Газоразрядная камера

Номер патента: 894817

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Мишкинис, Парфенова, Погорелов, Сулькин, Харитонов

МПК: H01J 35/10

Метки: анод, вращающийся, рентгеновской, трубки

...напряжений (при40 кВ) и не меньшей половины эффективной длины свободного пробега дляспектра вторичных и рассеянных электронов, соответствующего максимальнойэнергии электронного пучка в рабочемдиапазоне ускоряющих напряжений (при125 кВ). При условии чета практического удобств реализации толщину покрытия выбирают от 2 до б мкм, 65 Выбор первого условия объясняетси необходимостью практической прозрачности покрытия для электронного пучка во всем диапазоне ускоряющих нап;.яжений, т.е. критичным является егопроницаемость для наименее энергети -ческих электронов. Расчет глубиныпроникновения электронов в веществопредставляетсобой сложную расчетнуюзадачу. Пользуясь приближениями, из -ложенными в работе, можно сделатьрасчет, что средняя...

Номер патента: 1681926

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Коновалов, Коробов, Лазарев

МПК: B01D 61/14, B01D 61/42

Метки: аппарат, мембранный

...тока анионы стремятся к аноду 5, .расположенному на корпусе 1 аппарата, через прианодную мембрану 6, а катионы через прикатодную мембрану стремятся к ближайшей поверхности ближайшего микропористого биполярного электрода к корпусу 1, которая по отношению к аноду, расположенному на корпусе 1, является катодом. В это ке время под действием давления пермеат (вода) протекает через прианодную и прикатодную мембраны и выдавливает анионы, катионы и газ, образующийся на электродах в результате эдлектролиза, через микропористый анод 5 и катод 14 биполярного электрода по соответствующим продольным каналам 4 для вывода к патрубкам 17 и 18. Далее разделяемая жидкость через передаточный канал 9 в фильтрующем элементе 8 (микропористом биполярном...

Номер патента: 783238

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Горшков, Омелян, Степанчиков, Тымчак

МПК: C02F 1/463

Метки: коагуляции, коллоидных, частиц

..., напряженвности магнитного поля (2,5-10)кф 10 Э и линейной скорости потока0,01-0,3 м/с.Существо способа заключается вследующем. В электролизере с раствориьык анодом происходит образование гидроокиси металла, концентрация которой выше у поверхности растворяемого электрода (анода), Вэа783238 Формула изобретения Составитель В.Попов Редактор Ж.Дайч Техред М.Петко КорректорМ,ДемчикЗаказ 8535/26 Тираж 1020 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5;Имодействие электрического и накладываемого внешнего магнитного полей приводит к интенсивному перемешиванню заряженных коллоидных частиц, ускоряет их движение в сторону анода, т.е. в область повышенной концентраций...

Номер патента: 921054

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Бенедиктов, Королев, Новикова

МПК: H03K 3/53

Метки: емкостных, заряда, накопителей

...тока короткого замыкания выпрямителей 1 и 2, поэтому выпрямители 1 и 2 через обходные вентили 3 и 4 работают параллельно на емкостные накопители 9. Ток заряда определяется величиной индуктивного сопротивления реактора 8, через который на выпрямители 1 и 2 подается питание от сети переменного тока, и величиной напряжения на накопителях 9. При увеличении напряжения на накопителях 9 их токи, токи выпрямителей 1 и 2 и токи вентилей 3 и 4 уменьшаются, а ток зарядного дросселя 5, который через открытые вентили 3, 4 и 1 О подключен параллельно накопителям, увеличивается. Как только нарастающий ток дросселя 5 сравнивается с убывающими токами выпрямителей 1 и 2, токи обходных вентилей 3 и 4 становятся равными нулю, и вентили 3, 4 закрываются....

Номер патента: 1096765

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Гузанов, Житов, Фаерман

МПК: H05B 7/16

Метки: источник, питания, разряда, тлеющего, установки

...тиристора 10выполнен, например, на переключаю -щих полупроводниковых приборах (ди- З 0нисторах), соединенных последовательно с токоограничивающим резисто.ром.Кроме этого, источник питанияустановок тлеющего разряда содержитдополнительный шунтирующий дроссель13, который магнитно связан с шунтирующим дросселем 9 и включен встречно ему, причем для увеличения коэффициента связи оба шунтирующих дросселя могут быть намотаны на общийкаркас в два параллельных привода содинаковым количеством витков; обратный диод 14, через который шунтирующий дроссель 13 подсоединяется 45параллельно МЭП КТР 6. 765груженным на параллельный К Ь, -контур, где Кн - сопротивлениеМЭП КТР б; Ь 9= Ьн - индуктивностьдросселя 9,Это позволяет обеспечить...