Мультивибратор

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет авт, свид-ву6 (21) 2399414/18-21 осударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий 8.78.Бюллетень2 3) УДК 621.373 вано 0(72) Автор изобретения О оленский филиал Мо энергетического ин ордена Ленин ковск титута 71) Заявитель 154) МУЛЬТИ В И ОР Изобретение относится к импульсной технике, в частности к устройствам для формирования импульсов, может использоватьсяв различных электронных устройствах,Известен мульти вибратор, содержащийпервый транзистор, включенный по схемес обшей базой, ко,лектор которого соединен с коллекторным резистором, а эмиттерчерез резистор соединен с шиной первогоисточника питания и через конденсатор - свыводом резистора, подсоединенного другим выводом к общей шине источников питания и к эмиттеру второго транзистора,база которого соединена с коллектором первого транзистора, и коллектор - с шинойвторого источника питания 1.Однако этот мультивибратор имеет недостаточную частоту колебаний, посколькудля сокращения паузы между импульсаминеобходимо уменьшать зарядное сопротивление, а для уменьшения длительности импульсов это сопротивление требуется повышать, 20Цель изобретения - повышение частоты колебаний мультивибратора,Для этого в мультивибратор, содержащий первый транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с коллекторным ре ором, а эмиттер через резистор соеди с шиной первого источника питания и через конденсатор - с выводом резистора, подсоединенного другим выводом к общей шине источников питания и к эмиттеру второго транзистора, база которого соединена с коллектором первого транзистора, и коллектор - с шиной второго источника питания, введены два резистора и транзистор другого типа проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером первого транзистора, а эмиттер через первый дополнительный резистор - с шиной второго источника питания, а база подсоединена к месту соединения второго дополнительного резистора с коллекторным резистором.На чертеже приведена схема мультивибратора.Мультивибратор содержит транзисторы 1 - 3, времязадающую цепочку из зарядного резистора 4 и конденсатора 5, коллекторный резистор 6, дополнительные резисторы 7 и 8 и разрядный резистор 9, шины 10 и 11 источников питания. Шина 10 соединена с коллектором транзистора 2, а через резисторы 7 и 8 - соответственно с базой и эмиттером транзистора 3, коллектор кото618836 Формула изобретения Составитель Л. СтеТехред О.,1 уговаи Гирах 086 овКорректор Л. ВеселовскаПодписное едактор Б. Федотов 1 а каз 4272/46 ЦНИИПИ Гостд пота Министро крытийн аб., д. 4/о л. Проектн ве о рственного комитета делам изобретений осква, Ж, Раун 113035, М Филиал ППП Патент, г. ород рого соединен с эмиттером транзистора 1, а через конденсатор 5 и резистор 4 - соответственно с эмиттером транзистора 2 и шиной 11, Эмиттер транзистора 2 через резистор 9 соединен с общей шиной источников питания и базой транзистора 1, коллектор которого соединен с базой транзистора 2 и через резистор 6 - с базой транзистора 3.Работает мультивибратор.следующим образом.Током, протекаюшим через зарядный резистор 4 подействием суммарного напряжения на шинах 10 и 11 заряжается конденсатор 5. Когда напряжение на эмиттере транзистора 1 становится положительным, он открывается, и напряжение, возникающее на резисторе 7, открывает транзистор 3, через коллекторную цепь которого начинает ответвляться часть тока из эмиттерной цепи транзистора 1. Глубина насьццения транзистора 1 уменьшается или его переход в насыщенное состояние исключается. Таким образом можно одновременно уменьшать паузу между импульсами, увеличивая ток через зарядный резистор 4, и сокращать длительность самих импульсов, ответвляя через транзистор 3 избыток тока, который переводил бы транзистор 1 в режим глубокого пасы шения. Мультивибратор, содержащий первыйтранзистор, включенный по схеме с общей 5 базой, коллектор которого соединен с коллекторным резистором, а эмиттер через резистор соединен с шиной первого источника питания и через конденсатор - с выводом резистора, подсоединенного другим выводом к общей шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база которого соединена с коллектором первого транзистора, и коллектор - с шиной второ 1 о источника питания, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты колебаний, в него вве дены два резистора и транзистор другоготипа проводимости, коллектор которого соединен с эмиттером первого транзистора, а эмиттер через первый дополнительный резистор - с шиной второго источника питания, а база подсоединена к месту соедине-.ния второго дополнительного резистора с коллекторным резистором. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:251, Справочник по импульсной техникепод ред, В. Н. Яковлева, изд-во Техника,Киев, 1970, с. 298, рис. 6 - 1.