Способ разливки металла в электромагнитном поле
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистицеских РеспубликОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ) Заявлено 30,08,73 (21 6664 0 51) М, Кл. В 22 2 11/16 исоединением заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР ло делам изооретений и открытий(088,8) 07,78 юл ия описания 14 С 7, 78 2) Авторы изобретения н, А, В, Иванов Р. Кожеуров, С. РоизСафаров, Булгаков Кацнел ьс он; Старцев, Г, С ерезин и П.бретение относится к области металмагнитное поле высокой частоты в кристаллизаторе удерживает расплавленный металл от растекания, от прикосновения его к стенкам. После охлаждения металла получаются слитки с гладкой поверхностью. Электромагнитный кристаллизатор представляет собой колебательный контур с явно выраженными резонансными свойствами. Это означает, что при изменении частоты электрического тока. источника, мощность, потребляемая электромагнитным кристаллизатором от источника, существеппо изменяется. гго в свою очередь изменяет величину электро магнитного поля, воздействующего па расплавленный металл,При периодической расстройке и после. дующей подсгройке с низкой частотой нагрузочного контура электромагнитного кристаллизатора путем периодического изменения частоты электрических колебаний источника внутри контура электромагнитного кристаллизатора величина высокочастотного тока также изменяется с низкой частотой. Низкочастотные изменения высокочастотного электромагнитного поля в кристаллизаторе воздействуют на кристаллизирующпйся металл и существенно улучшают сго струк- турч лургии.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ разливки металла, в котором металл в процессе разливки подвергается воздействию электромагнитного поля от статоров, питающихся от низкочастотных униполярных генераторов 111.Однако известный способ не обеспечивает должного качества поверхности слитков, а также стабильность их размеров.Целью изобретения является повышение качества и стабилизации размеров слитка при литье в электромагнитный кристаллизатор. что электромагнитй частоты создают ей подстройкой наромагнитного крисния частоты электчника, питающего аллизатор, причем ки с низкой частоьется в электр р, подключенныи к частоты. ЭлектроЭто достигается тем, ное поле высокой и низко расстройкой и последующ грузочного контура элект таллизатора путем измене рических колебаний исто электромагнитный крист это изменяют периодичес той.Расплавленный металл магнитный кристаллизато источникн тока высокой ТКА В ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ616051 10 Формула изобретения Составитель А. АбросимовТекрел И,уоная Корректор С. Патрушева Тираж 950 Подписное 1 едактор Е. ПолионоваЗаказ 3981,14й 11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 1 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, .В результате описанного процесса периодического изменения частоты источника создается высокочастотное электрическое поле, удерживающее металл от растекания контакта со стенками кристаллизатора, что обес печ ива ет высокое качество поверхности и стабильные размеры слитка, а также низкочастотнОе поле, улучшающее структуру металла в слитке. Способ разливки слитка в электромагнитном поле, включающий воздействие электромагнитного поля на слиток, отличающий ся тем, что, с целью повышения качества и стабилизации размеров слитка при литье в электромагнитный кристаллизатор, электромагнитное поле высокой и низкой частоты создают расстройкой и последующей подстройкой нагрузочного контура электромагнитного кристаллизатора путем изменения частоты электрических колебаний источника, питающего электромагнитный кристаллизатор, причем это изменяют периодически с низкой частотой. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР Мо 221 129, М. кл, В 22 Р 27/02, 1964.
СмотретьЗаявка
1956664, 30.08.1973
УФИМСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ ИМ. ОРДЖОНИКИДЗЕ, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8601
КАЦНЕЛЬСОН СЕМЕН МАРКОВИЧ, РОЙЗМАН ПЕТР СЕМЕНОВИЧ, ИВАНОВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, СТАРЦЕВ АНАТОЛИЙ ВИКТОРОВИЧ, САФАРОВ ГЕОРГИЙ САМУИЛОВИЧ, КОЖЕУРОВ ВСЕВОЛОД РОДИОНОВИЧ, БЕРЕЗИН ЛЕОНИД ГЕОРГИЕВИЧ, БУЛГАКОВ ПЕТР ЛАВРЕНТЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: B22D 11/16
Метки: металла, поле, разливки, электромагнитном
Опубликовано: 25.07.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-616051-sposob-razlivki-metalla-v-ehlektromagnitnom-pole.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ разливки металла в электромагнитном поле</a>
Способ изготовления источника электромагнитного поля
Номер патента: 458887
Опубликовано: 30.01.1975
Автор: Бричкин
МПК: H01F 5/00
Метки: источника, поля, электромагнитного
...поля.Цель изобретения - упрощение процесса изготовления источника поля.Это достигается тем, что источник выполняют в виде обмотки из ленточного электро- проводящего материала переменной ширины по длине, а изменение ширины ленты по длине соответствует требуемому закону пространство изменения электромагнитного поля.Приведем описание способа с примером осуществления для получения линейно-убывающего закона изменения электромагнитного поля в осевом направлении цилиндрической полости кругового сечения.Мерную длину, например, ленточного электропроводящего материала в виде фольги, исходя из заданного значения ампер-витков и линейно-убывающего закона изменения по длине, нарезают в виде клиона (линейное изменение ширины...
