линии передачи 9. Кроме того, схема содержит сопротивление 10 слоя 4 полупроводникового элемента 2, сопротивление 11 металлического слоя б и источник 12 управляемого тока.ФИЛИ а г,ужг Устройство работает следующим образомСВЧ-сигнал, мощность которого необходимо регулировать, поступает и СВЧ-линию передачи 9, зашунтированную сопротивлением 10 слоя 4 полупроводникового элемента 2. В исходном состоянии сопротивление 10 слоя 4 знаЧи- тельнО бОльше волнОВОго сопротивления СВЧ-линии передачи 9 и, следовательно, СВЧ-сигнал практически без потерь проходит через сверхвысокочастотный ат тенюатор.При включении источника 12 управляемого тока через металлический слой б начинает протекать ток нагревающий этот слой. Металлический слой б, в щ свою очередь, нагревает слой 4 полупроводникового, элемента 2, сопротивление которого с ростом температуры уменьшается и начинает шунтировать СВЧ-линию передачи 9, вызывая уменьшение коэФФициента передачи устройства, уменьшение мощности СВЧ-сигнала на его Выходе. Уменьшая или увеличивая ток через металлический слой б, можно изменять его температуру и, следовательно, сопротивление 10 слоя 4 и мощность СВЧ-сигнала на выходе устройства.Таким образом, ток СВЧ-сигнала,протекает через слой 4 полупроводнико" рого элемента 2, а ток управляющего ЗО сигнала через металлический слой б -ВЫСОКОЧастотная цепь Отделена От цЕпи управляющего сигнала. Вследствиеэтого уменьшается просачивание СВЧсигнала в цепь управления, уменьшается уровень паразитного излученияиз устройства. Формула изобретения Сверхвысокочастотный аттенюатор,сОдержащий Отрезок полоскоВОй нииперецачи с включенным в него полупроводниковым элементом н цепь управления о т л и ч а ю щ и й с я тем,что с целью УВеличения разВязки между линией передачи и цепью управления,полупровоцннковый элемент Выполнен иэ1.1 атериала с Высок 11 м температурнымкоэФФициентом сопротивления В В 11 деслоя, нанесенного на подложку полосковой линии передачи, цепь управленияВыполнена В Виде металлического слояс высоким удельным сопротивлением,расположенного на поверхности полупроВодникового элемента и изолированногослоем диэлектрика, причем металлический слой соединен с заземленным проВодником лйнии пе 1 едачи,1 сточн 11 к 11 инФормации, принятые воВнимание ИОи экспертизе:1. Дзехцер ГБ и дре Р -1- к ДиОдыВ широкополосных устройствах СВЧ, КСов.радио, 1970 с, 74-75. ЦНИЫ 1 П Заказ 6775/5 Тираж 916 Подписное