Электромагнитный экран переменного магнитного поля
Номер патента: 1626475
Опубликовано: 07.02.1991
Авторы: Величко, Данилевский, Мирошниченко, Пицын, Цирульский
МПК: G12B 17/00, H05K 9/00
Метки: магнитного, переменного, поля, экран, электромагнитный
...прокладкой 8,Экранирование объекта (прибора) электромагнитным экраном осуществляется следующим образом.В предполагаемый электромагнитный экран устанавливают экранируемый объект, например дисплей ЭВМ, так, что наблюдается его экран и возможный доступ к элементам управления, Переменное магнитное поле экранируемого объекта наводит в замкнутых контурах обладающего повышенной электропроводностью корпуса 1 индукционные токи, которые создают поле, компенсирующее переменное магнитное поле экранируемого объекта,Поскольку замкнутые контуры расположены взаимно перпендикулярно, то экранирование осуществляется по всем. направлениям. Действие такого электромагнитного экрана увеличивается по мере увеличения частоты переменного магнитного...
Источник электромагнитного излучения
Номер патента: 1113002
Опубликовано: 23.07.1987
МПК: H05H 13/04
Метки: излучения, источник, электромагнитного
...области спект 50ра низка, что затрудняет излучениев этой области для физических экспериментов и является недостатком известного устройства.55Целью данного изобретения является увеличение спектральной интенсивности электромагнитного излученияв длинноволновой области спектра,Поставленная цель достигается тем, что в источник электромагнитного излучения, содержащий синхротрон с прямолинейными промежутками, введена собирающая линза, которая установлена вне прямолинейного промежутка и ось которой совмещена с прямой линией, лежащей на продолжении орбиты в прямолинейном промежутке синхротрона, при этом выполняется условие:Р/1. 1где Р - расстояние от конца прямолинейного промежутка до собирающей линзы;" длина прямолинейного...
Источник электромагнитного излучения
Номер патента: 1023676
Опубликовано: 15.06.1983
Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа
МПК: H05B 33/12
Метки: излучения, источник, электромагнитного
...уровня внешних воздействий, значительно упрощает конструкцию блоков питания и повышает метрологические характеристики источникаизлучения.Для реализации отрицательной лю,минесценции в полупроводниках необходимо добиться уменьщения концентра"ции носителей заряда относительно.,их равновесного значения и;(по),гпри этом плотность рекомбинациойногоизлучения из кристалла становитсяменьше своего равновесного значенияР, . При сильном истощении кристалла,когда ,( Л, излучение спадает доО, а глубина модуляции излучения,ЬР стремится к Ро . Здесь величина Роявляется только той частью равновесного излучения полупроводника, которая соответствует рекомбинационномуизлучению электронно-дырочных пар,а спектр излучения представляет со-,бой часть...
Источник электромагнитного излучения
Номер патента: 1117736
Опубликовано: 07.10.1984
Авторы: Болгов, Малютенко, Яблоновский
МПК: H01L 33/00
Метки: излучения, источник, электромагнитного
...из биполярного полупроводника толщиной порядка диффузионной длины, но большей обратной величины коэффициента поглощения междузонного излучения полупроводника с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны, омические контакты 2, которые электрически соединены с узкими гранями 3 и 4, источник электрического поля 10 соединен положительным полюсом через контакту 2, расположенный на грани 3, магнит 5 расположен так, что его си7736 4тельным (1 пЗЬ) температурным коэффи. циентом ширины запрещенной зоны зависимостьРо(Т) монотонно и довольно резко возрастает с температурой. Для1 пЗЬ погрешность на 1 К - в - 3 Ж/градьРеР ЬТРв области 290 К, а для СдНВТеР аТ =1,3 Х/град. Однако для целого рядазадач измерительной техники...
Предыдущий патент: Устройство для непрерывной разливки метталов
Следующий патент: Способ изготовления облицованных кокилей
Случайный патент: Механизм подачи заготовки в прокатную клеть